There are a large number and variet

There are a large number and variety of basic fabrication steps used in the production of modern MOS ICs. The same process can be used for the designed of NMOS or PMOS or CMOS devices.The gate material could be either metal or poly-silicon . The most commonly used substrate is bulk silicon or silicon-on-sapphire (SOS). Inorder to avoid the presence of parasitic transistors, variations are brought in the techniques that are used to isolate the devices in the wafer.
The fabrication steps are as follows:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีจำนวนมากและหลากหลายของขั้นตอนการผลิตพื้นฐานที่ใช้ในการผลิตทันสมัย MOS ICs สามารถใช้กระบวนการเดียวกันสำหรับการออกแบบอุปกรณ์ NMOS หรือ PMOS หรือ CMOS ได้ วัสดุประตูอาจเป็นโลหะหรือโพลีซิลิคอน พื้นผิวที่ใช้บ่อยที่สุดคือ กลุ่มซิลิโคนหรือซิลิโคนบนแซฟไฟร์ (SOS) รู้สึก Inorder เพื่อหลีกเลี่ยงการปรากฏตัวของปรสิตทรานซิสเตอร์ การเปลี่ยนแปลงเข้ามาในเทคนิคที่ใช้ในการแยกอุปกรณ์ในการเวเฟอร์ขั้นตอนการผลิตดังต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีจำนวนมากและความหลากหลายของขั้นตอนการผลิตพื้นฐานที่ใช้ในการผลิตที่ทันสมัย ​​MOS ของวงจรรวมที่มี กระบวนการเดียวกันสามารถนำมาใช้สำหรับการออกแบบของ NMOS หรือพีมอสหรือวัสดุประตู CMOS devices.The สามารถเป็นได้ทั้งโลหะหรือโพลีซิลิกอน สารตั้งต้นที่ใช้กันมากที่สุดคือซิลิกอนเป็นกลุ่มหรือซิลิกอน-on-ไพลิน (SOS) . inorder เพื่อหลีกเลี่ยงการปรากฏตัวของทรานซิสเตอร์ปรสิตรูปแบบจะถูกนำเทคนิคในการที่จะใช้ในการแยกอุปกรณ์ในเวเฟอร์ที่
ขั้นตอนการผลิตมีดังนี้: