Fig. 8 shows the storage modulus (G

Fig. 8 shows the storage modulus (G0) as a function of
strain of the PSi-filled NR compounds. Clearly, G0 decreases
with increasing strain amplitude. This is attributed simply
to the disruption of the filler transient network [2,3]. At low
strains where the filler network still exists, the UMS-filled
NR exhibits the highest G0. Apparently, the G0 at low
strain reduces dramatically with increasing degree of
xanthation. This result suggests that the surface treatment
of PSi via the xanthate reaction could successfully reduce

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 8 แสดงโมดูลัสเก็บ (G0) เป็นฟังก์ชันของต้องใช้สารเติม PSi NR เห็นได้ชัด การลดลงของ G0มีความกว้างต้องใช้เพิ่มขึ้น นี้คือบันทึกเพียงเพื่อทีมเครือข่ายชั่วคราวฟิลเลอร์ [2,3] ที่ต่ำที่เครือข่ายฟิลเลอร์ยังคงอยู่ สายพันธุ์ UMS เต็มไปด้วยNR จัดแสดง G0 สูงสุด เห็นได้ชัด G0 ที่ต่ำต้องใช้ลดอย่างมากกับการเพิ่มระดับของxanthation ผลลัพธ์นี้แนะนำที่รักษาพื้นผิวของ PSi ผ่าน xanthate ปฏิกิริยาสามารถสำเร็จลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ โมดูลัสที่ 8 แสดงการจัดเก็บข้อมูล (G0) เป็นหน้าที่ของ
สายพันธุ์ของ PSI ที่เต็มไปด้วยสาร NR เห็นได้ชัดว่า G0 ลด
ความเครียดที่มีความกว้างเพิ่มขึ้น นี่คือโทษเพียงแค่
การหยุดชะงักของฟิลเลอร์เครือข่ายชั่วคราว [2,3] ที่ต่ำ
สายพันธุ์ที่เครือข่ายฟิลเลอร์ยังคงมีอยู่ UMS ที่เต็มไปด้วย
การจัดแสดงนิทรรศการ NR G0 สูงสุด เห็นได้ชัดว่า G0 ที่ต่ำ
จะช่วยลดความเครียดอย่างมากที่มีระดับที่เพิ่มขึ้นของ
xanthation ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าการรักษาพื้นผิว
ของ PSI ผ่านปฏิกิริยา xanthate ประสบความสำเร็จสามารถลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพที่ 8 แสดง storage modulus ( G0 ) เป็นฟังก์ชันของ
สายพันธุ์ของ PSI เติมสารประกอบยางธรรมชาติ . ชัดเจน , G0
เพิ่ม 1 ลดความเครียด เนื่องจากมีเพียง
การหยุดชะงักของฟิลเลอร์ชั่วคราวเครือข่าย [ 2 , 3 ] ในสายพันธุ์ต่ำ
ที่เติมเครือข่ายยังคงมีอยู่ , UMS เต็ม
NR มา G0 สูงสุด Apparently , G0
ที่ต่ำความเครียดลดอย่างมากกับระดับที่เพิ่มขึ้นของ
xanthation . ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าการรักษาพื้นผิว
ของ PSI ทางภูเก็ตปฏิกิริยาลดเรียบร้อยแล้ว