Before the testing in the etching s

Before the testing in the etching step, the experiment parts were prepared by lift-off technique which went through the following steps; coated 10 um wet photo-resist on 3” AlTiC wafer, photolithography for pattern the mask, developed the mask, deposited NiCr (90% of Ni and 10% of Cr) 250nm thickness by sputtering technique and finally removed the wet photo-resist.
The 3” of AlTiC wafers with a patterned NiCr mask are etched in a STS Multiplex-Pro Air Bearing Etch (high density) ICP system as illustrated in Fig. 1.
The system consisted of an rf 13.56 MHz generator which is capable up to 3kW output applied to inductive coil, used for igniting the plasma (The amount of rf power applied to inductive coil is called “coil power”).
A lower output generator (1.5kW maximum) rf 13.56 MHz applied to the platen electrode which held the substrate inside the chamber, was used to bias the substrate and enabled the independent bias control of the substrate (The amount of rf power applied to platen electrode is called “platen power”).
The etched wafers were determined the etching removal of both AlTiC and NiCr mask by stylus profiling technique (KLA-Tencor) and Scanning Electron Microscope (SEM) model XL30S FEG,Philips.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนการทดสอบในขั้นตอนการกัด ชิ้นส่วนทดลองที่เตรียม โดยเทคนิค lift-off ซึ่งไปขั้นตอนต่อไปนี้ เคลือบ 10 เปียกอึมภาพต้านทานบน 3" AlTiC wafer, photolithography สำหรับลายพราง พัฒนารูปแบบการฝากเงินหนา 250nm NiCr (90% ของ Ni และ 10% ของ Cr) โดยเทคนิคการพ่น และสุดท้าย เอาภาพต่อต้านเปียก3" ของ AlTiC รับกับ NiCr เป็นลวดลายรูปแบบที่ฝังในระบบ ICP STS ล็ก Pro อากาศแบริ่งกัด (ความหนาแน่นสูง) ดังที่แสดงใน Fig. 1 ระบบประกอบด้วย rf เป็นเครื่องกำเนิดไฟฟ้า 13.56 MHz ซึ่งจะสามารถได้ผล 3kW ใช้ขดลวดเหนี่ยว ใช้สำหรับ igniting พลาสม่า (จำนวนพลังงาน rf กับขดลวดเหนี่ยวเรียกว่า "coil ไฟ") การสร้างผลผลิตต่ำ (1.5 kw สูงสุด) rf 13.56 MHz กับอิเล็กโทรดบนแท่นกระจกซึ่งจัดขึ้นพื้นผิวภายในท่อ ใช้ bias กับพื้นผิว และเปิดใช้งานตัวควบคุมตั้งอิสระของพื้นผิว (จำนวนพลังงาน rf กับไฟฟ้าบนแท่นกระจกอยู่เรียกว่า "บนแท่นกระจกพาวเวอร์")รับสลักได้กำหนดเอากัดของหน้ากาก AlTiC และ NiCr โดยสไตลัสสร้างโพรไฟล์เทคนิค (ภูหินร่องกล้า-Tencor) และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) รุ่น XL30S FEG ฟิลิปส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนการทดสอบในขั้นตอนการแกะสลักที่ส่วนการทดลองที่ถูกจัดทำขึ้นโดยใช้เทคนิคการยกออกจากที่ไปผ่านขั้นตอนดังต่อไปนี้ เคลือบหนอ 10 ภาพต่อต้านเปียกเมื่อวันที่ 3 "เวเฟอร์ Altic, photolithography สำหรับรูปแบบหน้ากากพัฒนาหน้ากากฝาก NiCr (90% ของ Ni และ 10% ของ Cr) ความหนาของ 250nm โดยเทคนิคสปัตเตอร์และในที่สุดก็ออกเปียกภาพต่อต้าน
3 "เวเฟอร์ Altic กับหน้ากาก NiCr ลวดลายจะฝังใน Multiplex STS-Pro เครื่องแบริ่งกัด (ความหนาแน่นสูง) ระบบ ICP ดังแสดงในรูปที่ 1.
ระบบประกอบไปด้วยคลื่นความถี่วิทยุ 13.56 MHz เครื่องกำเนิดไฟฟ้าที่มีความสามารถในการแสดงผลแบบ 3kW นำไปใช้ขดลวดเหนี่ยวนำที่ใช้สำหรับจุดไฟติดพลาสม่า (ปริมาณของพลังงาน RF ที่ใช้ในการขดลวดเหนี่ยวนำที่เรียกว่า "อำนาจขดลวด").
เครื่องกำเนิดไฟฟ้าที่ส่งออกลดลง (1.5kW สูงสุด) RF 13.56 MHz นำไปใช้กับขั้วไฟฟ้าแผ่นพื้นผิวที่จัดขึ้นภายในห้องที่ถูกใช้ในการอคติพื้นผิวและเปิดใช้งานการควบคุมความลำเอียงเป็นอิสระของพื้นผิว (ปริมาณของพลังงาน RF ที่ใช้ในการอิเล็กโทรแผ่นเรียกว่า "แผ่น อำนาจ ").
เวเฟอร์สลักได้รับการพิจารณาการกำจัดการแกะสลักของทั้งสอง Altic และหน้ากาก NiCr โปรไฟล์โดยใช้เทคนิคสไตลัส (KLA-Tencor) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) รุ่น XL30S FEG ฟิลิปส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนการทดสอบ ในการก้าว ส่วนการทดลองที่เตรียมไว้ โดยยกออกเทคนิคซึ่งผ่านขั้นตอนต่อไปนี้ เคลือบ 10 เอ่อเปียกภาพต่อต้าน 3 " altic 43 รูปแบบเวเฟอร์ , หน้ากาก , พัฒนารูปแบบ , ฝากเงิน NiCr ( 90% ของฉันและ 10% ของ CR ) 250nm หนาโดยเทคนิคสปัตเตอริงและสุดท้าย ภาพที่ออก
เปียกต่อต้าน3 " เวเฟอร์ altic ด้วยลวดลายผิว Mask จะฝังใน STS มัลติโปรแอร์แบริ่งกัดกร่อน ( ความหนาแน่นสูง ) ระบบ ICP ตามที่แสดงในรูปที่ 1 .
ประกอบด้วยเครื่องกำเนิดไฟฟ้า RF 13.56 MHz ซึ่งมีความสามารถถึง 3kW ผลผลิตใช้ขดลวดแบบใช้สำหรับจุดไฟติดพลาสมา ( ปริมาณของพลังงาน RF ที่ใช้ขดลวดแบบที่เรียกว่า " พลัง " คอยล์ )