working at the frequency of 13.56 M

working at the frequency of 13.56 MHz. The gases were fed into
the chamber through a grounded upper showerhead electrode,
380 mm in diameter. The distance between the electrodes was
55 mm. The bottom electrode with substrates was negatively DC
self-biased due to an asymmetric coupling. The reactor was pumped
down to 10−4 Pa by a turbomolecular pump with a backing rotary
pump. The deposition was carried out with the rotary pump only. The
leak rate including wall desorption was below 0.1 sccm for all the
experiments.
The CPA (98%, Sigma Aldrich) was polymerized in pulsed or continuous
CPA/Ar plasmas (Table 1) at a pressure of 50 Pa and on-time power
of 100 W. For pulsed mode, the pulse duty cycle and repetition frequency
were 33% and 500 Hz, respectively. The bias voltage was in the range
from −5 to −10 V. The flow rate of Ar, 28 sccm, was regulated by an
electronic flow controller Hastings, whereas the flow rate of CPA vapours,
2.0–2.7 sccm, was set by a needle valve. The deposition time
was 60 min. The substrates were sputter-cleaned by pulsed Ar plasma
for 10 min prior to the deposition. Double-side polished single crystal
silicon (c-Si) wafers (b111N, N-type phosphorus doped, resistance
0.5 Ω cm) supplied by ON-Semiconductor, Czech Republic were used
as substrates for the optical and mechanical characterization and XPS
analyses. Round shape glass coverslips (P-LAB a.s.) were used as substrates
for cell cultivation.
2.2. Characterization of thin films
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for the surface (6–9 nm)
chemical characterization of coated c-Si was carried out using an Omicron
non-monochromatic X-ray source (Al Kα, DAR400, output power
270 W) and an electron spectrometer (EA125) attached to a custom
built ultra-high vacuum system. No charge compensation was used.
The quantitative composition was determined from detailed spectra
taken at the pass energy of 25 eV and the electron take off angle of
50°. The maximum lateral dimension of the analysed area was
1.5 mm. The quantification was carried out using XPS MultiQuant
software [34]. The software CasaXPS 2.3.16 was used for the fitting
of XPS atomic signals using convolutions of 30% Lorentzian and 70%
Gaussian profiles. A larger portion of Lorentzian profile led to an improved
agreement between the fit and the experimental data but maximum
30% was used as recommended for the fitting of XPS data on
polymers by Beamson and Briggs [35]. The FWHM was set in the range
1.8–1.9 eV in order to get the smallest as possible width of the peaks.
The films on c-Si were characterized by ellipsometry using a phase
modulated Jobin Yvon UVISEL ellipsometer in the spectral region of
1.5–6.5 eV with angle of incidence of 65°. The data were fitted using a
PJDOS dispersion model for SiO2-like materials and a structural model
of wedge-shaped non-uniform thin film [36]. It allowed determining
the film thickness, thickness nonuniformity and dispersion parameters
determining the spectral dependencies of optical constants. Fourier
transform infrared spectroscopy (FT-IR) of the films on c-Si was carried
out with Bruker Vertex 80v spectrophotometer in the transmission
mode.
A Hysitron TI-950 TriboIndenter equipped with diamond Berkovich
indenter was used in the evaluation of the hardness and elastic modulus
of the deposited thin films. The nanoscale measuring head with resolution
of 1 nN and load noise floor less than 30 nN was used for the measurements.
Quasistatic nanoindentation tests with several partial
unloading (PUL) segments were performed in the range of indentation
loads from 0.1 to 10 mN. The standard Oliver and Pharr [37] approach
was used to evaluate the hardness and elastic modulus of the studied
films. A series of nine tests with 20 unloading segments were performed
in the above mentioned load range at different locations on each sample,
as described in our previous work [38]. The in-situ scanning probe
microscopy (SPM) imaging using the indenter tip was employed for a
precise positioning and surface topography evaluation before and after

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำงานที่ความถี่ 13.56 MHz ก๊าซได้รับหอการค้าผ่านการป่นเล็กน้อยด้านบนฝักบัวแบบใช้ไฟฟ้าในเส้นผ่าศูนย์กลาง 380 มม. มีระยะห่างระหว่างการหุงต55 มม. อิเล็กโทรดล่างกับพื้นผิวถูกส่ง DCตนเองลำเอียงเนื่องจากตัวคลัป asymmetric เครื่องปฏิกรณ์ที่ถูกสูบลง 10−4 ป่าโดยปั๊ม turbomolecular กับโรตารีการสำรองปั๊ม การสะสมถูกดำเนินกับปั๊มโรตารี่เท่านั้น ที่อัตราการรั่วไหลรวมทั้งผนัง desorption ถูกล่าง sccm 0.1 ทั้งนี้การทดลองCPA (98% ซิก Aldrich) ถูก polymerized พัล หรืออย่างต่อเนื่องCPA/Ar plasmas (ตารางที่ 1) ที่ความดัน 50 ป่าและไฟในเวลาปริมาณ 100 สำหรับโหมดพัล ชีพจรหน้าที่วงจรและการทำซ้ำความถี่มี 33% และ 500 Hz ตามลำดับ แรงดันไฟฟ้าตั้งอยู่ในช่วงจาก −5 เพื่อ −10 V อัตราการไหลของ Ar, 28 sccm ถูกควบคุมโดยการอิเล็กทรอนิกส์ควบคุมเฮสติ้งส์ ไหลในขณะที่อัตราการไหลของ CPA vapours2.0 – 2.7 sccm ถูกตั้งค่า โดยวาล์วเข็ม เวลาสะสมมี 60 นาที พื้นผิวถูกล้าง sputter โดยพลาสมา Ar พัลสำหรับ 10 นาทีก่อนที่สะสม สองด้านขัดเดียวคริสตัลรับซิลิคอน (ซีซี) (b111N ฟอสฟอรัสชนิด N doped ต้านทาน0.5 ซม.Ω) มาใช้โดยในสารกึ่งตัวนำ สาธารณรัฐเช็กเป็นพื้นผิวสำหรับการจำแนกแสง และเครื่องจักรกลและ XPSวิเคราะห์ ใช้เป็นพื้นผิวทรงกลมแก้ว coverslips (เอเอสพีแล็บ)for cell cultivation.2.2. Characterization of thin filmsX-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for the surface (6–9 nm)chemical characterization of coated c-Si was carried out using an Omicronnon-monochromatic X-ray source (Al Kα, DAR400, output power270 W) and an electron spectrometer (EA125) attached to a custombuilt ultra-high vacuum system. No charge compensation was used.The quantitative composition was determined from detailed spectrataken at the pass energy of 25 eV and the electron take off angle of50°. The maximum lateral dimension of the analysed area was1.5 mm. The quantification was carried out using XPS MultiQuantsoftware [34]. The software CasaXPS 2.3.16 was used for the fittingof XPS atomic signals using convolutions of 30% Lorentzian and 70%Gaussian profiles. A larger portion of Lorentzian profile led to an improvedagreement between the fit and the experimental data but maximum30% was used as recommended for the fitting of XPS data onpolymers by Beamson and Briggs [35]. The FWHM was set in the range1.8–1.9 eV in order to get the smallest as possible width of the peaks.The films on c-Si were characterized by ellipsometry using a phasemodulated Jobin Yvon UVISEL ellipsometer in the spectral region of1.5–6.5 eV with angle of incidence of 65°. The data were fitted using aPJDOS dispersion model for SiO2-like materials and a structural modelof wedge-shaped non-uniform thin film [36]. It allowed determiningthe film thickness, thickness nonuniformity and dispersion parametersdetermining the spectral dependencies of optical constants. Fouriertransform infrared spectroscopy (FT-IR) of the films on c-Si was carriedout with Bruker Vertex 80v spectrophotometer in the transmissionmode.A Hysitron TI-950 TriboIndenter equipped with diamond Berkovichindenter was used in the evaluation of the hardness and elastic modulusof the deposited thin films. The nanoscale measuring head with resolutionof 1 nN and load noise floor less than 30 nN was used for the measurements.Quasistatic nanoindentation tests with several partialunloading (PUL) segments were performed in the range of indentationloads from 0.1 to 10 mN. The standard Oliver and Pharr [37] approachwas used to evaluate the hardness and elastic modulus of the studiedfilms. A series of nine tests with 20 unloading segments were performedin the above mentioned load range at different locations on each sample,as described in our previous work [38]. The in-situ scanning probemicroscopy (SPM) imaging using the indenter tip was employed for aprecise positioning and surface topography evaluation before and after

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การทำงานที่ความถี่ 13.56 MHz
ก๊าซที่ถูกป้อนเข้าไปในห้องผ่านขั้วไฟฟ้าฝักบัวบนดิน
380 มม ระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าเป็น
55 มม ขั้วไฟฟ้าที่มีพื้นผิวด้านล่างเป็นลบ DC
ตนเองลำเอียงเกิดจากการมีเพศสัมพันธ์ที่ไม่สมมาตร เครื่องปฏิกรณ์ถูกสูบลงไป 10-4 Pa โดยปั๊ม turbomolecular กับการสำรองข้อมูลแบบหมุนปั๊ม การสะสมที่ได้รับการดำเนินการที่มีเครื่องสูบน้ำแบบหมุนเท่านั้น อัตราการรั่วไหลรวมทั้งคายผนังต่ำกว่า 0.1 SCCM สำหรับทุกการทดลอง. สอบบัญชีรับอนุญาต (98% ซิกดิช) ได้รับการ polymerized ในชีพจรหรือต่อเนื่องCPA / พลาสมาเท่น (ตารางที่ 1) ที่ความดัน 50 ป่าและใช้เวลาอยู่กับอำนาจของดับบลิว 100 สำหรับโหมดชีพจรที่รอบการทำงานการเต้นของชีพจรและความถี่ในการทำซ้ำเป็น33% และ 500 เฮิร์ตซ์ตามลำดับ แรงดันไฟฟ้าที่มีอคติอยู่ในช่วงจาก -5 ถึง -10 โวลต์อัตราการไหลของ Ar 28 SCCM ถูกควบคุมโดยการควบคุมการไหลของเฮสติ้งส์อิเล็กทรอนิกส์ในขณะที่อัตราการไหลของไอระเหยสอบบัญชีรับอนุญาตที่2.0-2.7 SCCM ถูกจัดตั้งโดย วาล์วเข็ม เวลาสะสมเป็น 60 นาที พื้นผิวที่ถูกพ่นทำความสะอาดโดยพลาสม่าพัลเท่นเป็นเวลา 10 นาทีก่อนที่จะมีการสะสม ด้านคู่ขัดผลึกเดี่ยวซิลิคอน (c-Si) เวเฟอร์ (b111N ฟอสฟอรัส N-ประเภทเจือความต้านทาน 0.5 Ωซม.) ที่จัดทำโดย ON-เซมิคอนดักเตอร์, สาธารณรัฐเช็กถูกนำมาใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับลักษณะแสงและเครื่องจักรกลและXPS วิเคราะห์ แก้วทรงกลม coverslips (P-LAB เป็น) ถูกนำมาใช้เป็นสารตั้งต้นในการเพาะเลี้ยงเซลล์. 2.2 คุณสมบัติของฟิล์มบางสเปคโทรโฟโตเอ็กซ์เรย์ (XPS) สำหรับผิวหน้า (6-9 นาโนเมตร) ลักษณะทางเคมีของเคลือบค-Si ได้ดำเนินการโดยใช้ไมครอนที่ไม่ใช่สีเดียวแหล่งที่มาเอ็กซ์เรย์(อัลKα, DAR400 ไฟออก270 W) และอิเล็กตรอนสเปกโตรมิเตอร์ (EA125) ที่ติดอยู่กับที่กำหนดเองสร้างระบบสูญญากาศสูงพิเศษ การชดเชยค่าใช้จ่ายไม่ถูกนำมาใช้. องค์ประกอบเชิงปริมาณที่ถูกกำหนดจากสเปกตรัมรายละเอียดการดำเนินการที่ผ่านการใช้พลังงาน 25 eV และอิเล็กตรอนจะปิดมุม 50 องศา มิติด้านข้างสูงสุดของพื้นที่การวิเคราะห์เป็น1.5 มม ปริมาณที่ได้รับการดำเนินการโดยใช้ XPS MultiQuant ซอฟแวร์ [34] CasaXPS 2.3.16 ซอฟแวร์ที่ใช้สำหรับการกระชับของXPS สัญญาณอะตอมใช้ convolutions 30% Lorentzian และ 70% โปรไฟล์เสียน ส่วนขนาดใหญ่ของรายละเอียด Lorentzian นำไปสู่การปรับปรุงข้อตกลงระหว่างพอดีและข้อมูลการทดลองแต่สูงสุดไม่เกิน30% ใช้เป็นที่แนะนำสำหรับการที่เหมาะสมของข้อมูล XPS ในโพลิเมอร์โดยBeamson และบริกส์ [35] FWHM ตั้งอยู่ในช่วง1.8-1.9 eV เพื่อที่จะได้มีขนาดเล็กที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ของความกว้างของยอดเขา. ภาพยนตร์ในคศรีโดดเด่นด้วย ellipsometry โดยใช้ขั้นตอนการปรับJobin Yvon UVISEL ellipsometer ในภูมิภาคสเปกตรัมของ1.5-6.5 eV กับมุมตกกระทบ 65 องศา ข้อมูลการติดตั้งโดยใช้รูปแบบการกระจายตัว PJDOS สำหรับวัสดุ SiO2 เหมือนและรูปแบบโครงสร้างของลิ่มไม่สม่ำเสมอฟิล์มบางๆ [36] มันได้รับอนุญาตการกำหนดความหนาของฟิล์ม, nonuniformity ความหนาและพารามิเตอร์การกระจายการกำหนดอ้างอิงสเปกตรัมของแสงคงที่ ฟูริเยร์เปลี่ยนอินฟราเรด (FT-IR) ของภาพยนตร์ในค-Si ได้ดำเนินการออกมาพร้อมกับspectrophotometer Bruker เวอร์เท็กซ์ 80v ในการส่งผ่านโหมด. Hysitron TI-950 TriboIndenter พร้อมกับเพชร Berkovich หัวกดถูกนำมาใช้ในการประเมินผลของความแข็งและยืดหยุ่นได้ โมดูลัสของฝากฟิล์มบาง หัววัดระดับนาโนที่มีความละเอียด1 nN และพื้นเสียงโหลดน้อยกว่า 30 nN ที่ใช้สำหรับการวัด. Quasistatic ทดสอบ nanoindentation มีบางส่วนหลายถ่าย(PUL) ส่วนที่ได้ดำเนินการอยู่ในช่วงของการเยื้องโหลด0.1-10 mN มาตรฐานโอลิเวอร์และฟาร์ [37] วิธีการที่ใช้ในการประเมินความแข็งและความโมดูลัสความยืดหยุ่นของการศึกษาภาพยนตร์ ชุดของเก้าทดสอบกับ 20 ส่วนที่ถ่ายได้ดำเนินการในช่วงโหลดดังกล่าวข้างต้นในสถานที่ที่แตกต่างกันในแต่ละตัวอย่าง, ตามที่อธิบายไว้ในการทำงานของเราก่อนหน้านี้ [38] ในแหล่งกำเนิดสแกนสอบสวนกล้องจุลทรรศน์ (SPM) การถ่ายภาพโดยใช้ปลายหัวกดถูกจ้างสำหรับตำแหน่งที่แม่นยำและการประเมินผลพื้นผิวภูมิประเทศก่อนและหลัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทำงานที่ความถี่ 13.56 MHz ก๊าซที่ถูกป้อนเข้าห้องผ่านทางสายดินบน

showerhead ขั้วไฟฟ้า 380 มม. ระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าคือ
55 มิลลิเมตร ขั้วล่างกับพื้นผิวใน DC
ตนเองลำเอียงเนื่องจากมีการเชื่อมต่อแบบอสมมาตร เครื่องปฏิกรณ์ถูกสูบ
ลง 10 − 4 PA โดยปั๊ม turbomolecular ด้วยการสนับสนุนโรตารี่
ปั๊มให้การดำเนินการกับโรตารี่ปั๊มเท่านั้น
รั่วคะแนนรวมทั้งผนังดูดซับต่ำกว่า 0.1 sccm สำหรับการทดลองทั้งหมด
.
CPA ( 98% ซิกม่า Aldrich ) เป็นโพลิเมอร์ในพัลหรือต่อเนื่อง
CPA / AR พลาสมา ( ตารางที่ 1 ) ที่ความดันของ PA 50 และ 100 W .
พลังในเวลาสำหรับการโหมดชีพจรหน้าที่และวงจรซ้ำ
เป็น 33% และความถี่ 500 Hz ตามลำดับความต่างศักย์อยู่ในช่วงจาก−− 10
5 V . อัตราการไหลของ AR , 28 sccm ถูกควบคุมด้วยอิเล็กทรอนิกส์ควบคุมการไหล
เฮสติ้ง ในขณะที่อัตราการไหลของไอน้ำ CPA , 2.0 - 2.7 sccm
เป็นชุด โดยเข็มวาล์ว เวลาสะสม
คือ 60 นาที เมื่อถูกพ่นออกทำความสะอาดโดยพัล AR พลาสมา
10 นาทีก่อนที่จะให้การ คู่ด้านขัด
ผลึกเดี่ยวเวเฟอร์ซิลิคอน ( c-si ) ( b111n ทั่วไปฟอสฟอรัส , เจือ , ต้านทาน
0.5 Ωซม. ) จัดโดยในสารกึ่งตัวนำ , สาธารณรัฐเช็ก ถูกใช้เป็นวัสดุในลักษณะแสง

และเชิงกลและ XPS การวิเคราะห์ . รูปร่างกลมแก้ว coverslips ( p-lab AS ) ที่ใช้สำหรับการเพาะเลี้ยงเซลล์พื้นผิว
.
2.2 . การศึกษาคุณสมบัติของฟิล์มบาง
เครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ) สำหรับผิวหน้า ( 6 – 9 nm )
ลักษณะทางเคมีของ c-si เคลือบได้ดําเนินการโดยใช้โอเอซิส
ไม่ monochromatic แหล่งกำเนิดรังสีเอ็กซ์ ( อัล เคα dar400 พลังงาน 270 , ,
w ) และอิเล็กตรอนสเปคโตรมิเตอร์ ( ea125 ) ติดเอง
สร้างระบบสูญญากาศสูงพิเศษ . ไม่มีค่าธรรมเนียมการใช้ องค์ประกอบเชิงปริมาณวิเคราะห์

จากข้อมูลสเปกตรัมถ่ายที่ส่งผ่านพลังงาน 25 อิเล็กตรอนโวลต์และอิเล็กตรอนออกมุม
50 องศา . ได้สูงสุดขนาดของพื้นที่การใช้
1.5 มิลลิเมตร ส่วนปริมาณการใช้ XPS multiquant
ซอฟต์แวร์ [ 34 ] ซอฟต์แวร์ casaxps 2.3.16 ใช้กระชับ
ของ XPS อะตอมของสัญญาณที่ใช้ convolutions lorentzian 30% และ 70%
โปรไฟล์เสียน .ขนาดใหญ่ส่วนของโปรไฟล์ lorentzian นำไปสู่การปรับปรุง
ความตกลงระหว่างพอดีและการทดลอง แต่สูงสุด
30% ใช้เป็นแนะนำสำหรับกระชับข้อมูล XPS ในพอลิเมอร์โดย beamson บริกส์
และ [ 35 ] ส่วน FWHM ถูกตั้งขึ้นในช่วง
1.8 – 1.9 EV เพื่อที่จะได้รับที่เล็กที่สุดมีความกว้างที่สุดของยอดเขา .
ภาพยนตร์ที่เกี่ยวกับ c-si ถูก characterized โดยลิปโซมิตรีใช้เฟส