Oxides of Ge, B, Ti, and Sn Clear,

Oxides of Ge, B, Ti, and Sn
Clear, crystalline, and glassy films of several oxides were prepared by microwave discharge decomposition of the corresponding alkyls or alkoxides. Films were produced typically at 0.24 Torr on NaCl substrates (for infrared spectroscopic studies) at 200ºC. Growth rates were very low, about 20 Å/min. Table IV summarizes the M-O band infrared absorption and index of refraction measurements. Thus, these oxides were formed with indices (and presumably densities) very close to their thermal counterparts.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกไซด์ ของ Ge บี ตี้ Sn ชัดเจน ผลึก และฟิตฟิล์มของออกไซด์หลายถูกเตรียม โดยแยกส่วนประกอบจำหน่ายในไมโครเวฟตรง alkyls หรือ alkoxides ฟิล์มถูกผลิตโดยทั่วไปที่ธอร์ 0.24 ใน NaCl พื้นผิว (สำหรับศึกษาด้านอินฟราเรด) ที่ 200ºC อัตราการขยายตัวได้ต่ำมาก ประมาณ 20 Å/นาที IV ตารางสรุปราคา M โอแบนด์อินฟราเรดดูดซับและหักเหของดัชนีวัด ดังนั้น ออกไซด์เหล่านี้ถูกจัดรูปแบบกับดัชนี (ทับแน่น) มากใกล้กับคู่ของพวกเขาร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกไซด์ของจีอี, B, Ti และ Sn
ล้างผลึกและภาพยนตร์เหลือบออกไซด์หลายคนถูกจัดทำขึ้นโดยการสลายตัวปล่อยไมโครเวฟของ alkyls ที่สอดคล้องกันหรือ alkoxides ภาพยนตร์ที่ผลิตโดยทั่วไปที่ 0.24 Torr กับพื้นผิวโซเดียมคลอไรด์ (สำหรับการศึกษาอินฟราเรดสเปกโทรสโก) ที่200ºC อัตราการเติบโตอยู่ในระดับต่ำมากประมาณ 20 A / นาที IV ตารางสรุปการดูดซึมวง MO อินฟราเรดและดัชนีวัดการหักเหของแสง ดังนั้นออกไซด์เหล่านี้ได้เกิดขึ้นกับดัชนี (และน่าจะมีความหนาแน่น) อย่างใกล้ชิดกับคู่ความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ออกไซด์ของ GE , B , TI และ SN
ชัดเจน ผลึก และเหลือบของภาพยนตร์หลายออกไซด์เตรียมไมโครเวฟจำหน่ายการสลายตัวของ alkyls สอดคล้องกันหรือ alkoxides . ภาพยนตร์ที่ผลิตโดยทั่วไปในขนาด 0.24 ทอร์บนพื้นผิว ( สำหรับอินฟราเรดสเปกโทรสโกปีในการศึกษา ) ที่ 200 º C อัตราการขยายตัวต่ำมาก ประมาณ 20 • / minตารางที่ 4 สรุป m-o แถบการดูดกลืนแสงอินฟราเรดและดัชนีการวัดการหักเหของแสง ดังนั้นนักศึกษาเหล่านี้ได้เกิดขึ้นกับดัชนี ( และน่าจะมีความหนาแน่น ) อยู่ใกล้กับ counterparts ความร้อนของพวกเขา .