The iD–vGScharacteristic of an NMOS

The i
D
–v
GS
characteristic of an NMOS transistoroperating in the saturation region. The i
D
–v
OV
characteristic can be obtained by simply re-labelling the horizontal axis; that is, shifting the origin to the
point v
GS
= Vtn
.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไอD-vGSลักษณะของการ transistoroperating NMOS ในภูมิภาคความเข้ม ไอD-vOVลักษณะได้ โดยเพียงแค่ฉลากแกนแนวนอน ใหม่ นั่นคือ ขยับจุดเริ่มต้นของการจุด vGS= Vtn.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฉันD-V GS ลักษณะของ transistoroperating NMOS ในภูมิภาคอิ่มตัว ฉันD -v OV ลักษณะสามารถรับได้โดยเพียงแค่การติดฉลากใหม่แกนนอน; นั่นคือจุดเริ่มต้นขยับไปยังจุดโวGS = Vtn

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผม
D

v
GS ) ลักษณะเป็น nmos transistoroperating ในความอิ่มตัวของภูมิภาค ผม
D
v

ลักษณะที่แตกต่างและสามารถได้รับโดยเพียงแค่แวะแปะแนวนอน คือ เปลี่ยนที่มาถึง
v
= vtn จุด GS