2.3. The (Si-Dy) systemExperimental

2.3. The (Si-Dy) system
Experimental data of the (Si-Dy) phase diagram are shown in
figure 13. Eremenko et al. [56] investigated the phase diagram of
this system in the whole composition range using DTA, XRD and
metallography techniques. The alloys were prepared from
99.91 wt.% Dy and 99.999 wt.% Si by arc melting under purified
argon and homogenised for 200 h at 1000 C in tantalum crucibles
under purified argon. The existence of seven compounds (DySi2-a
(a  0.18), DySi2-b (b  0.33), Dy4Si5, DySi, DySi1-x (x  0.02),
Dy5Si4 and Dy5Si3) and corresponding invariant reactions were
established. The DySi and Dy5Si3 congruently melted at (1890
and 1880) C, respectively, and the DySi2-a, DySi2-b, DySi1-x and
Db5Si4 formed by peritectic reactions at (1430 ± 5) C, 1635 C,
1780 C and 1830 C, respectively. The Dy4Si5 was decomposed
by a eutectoid reaction at 1350 C. It was also suggested that the
DySi1-x were decomposed by a peritectoid reaction between
(1400 and 600) C (the phase was found in the alloys annealed at
1400 C, but it was not observed in the alloys annealed at
600 C). The polymorphic transformation of DySi2-b was determined
to occur at 760 C. Three eutectic reactions were found:
L?DySi2-a + Si at 1215 C and 0.17 mole fraction Dy, L?
Dy5Si4 + DySi1-x at 1780 C and 0.55 mole fraction Dy and
L?Dy + Dy5Si3 at 1180 C and 0.875 mole fraction Dy. Prior to
the study of Eremenko et al. [56], it was reported that DySi2 melted
at about 1550 C [22,24] and 1500 C [23], and the polymorphic
transformation of DySi2 occurred at about (540 ± 40) C (high-temperature
XRD) [25]. Copeland and Kato [19] suggested that the
eutectic reaction between Dy and Dy5Si3 occurred at 1165 C and
0.89 mole fraction of Dy and the Si solubility in Dy was less than
0.2 wt.% Si (0.011 mole fraction of Dy). The eutectic reaction
between Si and DySi2 was estimated to occur at 1195 C and
0.17 mole fraction of Dy [21]. Gorbachuk and Bolgar [57] reported
from their heat content measurement, the melting and the
polymorphic transformation temperatures and enthalpy of transition
of DySi2 to be about (1455 ± 40) C, (464 ± 19) C and
(2 ± 0.8) kJ  mol1, respectively. Later, Gorbachuk [28] modified
polymorphic transformation temperature and enthalpy of DySi2
to be 490 C and 2.3 kJ  mol1 using a quantitative DTA.
Furthermore, Roger et al. [58] refined the compound Dy4Si5 [56]
from X-ray single crystal data to be Dy3Si4.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.3.ระบบ (ซี-Dy)แสดงข้อมูลทดลองของไดอะแกรมระยะ (สี่-Dy)รูปที่ 13 Eremenko et al. [56] ตรวจสอบเฟสไดอะแกรมของระบบนี้ในช่วงองค์ประกอบทั้งหมดที่ใช้ DTA, XRD และแรงดึงเทคนิค โลหะผสมถูกเตรียมจาก99.91 wt.% Dy และ 99.999 wt.% ศรี โดยอาร์คละลายภายใต้ศูนย์คุ้มครองฯอาร์กอน และ homogenised สำหรับ h 200 ที่ 1000 C ใน crucibles แทนทาลัมภายใต้อาร์กอนบริสุทธิ์ การดำรงอยู่ของสารประกอบเจ็ด (DySi2-a(เป็น 0.18), DySi2-b (b 0.33), Dy4Si5, DySi, DySi1-x (x 0.02),Dy5Si4 และ Dy5Si3) และปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องไม่เปลี่ยนแปลงก่อตั้งขึ้น DySi และ Dy5Si3 congruently หลอมที่ (1890และ 1880) C ตาม ลำดับ และใน DySi2- DySi2-b, DySi1 x และDb5Si4 ก่อตั้งขึ้น โดยปฏิกิริยา peritectic ที่ (1430 จาก± 5) C, 1635 Cค.ศ. 1780 C และ 1830 C ตามลำดับ Dy4Si5 ถูกย่อยสลายไปโดยปฏิกิริยา eutectoid ที่ 1350 C. เขายังแนะนำที่DySi1 x ถูกย่อยสลายไป โดยปฏิกิริยา peritectoid ระหว่าง(ระยะที่พบในโลหะผสม annealed ที่ C (1400 และ 600)1400 C แต่ไม่พบในโลหะผสม annealed ที่600 C) กำหนดแปลง polymorphic บี DySi2การที่ค. 760 พบปฏิกิริยา eutectic ที่สาม:LDySi2 a + ศรีเศษส่วนโมล 0.17 Dy, L และ 1215 CDy5Si4 + DySi1 x 1780 C และเศษส่วนโมล 0.55 Dy และLDy + Dy5Si3 ที่ 1180 C และเศษส่วนโมล 0.875 Dy. ก่อนการศึกษาของ Eremenko et al. [56], มันเป็นรายงาน DySi2 หลอมที่ประมาณ 1550 C [22,24] และ 1500 C [23], และแบบ polymorphicการเปลี่ยนแปลงของ DySi2 เกิดขึ้นที่เกี่ยวกับ (540 ± 40) C (อุณหภูมิสูงXRD) [25] Copeland และนายกาโต [19] แนะนำที่เกิดปฏิกิริยา eutectic ระหว่าง Dy และ Dy5Si3 ที่ 1165 C และเศษส่วนโมล 0.89 Dy และละลายศรีใน Dy ได้น้อยกว่า0.2 wt.% ศรี (เศษส่วนโมล 0.011 ของ Dy) ปฏิกิริยา eutecticระหว่างศรีและ DySi2 ถูกคาดว่าจะเกิดขึ้นที่ 1195 C และเศษส่วนโมล 0.17 ของ Dy [21] รายงาน Gorbachuk และ Bolgar [57]จากความร้อนเนื้อหาประเมิน การละลาย และการpolymorphic การแปลงอุณหภูมิและความร้อนแฝงของการเปลี่ยนแปลงของ DySi2 จะเกี่ยวกับ (1455 นั่นเอง± 40) C, (464 ± 19) C และโมล kJ (2 ± 0.8) 1 ตามลำดับ ภายหลัง การปรับเปลี่ยน Gorbachuk [28]polymorphic การแปลงอุณหภูมิและความร้อนแฝงของ DySi2เป็น 490 C และ 2.3 ลโมล 1 ใช้ DTA เชิงปริมาณนอกจากนี้ Roger et al. [58] กลั่น Dy4Si5 ผสม [56]จากข้อมูลเดียวคริสตัลเอ็กซ์เรย์จะ Dy3Si4

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.3 (Si-Dy) ระบบ
ข้อมูลการทดลอง (Si-Dy) เฟสไดอะแกรมที่แสดงใน
รูปที่ 13. Eremenko และคณะ [56] การตรวจสอบเฟสไดอะแกรมของ
ระบบนี้ในช่วงองค์ประกอบทั้งใช้ DTA, XRD และ
เทคนิคการแปรรูป โลหะผสมที่เตรียมจาก
99.91 น้ำหนัก.% Dy และน้ำหนัก 99.999. ศรี% โดย arc ละลายภายใต้บริสุทธิ์
อาร์กอนและปั่น 200 ชั่วโมงที่อุณหภูมิ 1000 องศาเซลเซียสในถ้วยแทนทาลัม
ภายใต้อาร์กอนบริสุทธิ์ การดำรงอยู่ของเจ็ดสารประกอบ (DySi2-
(? 0.18), DySi2-B (B? 0.33), Dy4Si5, DySi, DySi1-x (x? 0.02),
Dy5Si4 และ Dy5Si3) และปฏิกิริยาคงที่สอดคล้องกัน
จัดตั้งขึ้น DySi และ Dy5Si3 สอดคล้องละลายที่ (1890
และ 1880) องศาเซลเซียสตามลำดับและ DySi2-, DySi2-B, DySi1 x และ
Db5Si4 ที่เกิดขึ้นจากปฏิกิริยาที่ peritectic (1,430 ± 5) องศาเซลเซียส, 1635? C,
1780 องศาเซลเซียสและ 1830 องศาเซลเซียสตามลำดับ Dy4Si5 ถูกย่อยสลาย
โดยปฏิกิริยายูเทคที่ 1,350 องศาเซลเซียส มันก็ยังชี้ให้เห็นว่า
DySi1-x ถูกย่อยสลายโดยการเกิดปฏิกิริยาระหว่าง peritectoid
(1,400 และ 600)? C (ระยะที่พบในโลหะผสมอบที่
1400? C แต่มันก็ไม่ได้ตั้งข้อสังเกตในโลหะผสมอบที่
600 องศาเซลเซียส ) การเปลี่ยนแปลง polymorphic ของ DySi2-B ก็ตัดสินใจ
ที่จะเกิดขึ้นที่ 760 องศาเซลเซียส สามปฏิกิริยายูเทคติกที่พบ:
? L-DySi2 + ศรีที่ 1215 C และ 0.17 ส่วนไฝ Dy, L
? Dy5Si4 + DySi1-x ที่ 1780 C และ 0.55 ส่วนไฝ Dy และ
? L + Dy Dy5Si3 ที่ 1180 ซีและ 0.875 ส่วนไฝ Dy ก่อนที่จะมี
การศึกษาของ Eremenko และคณะ [56] มีรายงานว่า DySi2 ละลาย
ที่อุณหภูมิประมาณ 1,550 องศาเซลเซียส [22,24] และ 1500 องศาเซลเซียส [23] และ polymorphic
การเปลี่ยนแปลงของ DySi2 เกิดขึ้นที่เกี่ยวกับ (540 ± 40) องศาเซลเซียส (อุณหภูมิสูง
XRD) [25] โคปและ Kato [19] บอกว่า
ปฏิกิริยายูเทคติกระหว่าง Dy และ Dy5Si3 เกิดขึ้นที่ 1,165 องศาเซลเซียสและ
0.89 ส่วนโมลของ Dy และการละลายศรี Dy น้อยกว่า
0.2 โดยน้ำหนัก. ศรี% (0.011 ส่วนโมลของ Dy) ปฏิกิริยายูเทคติก
ระหว่างศรี DySi2 เป็นที่คาดว่าจะเกิดขึ้นที่ 1,195 องศาเซลเซียสและ
0.17 ส่วนโมลของ Dy [21] Gorbachuk และ Bolgar [57] รายงาน
จากการตรวจวัดความร้อนของพวกเขาละลายและ
อุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลง polymorphic และเอนทัลปีของการเปลี่ยนแปลง
ของ DySi2 จะเกี่ยวกับ (1,455 ± 40) องศาเซลเซียส (464 ± 19) องศาเซลเซียสและ
(2 ± 0.8) จูล? mol 1 ตามลำดับ ต่อมา Gorbachuk [28] การปรับเปลี่ยน
อุณหภูมิเปลี่ยนแปลง polymorphic และเอนทัลปีของ DySi2
จะเป็น 490 องศาเซลเซียสและ 2.3 กิโลจูล? mol 1 โดยใช้ปริมาณ DTA.
นอกจากนี้โรเจอร์และคณะ [58] การกลั่นสารประกอบ Dy4Si5 [56]
จาก X-ray ข้อมูลผลึกเดี่ยวจะเป็น Dy3Si4

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.3. The (Si-Dy) system
Experimental data of the (Si-Dy) phase diagram are shown in
figure 13. Eremenko et al. [56] investigated the phase diagram of
this system in the whole composition range using DTA, XRD and
metallography techniques. The alloys were prepared from
99.91 wt.% Dy and 99.999 wt.% Si by arc melting under purified
argon and homogenised for 200 h at 1000 C in tantalum crucibles
ภายใต้อาร์กอนบริสุทธิ์ มีอยู่ 7 ชนิด ( dysi2-a
(  0.18 ) dysi2-b ( B  0.33 ) dy4si5 dysi dysi1-x , , ( X  0.02 )
dy5si4 และ dy5si3 ) และปฏิกิริยาค่าคงที่ที่ถูก
ตั้งขึ้น และที่ dysi dy5si3 congruently ละลายที่ ( และ  1880 1890
) C ตามลำดับ และ dysi2-b dysi2-a , dysi1-x
db5si4 เกิดขึ้นโดยปฏิกิริยาเพอริเทคติกและที่ ( 1 ± 5 )  C เป็น 
C1780 C and 1830 C, respectively. The Dy4Si5 was decomposed
by a eutectoid reaction at 1350 C. It was also suggested that the
DySi1-x were decomposed by a peritectoid reaction between
(1400 and 600) C (the phase was found in the alloys annealed at
1400 C, but it was not observed in the alloys annealed at
600 C). The polymorphic transformation of DySi2-b was determined
to occur at 760 C. Three eutectic reactions were found:
L? DySi2-a Si at 1215 C and 0.17 mole fraction Dy, L?
Dy5Si4 DySi1-x at 1780 C and 0.55 mole fraction Dy and
L? Dy Dy5Si3 at 1180 C and 0.875 mole fraction Dy. Prior to
the study of Eremenko et al. [56], it was reported that DySi2 melted
at about 1550 C [22,24] and 1500 C [23], and the polymorphic
transformation of DySi2 occurred at about (540 ± 40) C (high-temperature
XRD) [25]. Copeland and Kato [19] suggested that the
eutectic reaction between Dy and Dy5Si3 occurred at 1165 C and
0.89 mole fraction of Dy and the Si solubility in Dy was less than
0.2 wt.% Si (0.011 mole fraction of Dy). The eutectic reaction
between Si and DySi2 was estimated to occur at 1195 C and
0.17 mole fraction of Dy [21]. Gorbachuk and Bolgar [57] reported
from their heat content measurement, the melting and the
polymorphic transformation temperatures and enthalpy of transition
of DySi2 to be about (1455 ± 40) C, (464 ± 19) C and
(2 ± 0.8) kJ  mol1, respectively. Later, Gorbachuk [28] modified
polymorphic transformation temperature and enthalpy of DySi2
to be 490 C and 2.3 kJ  mol1 using a quantitative DTA.
Furthermore, Roger et al. [58] refined the compound Dy4Si5 [56]
from X-ray single crystal data to be Dy3Si4.