Fig. 1 shows the XRD patterns of Si

Fig. 1 shows the XRD patterns of SiC–TiO2 samples prepared by
sol–gel method and after thermal treatment at 450 ◦C. According
to XRD results, the presence of only TiO2 (anatase phase) and SiC is
detected in all samples. The presence of anatase is more evident as
the amount of TiO2 increases (SG3 > SG2 > SG1), while intensity of
SiC peaks decreases as SiC content decreases

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 1 แสดงรูปแบบ XRD อย่าง SiC – TiO2 โดยวิธีโซลเจลและหลัง จากรักษาความร้อนที่ 450 ◦C ตามการผล XRD สถานะของ TiO2 เท่านั้น (ระยะ anatase) และ SiCตรวจพบในตัวอย่างทั้งหมด ของ anatase จะปรากฏชัดมากขึ้นเป็นเพิ่มปริมาณ TiO2 (SG3 > SG2 > SG1), ในขณะที่ความเข้มของซิลิก้อนยอดลดเป็นลดเนื้อหา SiC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 1 แสดงให้เห็นถึงรูปแบบ XRD ของกลุ่มตัวอย่างดังนี้-TiO2
ที่เตรียมโดยวิธีโซลเจลและหลังการรักษาความร้อนที่450 ◦C ตามผลการ XRD การปรากฏตัวของเพียง TiO2 (เฟสแอนาเทส) และ SiC มีการตรวจพบในตัวอย่างทั้งหมด การปรากฏตัวของแอนาเทสที่เห็นได้ชัดมากขึ้นตามปริมาณของการเพิ่มขึ้นของ TiO2 (SG3> SG2> SG1) ในขณะที่ความรุนแรงของยอดSiC ลดลงตามการลดลงของเนื้อหาดังนี้