The WS2 nanoflakes based chemiresis

The WS2 nanoflakes based chemiresistive-type sensors were fabricated by dip-coating method. The as-milled WS2 nanoflakes were thus deposited on an alumina substrate preprinted with interdigitated gold electrodes (electrode gap: 200 micrometers). The chemiresistive sensors were tested in a sealed chamber in which different concentrations of analytes could be achieved by vaporizing the corresponding liquids [12], [24], [25] and [26]. The resistance of the chemical sensors was measured by using the digital electromultimeter (Agilent 34410A, USA). The response (Rs) of the sensor is defined as the ratio of Ra to Rg, where Ra and Rg are the resistance of the sensor in air and in analytes, respectively. The time taken by the resistor to ramp from Ra to Ra + 90% (Rg − Ra) is defined as the response time, tres, when the sensor is exposed to the analytes. The time taken by the resistor to change from Rg to Rg-90% (Rg − Ra) is defined as the recovery time, trecov, when the sensor is retrieved from the analytes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซนเซอร์ชนิด chemiresistive nanoflakes คะแนน WS2 ถูกประดิษฐ์ โดยวิธีชุบเคลือบ จึงได้ฝาก nanoflakes WS2 เป็นแป้งบนพื้นผิวอลูมินาที่พิมพ์ล่วงหน้ากับอิเล็กโทรดทอง interdigitated (gap ขั้วไฟฟ้า: 200 ไมโครเมตร) เซ็นเซอร์ chemiresistive ทดสอบในห้องที่ปิดสนิทที่ความเข้มข้นแตกต่างกันของ analytes สามารถทำได้ โดย vaporizing แปลงที่สอดคล้องกันของเหลว [12], [24], [25] [26] และ ความต้านทานของเซ็นเซอร์เคมีซึ่งวัดได้ โดยใช้ electromultimeter ดิจิตอล (Agilent 34410A สหรัฐอเมริกา) การตอบสนอง (อาร์เอส) ของเซนเซอร์ถูกกำหนดเป็นอัตราส่วนของ Ra กับ Rg, Ra และ Rg ความต้านทานของเซ็นเซอร์ ในอากาศ และ ใน analytes ตามลำดับ เวลาที่ใช้ โดยตัวต้านทานที่ทางลาด Ra Ra + 90% (Rg − Ra) ถูกกำหนดให้เป็นเวลาตอบรับ tres เมื่อเซ็นเซอร์สัมผัสกับสารวิเคราะห์ เวลาที่ถ่าย ด้วยตัวต้านทานที่เปลี่ยนแปลงจาก Rg กับ Rg - 90% (Rg − Ra) มีกำหนดเป็นระยะเวลาฟื้นตัว trecov เมื่อเซ็นเซอร์ถูกดึงจากสารวิเคราะห์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

nanoflakes WS2 ตามเซ็นเซอร์ chemiresistive ชนิดถูกประดิษฐ์โดยวิธีการจุ่มเคลือบ nanoflakes WS2 เป็นแป้งมีเงินจึงอยู่บนพื้นผิวอลูมิ preprinted กับขั้วไฟฟ้าทอง interdigitated (ช่องว่างอิเล็กโทร: 200 ไมโครเมตร) เซ็นเซอร์ chemiresistive ได้รับการทดสอบในห้องที่ปิดสนิทในที่ที่มีความเข้มข้นแตกต่างกันของสารสามารถทำได้โดยการระเหยของเหลวที่สอดคล้องกัน [12] [24] [25] และ [26] ความต้านทานของเซ็นเซอร์วัดทางเคมีโดยใช้ electromultimeter ดิจิตอล (Agilent 34410A, สหรัฐอเมริกา) การตอบสนอง (อาร์เอส) ของเซ็นเซอร์จะถูกกำหนดเป็นอัตราส่วนของ Ra เพื่อ Rg ที่ Ra และ Rg มีความต้านทานของเซ็นเซอร์ในอากาศและในการวิเคราะห์ตามลำดับ เวลาที่ถ่ายโดยต้านทานทางลาดจากระ Ra + 90% (Rg - Ra) ถูกกำหนดให้เป็นเวลาตอบสนอง, Tres เมื่อเซ็นเซอร์สัมผัสกับวิเคราะห์จึงทำให้ เวลาที่ถ่ายโดยต้านทานจะเปลี่ยนจากการ Rg RG-90% (Rg - Ra) ถูกกำหนดให้เป็นเวลาการกู้คืน, trecov เมื่อเซ็นเซอร์จะถูกดึงจากวิเคราะห์จึงทำให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ ws2 nanoflakes ใช้เซนเซอร์ชนิด chemiresistive ถูกประดิษฐ์โดยวิธีจุ่มเคลือบ . เป็นสาร ws2 nanoflakes ) จึงฝากบนอะลูมิ preprinted กับขั้วไฟฟ้า ( electrode ทองไหลของแก๊สช่องว่าง : 200 ไมโครเมตร ) เซ็นเซอร์ chemiresistive ทดสอบในห้องปิดที่ระดับความเข้มข้นของสารที่วิเคราะห์ได้โดย vaporizing ที่ของเหลว [ 12 ] , [ 24 ] , [ 25 ] และ [ 26 ] ความต้านทานของสารเคมี โดยใช้เซ็นเซอร์วัด electromultimeter ดิจิตอล ( Agilent 34410a , USA ) การตอบสนอง ( RS ) ของเซนเซอร์ หมายถึง อัตราส่วนของ RG RG มีรา ที่ รา และความต้านทานของเซ็นเซอร์ในอากาศและสาร ตามลำดับ เวลาที่ถ่ายโดยตัวต้านทานจะทางลาดจาก RA RA + 90% ( RG − Ra ) หมายถึง การตอบสนองเวลา สาม เมื่อเซ็นเซอร์สัมผัสกับสาร . เวลาที่ถ่ายโดยตัวต้านทานจะเปลี่ยนแปลงจากการ rg-90 % ( RG RG − Ra ) หมายถึงการกู้คืนเวลา trecov เมื่อเซ็นเซอร์ถูกดึงจากสาร .