CuO-doped Ba(Zr0.05Ti0.95)O3 (BZT)

CuO-doped Ba(Zr0.05Ti0.95)O3 (BZT) ceramics were prepared using conventional solid state reaction method, and their structure and electrical properties were investigated. It was found that a small amount of CuO could lower the sintering temperature significantly and make their microstructure more densified than pure BZT. The ceramics with 1.2 mol% CuO, sintered at 1250 °C, showed excellent piezoelectric properties with d33~320 pC/N and kp=44%. The sintering temperature was decreased by 150 °C than that for pure BZT ceramics while showing comparable piezoelectric properties. Moreover, the influence of sintering temperature on the optimally 1.2 mol% CuO-doped BZT ceramics was studied. With the temperature change, different patterns of crystal growth were observed in the doped BZT ceramics. When the sintering temperature increased from 1200 °C to 1350 °C, the patterns of normal–abnormal–normal grain growth were changed accordingly.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เจือ CuO บา (Zr0.05Ti0.95) O3 (BZT) เซรามิกวจัดทำขึ้นโดยใช้วิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็งทั่วไป และโครงสร้างและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ถูกตรวจสอบอยู่ พบที่ CuO จำนวนเล็กน้อยอาจลดอุณหภูมิเผาอย่างมาก และทำให้โครงสร้างจุลภาคของตนขึ้นอัดกว่า BZT บริสุทธิ์ เซรามิกส์ 1.2 mol % CuO เผาที่อุณหภูมิ 1250 ° C แสดงให้เห็นคุณสมบัติของ piezoelectric ยอดเยี่ยมกับ d33 ~ พี/N 320 และ kp = 44% อุณหภูมิเผาลด 150 ° C ที่บริสุทธิ์ BZT เซรามิกขณะแสดงคุณสมบัติของ piezoelectric เทียบเคียง นอกจากนี้ เป็นศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิ%โมลอย่างเหมาะสม 1.2 CuO เจือ BZT เซรามิกเผา มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ รูปแบบของคริสตัลถูกตั้งข้อสังเกตในเจือ BZT เซรามิกส์ เมื่ออุณหภูมิเผาเพิ่มขึ้นจาก 1200 ° C เป็น 1350 ° C รูปแบบการเติบโตปกติผิดปกติ – ปกติมีการเปลี่ยนแปลงตามความเหมาะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกไซด์เจือบา (Zr0.05Ti0.95) O3 (BZT) เซรามิกส์ได้จัดทำขึ้นโดยใช้วิธีการแบบเดิมรัฐปฏิกิริยาของแข็งและโครงสร้างและไฟฟ้าคุณสมบัติของพวกเขาได้รับการตรวจสอบ ก็พบว่ามีจำนวนน้อยของออกไซด์สามารถลดอุณหภูมิการเผาอย่างมีนัยสำคัญและทำให้พวกเขาจุลภาคความหนาแน่นสูงกว่า BZT บริสุทธิ์ เซรามิกส์ 1.2 mol% ออกไซด์, เผาที่ 1250 องศาเซลเซียสพบว่ามีคุณสมบัติที่ดีกับ piezoelectric D33 ~ 320 PC / n และ KP = 44% อุณหภูมิการเผาลดลง 150 ° C ไปกว่านั้นสำหรับเซรามิก BZT บริสุทธิ์ในขณะที่แสดงคุณสมบัติ piezoelectric เทียบเคียง นอกจากนี้อิทธิพลของการเผาในอุณหภูมิได้อย่างดีที่สุด 1.2 mol% ออกไซด์เจือเซรามิก BZT ได้ศึกษา กับการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิที่แตกต่างกันรูปแบบของการเจริญเติบโตคริสตัลถูกตั้งข้อสังเกตในเจือเซรามิก BZT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 ( เจือ BA ( zr0.05ti0.95 ) O3 ( ที่มี ) เซรามิก เตรียมใช้วิธีแบบของแข็งปฏิกิริยาและโครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้า คือ พบว่า จำนวนเล็ก ๆของ 2 ( สามารถลดอุณหภูมิการเผาซินเทอร์อย่างมาก และทำให้โครงสร้างจุลภาคของพวกเขามากขึ้นกว่าที่มีเหลืออยู่บริสุทธิ์ . ตัวเครื่องเคลือบด้วย 1.2 โมล % 2 ( เผาที่อุณหภูมิ 1250 องศา C มีคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริกที่ยอดเยี่ยมกับ d33 ~ 320 PC / N และค่า Kp = 44 % การเผาผนึกที่อุณหภูมิ 150 องศา C ลดลงกว่าที่บริสุทธิ์ในขณะที่แสดงคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริกเซรามิกที่มีเปรียบ นอกจากนี้ อิทธิพลของอุณหภูมิซินเทอริงที่เหมาะสม 1.2 โมล % 2 ( เจือเซรามิกที่มีดิน กับการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ รูปแบบต่าง ๆ ของการเจริญเติบโตของผลึกที่พบในเจือที่มีเซรามิก เมื่อเผาที่อุณหภูมิ 1200 ° C จะลดลงจาก 1350 ° C รูปแบบปกติและผิดปกติและปกติการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวมีการเปลี่ยนแปลงตาม