followed by preparative TLC on SiO2

followed by preparative TLC on SiO2(CHCl3 was utilized instead of CH2Cl2 to avoid artefacts).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตาม ด้วย preparative TLC บน SiO2 (CHCl3 ถูกใช้แทน CH2Cl2 เพื่อหลีกเลี่ยงสิ่งประดิษฐ์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามมาด้วยการจัดเตรียม TLC บน SiO2 (CHCl3 ถูกนำมาใช้แทนการ CH2Cl2 เพื่อหลีกเลี่ยงสิ่งประดิษฐ์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามด้วยค่า TLC บน SiO2 ( chcl3 ถูกนำมาใช้แทน ch2cl2 หลีกเลี่ยงสิ่งประดิษฐ์ )