III. DESIGN OF THE IGBT STACKThe Un

III. DESIGN OF THE IGBT STACK
The University of Missouri—Columbia and Loree Engineering
have designed and built the custom IGBT stack for a
5 kV dc, 1 kW output boost converter as a primary design
application. However, the stack’s switching ability also lends
itself well as a pulsed power solid-state switch, where it can be
modularized for higher voltage or current capability. To characterize
the switch for pulse power applications, resistive-load
pulse tests were utilized to determine the stack’s turn-on time.
The IGBT stack uses six international rectifier (IRF)
IRGP30B120KD-E IGBTs rated at 1200 V and 60 A continuous
current. This IGBT is an NPT-type IGBT, in a TO-247AD
package. The NPT-type IGBTs have been shown to be nearly
ideal for series stack assemblies due to consistent switching
times among NPT devices and minor changes in switching
performance from thermal variations [10]. The stack can theoretically
handle 120-A single-pulse pulses according to the IRF
datasheet ratings. A diagram of the IGBT stack is shown below
in Fig. 1, and a photograph is shown in Fig. 2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

iii การออกแบบของสแต็ค IGBT
มหาวิทยาลัยมิสซูรีโคลัมเบียและวิศวกรรม Loree
ได้ออกแบบและสร้างสแต็ค IGBT ที่กำหนดเองสำหรับกิโลโวลต์ dc
5, 1 กิโลวัตต์แปลงเพิ่มการส่งออกเป็นหลักในการออกแบบโปรแกรม
แต่ความสามารถในการสลับสแต็คที่ยังให้ยืม
ตัวเองเป็นอำนาจชีพจรเปลี่ยนสถานะของแข็งที่จะสามารถ
โมดูลแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นหรือความสามารถในปัจจุบัน ลักษณะ
สวิทช์สำหรับการใช้งานพลังงานชีพจรทานโหลด
ทดสอบชีพจรถูกนำมาใช้เพื่อตรวจสอบสแต็คที่เปิดในเวลา.
กอง IGBT ใช้หก rectifier สากล (IRF)
irgp30b120kd-e IGBTs จัดอันดับที่ 1200 v และ 60 อย่างต่อเนื่อง
ปัจจุบัน . IGBT นี้เป็น IGBT NPT ชนิดในการ 247ad
แพคเกจ IGBTs NPT ประเภทได้รับการแสดงให้เห็นว่าเกือบ
เหมาะสำหรับการประกอบชุดกองเพราะการสลับสอดคล้อง
ครั้งระหว่างอุปกรณ์ NPT และการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในการเปลี่ยน
ประสิทธิภาพจากรูปแบบความร้อน [10] สแต็คที่สามารถจัดการกับทฤษฎี
120-พัเดียวชีพจรตาม irf
คะแนนที่แผ่น แผนภาพของกอง IGBT แสดงอยู่ด้านล่าง
ในมะเดื่อ 1 และภาพที่ปรากฏในภาพ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

III. การออกแบบของเดอะ IGBT กอง
มหาวิทยาลัยมิสซูรี — โคลัมเบียและวิศวกรรม Loree
ได้ออกแบบ และสร้างสแตก IGBT แบบกำหนดเองสำหรับการ
5 kV dc แปลงการเพิ่มผลผลิต 1 กิโลวัตต์เป็นแบบหลัก
แอพลิเคชัน อย่างไรก็ตาม ความสามารถในการสลับของกองยังยืด
เองดีเป็นพลังงานพัลโซลิดสเตตสวิตช์ ซึ่งสามารถ
modularized แรงดันสูงหรือความสามารถในปัจจุบัน การกำหนดลักษณะ
สวิตช์สำหรับชีพจรพลังงานประยุกต์ โหลดหน้า
ชีพจรทดสอบถูกใช้เพื่อกำหนดเวลา turn-on ของกองซ้อน
กอง IGBT ใช้วงจรเรียงกระแสต่างประเทศ 6 (IRF)
IRGP30B120KD-E IGBTs อันดับที่ 1200 V 60 ได้อย่างต่อเนื่องและ
ปัจจุบัน IGBT นี้เป็นการ IGBT ชนิด NPT ในการ-247AD
แพคเกจ มีการแสดง IGBTs ชนิด NPT จะเกือบ
เหมาะสำหรับแอสเซมบลีกองชุดเนื่องจากสอดคล้องสลับ
เวลาอุปกรณ์ NPT และแก้ไขเล็กน้อยสลับ
ประสิทธิภาพจากการเปลี่ยนแปลงความร้อน [10] กองซ้อนสามารถครั้งแรกราคา
จัดการกะพริบชีพจรเดียว 120 A ตาม IRF
อันดับแผ่นได้ ไดอะแกรมของ IGBT กองดัง
Fig. 1 และรูปถ่ายจะแสดงใน Fig. 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

III การออกแบบของ University of IGBT Stack
ของวิศวกรรม of Missouri - Columbia และ loree
มีการออกแบบและสร้างขึ้นซ้อน IGBT ที่กำหนดเองสำหรับไฟ DC 5 kV
ซึ่งจะช่วยเพิ่มผลผลิตที่มีตัวแปลง 1 กิโลวัตต์เป็นหลักการออกแบบ
ซึ่งจะช่วยให้แอปพลิเคชัน แต่ถึงอย่างไรก็ตามยังเป็นกองที่ยังเต็มไปด้วยความสามารถในการสวิตชิ่ง
ซึ่งจะช่วยตัวเองและกำลังใด Intense Pulsed Light ให้ปิดสวิตช์ Solid - State ที่สามารถ
แบบโมดูลช่วยสำหรับแรงดันไฟฟ้าสูงกว่าหรือความสามารถในปัจจุบัน การกำหนดลักษณะ
ตามมาตรฐานให้ปิดสวิตช์สำหรับระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)แอพพลิเคชั่น,ความต้านทานโหลด
ระดับพร้อมปุ่ม Pulse ทดสอบใช้งานในการตรวจสอบกองของเปิดเวลาเปิด.
ที่ IGBT Stack ใช้หกนานาชาติเครื่องกลับกระแสไฟฟ้าที่ใช้( irf )
irgp 30 B 120 , kd - E igbts กำหนดพิกัดที่ 1200 V และ 60 อย่างต่อเนื่อง
ซึ่งจะช่วยในปัจจุบัน. โรงแรมแห่งนี้คือที่ IGBT npt - พิมพ์ IGBT ,ในการ โฆษณา -247
แพ็คเกจ. ที่ npt - พิมพ์ igbts มีการแสดงต้องเกือบ
ตามมาตรฐานดีเยี่ยมสำหรับกองการประกอบการอย่างต่อเนื่องการสลับใช้งาน
ครั้งท่ามกลาง npt และอุปกรณ์การเปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อยในการสลับ
ซึ่งจะช่วยระบายความร้อน ประสิทธิภาพ การทำงานจากความแตกต่างของ[ 10 ] ชุดนี้สามารถใช้งานร่วมกับเมล็ดถั่ว 120 - a single - ระดับพร้อมปุ่ม Pulse ตามการจัดอันดับตารางข้อมูล irf

ตามมาตรฐานที่ในทางทฤษฎี แผน ภาพ ที่กอง IGBT แสดงอยู่ด้านล่างนี้
ในรูป 1 และรูปที่แสดงอยู่ในรูปที่ 2 .