A comprehensive set of physical mod

A comprehensive set of physical models allows for simulating various kinds of advanced
device structures, such as present-day CMOS devices, silicon-on-insulator (SOI) devices,
and hetero-structure devices. Taking into account the atomistic nature of traps and dopants,
Minimos-NT provides reliability and variability modeling of highly scaled transistors such
as bulk planar devices and silicon-on-insulator FinFETs having a channel length of 22nm
or less.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชุดครอบคลุมของแบบจำลองทางกายภาพที่ช่วยให้การจำลองชนิดต่าง ๆ ขั้นสูงโครงสร้างอุปกรณ์ เช่นเหตุการณ์อุปกรณ์ CMOS อุปกรณ์ซิลิคอนบนฉนวนกันความร้อน (ซอย)และอุปกรณ์ hetero-โครงสร้าง คำนึงถึงธรรมชาติ atomistic ดักและ dopantsMinimos-NT มีความน่าเชื่อถือและสร้างโมเดลสำหรับความผันผวนของสูงปรับสัดส่วนให้ได้เช่น transistorsอุปกรณ์จำนวนมากระนาบและ FinFETs ซิลิคอนบนฉนวนไฟฟ้ามีความยาวช่อง 22nmหรือน้อยกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชุดที่ครอบคลุมของแบบจำลองทางกายภาพช่วยให้การจำลองหลายชนิดที่ทันสมัย
​​โครงสร้างอุปกรณ์เช่นปัจจุบันอุปกรณ์ CMOS, ซิลิกอนบนฉนวนกันความร้อน (SOI) อุปกรณ์
และอุปกรณ์ที่แตกต่างมีโครงสร้าง โดยคำนึงถึงธรรมชาติละอองของกับดักและสารเจือปน,
Minimos-NT มีความน่าเชื่อถือและการสร้างแบบจำลองความแปรปรวนของทรานซิสเตอร์ปรับสูงเช่น
เป็นอุปกรณ์ภาพถ่ายจำนวนมากและ FinFETs ซิลิกอนบนฉนวนกันความร้อนที่มีความยาวของช่อง 22nm
หรือน้อยกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชุดครอบคลุมของแบบจำลองทางกายภาพจะช่วยให้เพื่อจำลองชนิดโครงสร้างของอุปกรณ์ขั้นสูง
เช่นอุปกรณ์ปัจจุบัน CMOS ฉนวนในซิลิคอน ( ซอย ) อุปกรณ์และอุปกรณ์อื่น
โครงสร้าง คำนึงถึงธรรมชาติปรมาณูของกับดักและสารเจือ
minimos NT มีความน่าเชื่อถือและการเปลี่ยนแปลงการปรับแรงดันสูงเช่น
เป็นอุปกรณ์ขนาดใหญ่และซิลิคอนระนาบบน finfets ฉนวนมีช่องความยาว 22nm
หรือน้อยกว่า