Figure 9 shows the calculated and m

Figure 9 shows the calculated and measured output voltages of the packaged pressure sensors in a
pressure range of 0–6.9 × 103 Pa and a temperature range of 25–85 °C. The data labels of symbol
“SU-8 case” and “JSR case” are used to represent the result of the packaged pressure sensor using
dam-ring and sacrifice-replacement approaches, respectively. In Figure 9(a), the calculated response
curve of the FE model well agrees with measured response curve of the packaged pressure sensor for
both packaging approaches. As shown in Figure 9(b), there is a discrepancy between the FE model and the experimental results for both packaging approaches. The FE model assumes that the packageintroduced
stress is mostly from the CTE mismatch of packaging components. The discrepancy could
have resulted from the non-symmetrical placement of the pressure sensor in the packaging process,
since the different stress distributions on the silicon membrane of the pressure sensor change the final
output voltage of the pressure sensor. The final material properties of the EMC are strongly dominated
by the final curing situation. In addition, a simplified linear model could also contribute to the
discrepancy [25,26]. However, the signal outputs of the packaged pressure sensor obtained from the
FE model and the experiment have similar trend. In addition, the thickness variation of the silicon
membrane is ±10% for a commercial specification of the piezoresistive pressure sensors. This induces
a shift on zero-offset output for pressure sensors. Therefore, the zero offset voltage (ΔV) of each
pressure sensor is a non-zero value and varies from sensor to sensor. To set the signal output of a
pressure sensor always on a positive voltage output at all pressure and temperature range, a series
resistor is added on the sensing circuit to shift the zero-offset output of the pressure sensor to a
specified positive zero-offset value. In contrast, the output voltage of the pressure sensor is caught
directly from the output of the Wheatstone bridge (without adding the series resistor). This explains
why the signal output of the pressure sensor may cover a range of positive and negative voltages

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 9 แสดงผลลัพธ์จากการคำนวณ และวัดแรงดันเซนเซอร์แรงดันบรรจุในการความดันช่วง 0 – 6.9 × 103 Pa และอุณหภูมิ 25-85 องศาเซลเซียส ป้ายชื่อข้อมูลสัญลักษณ์"SU-8 กรณี" และ "JSR กรณี" ถูกใช้เพื่อแสดงถึงผลของการใช้เซนเซอร์ความดันบรรจุเขื่อน-แหวนและเสียสละแทนใกล้ ตามลำดับ ในรูป 9(a) การตอบสนองที่คำนวณได้เส้นโค้งของรูปแบบ FE ดีตกลงกับโค้งวัดการตอบสนองของเซนเซอร์ความดันบรรจุสำหรับทั้งสองวิธีบรรจุภัณฑ์ ดังแสดงในรูป 9(b) มีความขัดแย้งระหว่างรุ่น FE และผลการทดลองสำหรับทั้งสองวิธีบรรจุภัณฑ์ รุ่น FE สมมติที่ packageintroduced การความเครียดเป็นส่วนใหญ่มาจากไม่ตรง CTE ส่วนบรรจุภัณฑ์ ความขัดแย้งอาจมีผลมาจากการวางไม่สมมาตรของเซ็นเซอร์ความดันในกระบวนการบรรจุภัณฑ์การกระจายความเครียดแตกต่างบนเมมเบรนซิลิคอนของเซ็นเซอร์ความดันเปลี่ยนแปลงสุดท้ายแรงดันขาออกของเซนเซอร์ความดัน คุณสมบัติของวัสดุขั้นสุดท้ายของ EMC จะขอมากโดยบ่มสถานการณ์สุดท้าย นอกจากนี้ แบบจำลองเชิงเส้นอย่างง่ายสามารถยังนำไปสู่การความขัดแย้ง [25,26] อย่างไรก็ตาม เอาท์พุตของเซนเซอร์ความดันบรรจุที่ได้รับจากการFE รูปแบบและการทดลองมีแนวโน้มที่คล้ายกัน นอกจากนี้ การเปลี่ยนแปลงความหนาของซิลิโคนจะเมมเบรนเป็น± 10% สำหรับข้อมูลจำเพาะเชิงพาณิชย์ของเซนเซอร์ความดัน piezoresistive นี้ก่อให้เกิดการเปลี่ยนเอาต์พุตของศูนย์ออฟเซตสำหรับเซนเซอร์ความดัน ดังนั้น ศูนย์ชดเชยแรงดันไฟฟ้า (ΔV) ของแต่ละเซ็นเซอร์ความดันมีค่าไม่เป็นศูนย์ และแตกต่างจากเซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ การตั้งค่าการแสดงผลของสัญญาณของการความดันเซ็นเซอร์บนการแสดงผลแรงดันทั้งแรงดันและอุณหภูมิระยะ ชุดเสมอเพิ่มตัวต้านทานในวงจรตรวจจับการเปลี่ยนผลลัพธ์ตรงข้ามศูนย์ของเซ็นเซอร์ความดันไประบุค่าศูนย์ออฟเซตบวก ตรงกันข้าม แรงดันขาออกของเซนเซอร์ความดันถูกจับโดยตรงจากผลลัพธ์ของวีตสโตนบริดจ์ (โดยไม่ต้องเพิ่มต้านทานชุด) นี้อธิบายทำไมสัญญาณของเซนเซอร์ความดันอาจครอบคลุมช่วงของแรงดันไฟฟ้าบวก และลบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 9 แสดงให้เห็นถึงการคำนวณและวัดแรงดันการส่งออกของเซนเซอร์ความดันบรรจุใน
ช่วงความดันของ 0-6.9 × 103 Pa และช่วงที่อุณหภูมิ 25-85 องศาเซลเซียส ป้ายข้อมูลที่สัญลักษณ์
"SU-8 กรณี" และ "กรณี JSR" ถูกนำมาใช้เพื่อเป็นตัวแทนผลมาจากเซ็นเซอร์ความดันบรรจุโดยใช้
เขื่อนแหวนและการเสียสละทดแทนวิธีการตามลำดับ ในรูปที่ 9 (ก) การตอบสนองการคำนวณ
เส้นโค้งของรูปแบบ FE ดีเห็นด้วยกับการตอบสนองของเส้นโค้งวัดเซ็นเซอร์ความดันบรรจุสำหรับ
ทั้งสองวิธีการบรรจุภัณฑ์ ดังแสดงในรูปที่ 9 (ข) มีความแตกต่างระหว่างรุ่น fe และผลการทดลองสำหรับทั้งวิธีการบรรจุภัณฑ์ รุ่น FE สันนิษฐานว่า packageintroduced
ความเครียดเป็นส่วนใหญ่มาจากการไม่ตรงกัน CTE ของส่วนประกอบของบรรจุภัณฑ์ ความแตกต่างอาจ
มีผลมาจากตำแหน่งที่ไม่สมมาตรของเซ็นเซอร์ความดันในกระบวนการบรรจุภัณฑ์
ตั้งแต่การกระจายความเครียดที่แตกต่างกันบนแผ่นซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันเปลี่ยนสุดท้าย
แรงดันเอาท์พุทของเซ็นเซอร์ความดัน คุณสมบัติของวัสดุสุดท้ายของอีเอ็มซีที่มีความโดดเด่นอย่างมาก
จากภาวะการบ่มสุดท้าย นอกจากนี้ยังมีรูปแบบเชิงเส้นง่ายนอกจากนี้ยังอาจนำไปสู่
​​ความแตกต่าง [25,26] อย่างไรก็ตามผลของสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดันบรรจุที่ได้จาก
รุ่น fe และการทดสอบมีแนวโน้มที่คล้ายกัน นอกจากนี้การเปลี่ยนแปลงความหนาของซิลิกอน
เมมเบรนเป็น± 10% สำหรับสเปคเชิงพาณิชย์ของเซ็นเซอร์ความดัน piezoresistive นี้ก่อให้เกิดการ
เปลี่ยนแปลงในการส่งออกศูนย์ชดเชยสำหรับเซ็นเซอร์ความดัน ดังนั้นการชดเชยแรงดัน (ΔV) ของแต่ละศูนย์
เซ็นเซอร์ความดันไม่ใช่ศูนย์ที่คุ้มค่าและแตกต่างจากเซ็นเซอร์ตรวจจับ การตั้งค่าสัญญาณของ
เซ็นเซอร์ความดันเสมอในเอาท์พุทแรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกในทุกความดันและอุณหภูมิช่วงชุด
ต้านทานจะถูกเพิ่มในวงจรการตรวจจับที่จะเปลี่ยนการส่งออกที่ศูนย์ offset ของเซ็นเซอร์ความดันที่จะ
บวกค่าเป็นศูนย์ชดเชยระบุ . ในทางตรงกันข้ามแรงดันเอาท์พุทของเซ็นเซอร์ความดันถูกจับได้
โดยตรงจากการส่งออกของสะพาน Wheatstone (ไม่เพิ่มความต้านทานซีรีส์) นี้จะอธิบาย
ว่าทำไมสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดันอาจครอบคลุมช่วงของแรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกและเชิงลบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 9 แสดงผลคำนวณและวัดแรงดันไฟฟ้าของเซ็นเซอร์ความดันที่บรรจุในช่วงความดันจาก 0 – 6 × 103 PA และอุณหภูมิในช่วง 25 - 85 องศา ข้อมูลป้ายสัญลักษณ์" กรณี " SU-8 และ " กรณี " JSR จะใช้เพื่อแสดงผลของชุดเซ็นเซอร์แรงดันโดยใช้เขื่อนและเสียสละแทนแหวนแนว ตามลำดับ ในรูปที่ 9 ( ) , ค่าการตอบสนองเส้นโค้งของ Fe แบบวัดการตอบสนองดี เห็นด้วยกับเส้นโค้งของความดันบรรจุเซนเซอร์สำหรับทั้งบรรจุภัณฑ์แนว ดังแสดงในรูปที่ 9 ( b ) มีความขัดแย้งระหว่าง Fe แบบจำลองและผลการทดลองทั้งบรรจุภัณฑ์แนว เหล็กรูปแบบสันนิษฐานว่า packageintroducedความเครียดเป็นส่วนใหญ่จาก ETC ไม่ตรงกันของส่วนประกอบของบรรจุภัณฑ์ ความขัดแย้งที่อาจมีสาเหตุมาจากการไม่สมมาตรของตัวตรวจจับความดันในกระบวนการบรรจุเนื่องจากความเครียดการแจกแจงแตกต่างกันในซิลิคอนชนิดของเซ็นเซอร์เปลี่ยนครั้งสุดท้ายแรงดันจากเซ็นเซอร์ด้วย สุดท้าย คุณสมบัติวัสดุของอีเอ็มซีจะขอครอบงำโดยสุดท้ายรักษาสถานการณ์ นอกจากนี้ จีนยังสนับสนุนการเชิงเส้นรูปแบบความขัดแย้ง [ 25,26 ] อย่างไรก็ตาม สัญญาณเอาท์พุทของความดันบรรจุเซนเซอร์ที่ได้รับจากเหล็กรูปแบบและการทดลองมีแนวโน้มที่คล้ายคลึงกัน นอกจากนี้ การแปรผันของความหนาของซิลิคอนเมมเบรน± 10% สำหรับคุณสมบัติเชิงพาณิชย์ของดันเซ็นเซอร์ Piezoresistive . ลักษณะนี้กะออก ตรงข้ามศูนย์สำหรับเซ็นเซอร์ความดัน ดังนั้น ศูนย์ชดเชยแรงดัน ( V Δ ) ของแต่ละเซ็นเซอร์ความดันที่ไม่ใช่ศูนย์ค่า และแตกต่างจากเซ็นเซอร์ Sensor ตั้งค่าสัญญาณของเซ็นเซอร์แรงดันบวกเสมอในผลผลิตที่ความดันและอุณหภูมิ ช่วง ชุดตัวต้านทานจะถูกเพิ่มในการตรวจวัดวงจรกะศูนย์ชดเชยผลผลิตของความดันเซ็นเซอร์เพื่อระบุบวกศูนย์ชดเชยค่า ในทางตรงกันข้ามแรงดัน output ของเซ็นเซอร์ ถูกจับโดยตรงจากผลผลิตของวีทสโตนบริดจ์ ( โดยไม่ต้องเพิ่มชุดตัวต้านทาน ) นี้อธิบายว่าทำไมสัญญาณของเซ็นเซอร์อาจครอบคลุมช่วงของแรงดันบวกและลบ