As the HV content increases,the lat

As the HV content increases,the lattice indexes for the HB crystal expand up to the max-imum (a = 0.602 nm, b = 1.343 nm and c = 0.604 nm) and thecrystal is particularly elongated in the a and b parame-ters; the d spacing in the HB crystal lattice increases. Bycontrast, the HV crystal structure slightly contracts in theb axis but essentially remains unchanged throughout therange [165,190,194,201,203], so that the HB unit can sitin the HV crystal lattice without distorting it. Iwata et al.[204] prepared single crystals of P(3HB-co-8 mol% 3HV)and analyzed their electron diffraction diagrams; it wasfound that the d-spacings for the P(3HB) homopolymerand the P(3HB-co-8 mol% 3HV) copolymer were the same,implying that (R)-3HV units are excluded from the crys-tals and exist mainly on the crystal surfaces during slowcrystallization, with a small proportion acting as a defectgroup in the crystal. In this case, the ethyl side chains ofthe HV component cause the (1 1 0) plane of the HB crystalto expand due to steric effects [172,192].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นเนื้อหา HV เพิ่ม ดัชนีตาข่ายสำหรับคริสตัล HB ขยายได้ถึงสูงสุด-imum (เป็น = 0.602 nm, b = 1.343 nm และ c = 0.604 nm) และ thecrystal จะยาวโดยเฉพาะอย่างยิ่งในการเป็น และบี parame-ters ระยะห่าง d ในการเพิ่มผลึกตาข่าย HB Bycontrast โครงสร้างผลึก HV สัญญา theb แกนเล็กน้อย แต่หลักยังคงไม่เปลี่ยนแปลงตลอด therange [165,190,194,201,203] ให้ได้หน่วย HB sitin HV ตาข่ายโดยไม่บิดเบือนมัน อิวาตะ et al. [204] ผลึกเดี่ยวของ P (3HB-co-8 mol % 3HV) จัดทำ และวิเคราะห์แผนภาพการกระจายของอิเล็กตรอน มัน wasfound ที่ d ระยะปลูกสำหรับลิเมอร์ P(3HB) homopolymerand P (3HB-co-8 mol % 3HV) เดียวกัน หน้าที่ที่หน่วย 3HV (R) จะไม่รวมการให้ tals และอยู่บนคริสตัลส่วนใหญ่ พื้นผิวระหว่าง slowcrystallization ด้วยสัดส่วนขนาดเล็กทำหน้าที่เป็น defectgroup ในคริสตัล ในกรณีนี้ เอทิลโซ่ข้างของคอมโพเนนต์ HV ทำให้ (1 1 0) ระนาบของ HB crystalto ขยายเนื่องจากผลกระทบ steric [172,192]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็น HV เพิ่มขึ้นเนื้อหาดัชนีตาข่ายสำหรับคริสตัล HB ขยายขึ้นไปสูงสุด Imum (A = 0.602 นาโนเมตร, B = 1.343 นาโนเมตรและ C = 0.604 นาโนเมตร) และ thecr​​ystal ยืดออกโดยเฉพาะใน A และ B parame-ters; งระยะห่างใน HB ผลึกตาข่ายเพิ่มขึ้น Bycontrast, โครงสร้างผลึก HV สัญญาเล็กน้อยในแกน theb แต่เป็นหลักยังคงไม่เปลี่ยนแปลงตลอด therange [165.190.194.201.203] เพื่อให้หน่วย HB สามารถ sitin ตาข่ายคริสตัล HV ไม่บิดเบือนมัน . อิวาตะ et al, [204] เตรียมผลึกเดี่ยวของ P (3HB-Co-8 mol% 3HV) และวิเคราะห์แผนภาพอิเล็กตรอนเลี้ยวเบนของพวกเขา; มัน wasfound ว่า D-ระยะปลูกสำหรับ P (3HB) homopolymerand พี (3HB-Co-8 mol% 3HV) ลิเมอร์ได้เหมือนกันหมายความว่า (R) -3HV หน่วยได้รับการยกเว้นจาก crys-ผลึกและมีอยู่เป็นส่วนใหญ่ คริสตัลพื้นผิวในช่วง slowcrystallization มีส่วนเล็ก ๆ ที่ทำหน้าที่เป็น defectgroup ในคริสตัล ในกรณีนี้โซ่ด้านเอทิล ofthe องค์ประกอบ HV ทำให้ (1 1 0) ระนาบของ HB crystalto ขยายเนื่องจากผลกระทบ steric [172,192]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นบทความเนื้อหาเพิ่มขึ้น ดัชนีสำหรับ HB ขัดแตะคริสตัลขยายขึ้นไปสูงสุด imum ( = 0.602 nm , B = 1.343 nm และ C = 0.604 nm ) และ thecrystal เฉพาะอย่างยิ่งยาวใน A และ B parame ters ; D ระยะห่างใน HB แลตทิซผลึกเพิ่มขึ้น bycontrast , HV โครงสร้างผลึกเล็กน้อยสัญญาในแกนหลัก theb แต่ยังคงไม่เปลี่ยนแปลงตลอดช่วง 165190194201203 [ ] เพื่อให้หน่วย HB สามารถซิทอินนี้ขัดแตะคริสตัลไม่บิดเบือนมัน วาตะ et al . [ 204 ] เตรียมผลึกเดี่ยวของ P ( 3hb-co-8 โมล % 3hv ) และวิเคราะห์ของการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนแผนภาพ ; พบว่า d-spacings สำหรับ P ( 3hb ) homopolymerand p ( 3hb-co-8 โมล % 3hv ) PS ก็เหมือนกัน หาว่า ( R ) - หน่วย 3hv แยกออกจากเสื้อ tals และมีอยู่ส่วนใหญ่ในคริสตัล surfaces ระหว่าง slowcrystallization ที่มีสัดส่วนเล็กทำตัวเป็น defectgroup ในคริสตัล ในกรณีนี้ มีโซ่ข้างของ HV ส่วนสาเหตุ ( 1 1 0 ) เครื่องบินของ HB crystalto ขยายเนื่องจากเอผล [ 172192 ]