, the LO phonon was enhanced greatly which implied the strong contribu การแปล - , the LO phonon was enhanced greatly which implied the strong contribu ไทย วิธีการพูด

, the LO phonon was enhanced greatl

, the LO phonon was enhanced greatly which implied the strong contribution of Fröhlich interaction to the LO phonon scattering efficiency [23]. For the as-grown sample, three evenly spaced Raman modes dominated at around 569, 1138, and 1708 cm− 1, which can be attributed to the nth-order (n = 1, 2, 3) A1(LO) phonons of ZnO, respectively. Interestingly, the intensities of these modes decreased evidently after annealing. The enhancement of the A1(LO) mode, compared to that of the annealed one, may arise from the point defects existing in the as-grown film which can contribute to the RRS processes via defect-induced Raman scattering. In addition, phonon peak red shifts were clearly observed for the A1(LO) and 2A1(LO) modes in the as-grown sample, compared to those of the annealed one, respectively. Considering the previous XRD results that the (002) peak of the as-grown ZnO film shifted slightly upon annealing, as shown in the inset of Fig. 1, the red shifts observed in the Raman peaks may be caused by the tensile stress which probably exists in the as-grown ZnO film deposited on amorphous glass. The weak mode at 321 cm− 1 corresponds to a second-order Raman scattering process, which has been proven to be the E2high− E2low difference mode [16].
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
, phonon ต่ำมีการปรับปรุงอย่างมากซึ่งโดยนัยส่วนแข็งแกร่งของ Fröhlich โต้ตอบประสิทธิภาพ phonon กระเจิงต่ำ [23] สำหรับตัวอย่างที่เป็นโต รามันเว้นระยะเท่า ๆ กันสามโหมดครอบงำที่ประมาณ 569, 1138 และ 1708 cm− 1 ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับใบสั่งที่ n (n = 1, 2, 3) A1(LO) โฟนันส์ของ ZnO ตามลำดับ เรื่องน่าสนใจ ความเข้มของโหมดเหล่านี้ลดลงอย่างเห็นได้ชัดหลังจากการหลอม ของโหมด A1(LO) เมื่อเทียบกับที่หนึ่งอบ อาจเกิดขึ้นจากจุดข้อบกพร่องที่มีอยู่ในฟิล์มโตเป็นซึ่งสามารถนำไปสู่กระบวนการ RRS ผ่านข้อบกพร่องที่เกิดรามัน กระเจิง นอกจากนี้ phonon ยอดแดงกะถูกชัดเจนสังเกตโหมด A1(LO) และ 2A1(LO) ในตัวเป็นโตอย่าง เมื่อเทียบกับของหนึ่งอบ ตามลำดับ พิจารณาก่อนหน้า XRD ผลลัพธ์ที่สูงสุด (002) ของฟิล์ม ZnO โตเป็นเลื่อนขึ้นเล็กน้อยเมื่อหลอม ดังที่แสดงในแทรกรูป 1 กะสีแดงที่พบในยอดรามันอาจเกิดจากความเค้นดึงซึ่งอาจมีอยู่ในแก้วไปฝากที่ฟิล์ม ZnO โตเป็น โหมดอ่อนแอที่ 321 cm− 1 ตรงกับสองสั่งรามันกระจายกระบวนการ ที่ได้รับการพิสูจน์จะเป็นโหมดแตกต่าง E2high− E2low [16]
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
ที่ phonon LO ได้รับการเพิ่มขึ้นอย่างมากซึ่งโดยนัยผลงานที่แข็งแกร่งของการปฏิสัมพันธ์Fröhlichไป LO ประสิทธิภาพ phonon กระเจิง [23] สำหรับตัวอย่างเป็นปลูกสามเว้นระยะเท่ากันโหมดรามันครอบงำอยู่ที่ประมาณ 569, 1138 และ 1708 ซม 1 ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับที่ n-order (n = 1, 2, 3) A1 (LO) โฟนันส์ของซิงค์ออกไซด์ ตามลำดับ ที่น่าสนใจความเข้มของโหมดเหล่านี้ลดลงอย่างเห็นได้ชัดหลังจากการอบ การเพิ่มประสิทธิภาพของโหมด A1 (LO) เมื่อเทียบกับหนึ่งอบอาจเกิดขึ้นจากจุดบกพร่องที่มีอยู่ในหนังเป็นที่ปลูกซึ่งสามารถนำไปสู่​​กระบวนการ RRS ผ่านข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นรามันกระเจิง นอกจากนี้ phonon กะสีแดงยอดเขาถูกตั้งข้อสังเกตได้อย่างชัดเจนสำหรับ A1 (LO) และโหมด 2A1 (LO) ในตัวอย่างเป็นที่ปลูกเมื่อเทียบกับของหนึ่งอบตามลำดับ พิจารณาผลการ XRD ก่อนหน้านี้ว่า (002) จุดสูงสุดของฟิล์มซิงค์ออกไซด์เป็นปลูกขยับเล็กน้อยเมื่อหลอมดังแสดงในภาพประกอบของมะเดื่อ 1, กะสีแดงสังเกตในยอดรามันอาจจะเกิดจากความเครียดแรงดึงที่อาจมีอยู่ในฐานะที่ปลูกฟิล์มซิงค์ออกไซด์วางลงบนแก้วอสัณฐาน โหมดอ่อนแอที่ 321 ซม 1 สอดคล้องกับลำดับที่สองรามันกระบวนการกระเจิงซึ่งได้รับการพิสูจน์แล้วว่าเป็นโหมดที่แตกต่าง E2high- E2low [16]
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
, โล Phonon เพิ่มขึ้นอย่างมากซึ่งโดยนัยผลงานที่แข็งแกร่งของ fr ö hlich ปฏิสัมพันธ์กับโล Phonon กระจายประสิทธิภาพ [ 23 ] สำหรับที่ปลูกตัวอย่าง 3 เว้นระยะเท่ากัน รามัน โหมดครอบงำที่ประมาณ 569 , 138 , และ , 1708 cm − 1 ซึ่งสามารถบันทึกการแลกเพื่อ ( n = 1 , 2 , 3 ) A1 ( LO ) โฟนอนของ ZnO , ตามลำดับ น่าสนใจ ความเข้มของโหมดเหล่านี้ลดลงอย่างเห็นได้ชัดหลังจากการอบ . การเพิ่มประสิทธิภาพของ A1 ( LO ) โหมดเมื่อเทียบกับของอบหนึ่ง อาจเกิดขึ้นจากการชี้ข้อบกพร่องที่มีอยู่ในที่การปลูกฟิล์มซึ่งสามารถมีส่วนร่วมในกระบวนการทาง rrs ข้อบกพร่องและรามันกระจัดกระจาย . นอกจากนี้ Phonon ยอดกะสีแดงอย่างชัดเจน ) A1 ( LO ) และ 2A1 ( LO ) โหมดในที่ปลูกตัวอย่าง เปรียบเทียบกับของอบหนึ่ง ตามลำดับ พิจารณาจากผล XRD ก่อนหน้านี้ ( 002 ) สูงสุดของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มเปลี่ยนเป็นปลูกเล็กน้อยเมื่ออบอ่อน ดังแสดงในรูปที่ 1 ที่ใส่ของ , กะสีแดงที่พบในรามัน ยอดอาจจะเกิดจากแรงดึงซึ่งอาจมีอยู่ในซิงค์ออกไซด์ฟิล์มฝากในสัณฐานเป็นโตแก้ว โหมดอ่อนแอที่ 321 cm − 1 สอดคล้องกับที่สองรามันกระจัดกระจาย กระบวนการที่ได้รับการพิสูจน์แล้วว่าเป็น e2high − e2low ความแตกต่างโหมด [ 16 ]
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: