In the model considered, there is a

In the model considered, there is an almost monotonic decrease of the contact resistance in the equivalent circuit model [R(RC)(RC)] with a correlation coefficient of 0.996. In the high frequency regime, the impedance response is described by the first (RC) combination, the picofarad capacitance, C1, dominating the impedance response over the k_ charge transfer resistance, R2, simulated out of the model and varying linearly with a correlation of 0.98. The charge transfer resistance, R2 operational at high frequency was quadratically correlated to ammonia concentration. In the low frequency range, the impedance, was again controlled by the microfarad capacitance, C2 more than the k_ charge transfer resistance, R3 resistance. Both C2 and R3, of importance in the low frequency response varied quadratically increasing with ammonia concentration. The best fit mathematical trend lines and their corresponding equations were worked out from each of the graphs of the circuit components with varying ammonia concentration, of which contact resistance (R1) and low frequency capacitance (C2) are depicted in Fig. 6(a) and (b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในรูปแบบถือว่า จะลดลงเกือบ monotonic ต้านติดต่อในวงจรเทียบเท่ารุ่น [R(RC)(RC)] ด้วยสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์ของ 0.996 อธิบายไว้ในระบอบความถี่สูง การตอบสนองต่อความต้านทาน โดยแรก (RC) ค่าความจุ picofarad, C1 อำนาจเหนือการตอบสนองต่อความต้านทานมากกว่าต้าน k_ ค่าธรรมเนียมโอน R2 จำลองจากรูปแบบ และแตกต่างกับความสัมพันธ์ของ 0.98 เชิงเส้น ต้านทานค่าธรรมเนียมโอน R2 การดำเนินงานที่ความถี่สูงถูก quadratically correlated กับความเข้มข้นของแอมโมเนีย ในช่วงความถี่ต่ำ ต้านทาน ถูกอีกถูกควบคุม โดยความ microfarad, C2 k_ ค่าธรรมเนียมโอนต่อต้าน ต้านทาน R3 มากกว่าด้วย C2 และ R3 ความสำคัญในการตอบสนองความถี่ต่ำแตกต่างกัน quadratically เพิ่มความเข้มข้นของแอมโมเนีย ส่วนพอดีกับบรรทัดแนวโน้มทางคณิตศาสตร์ และสมการที่เกี่ยวข้องของพวกเขาได้ทำงานออกจากกราฟประกอบวงจรกับแอมโมเนียความเข้มข้นแตกต่างกัน ของที่ติดต่อ ความต้านทาน (R1) และค่าความจุความถี่ต่ำ (C2) จะแสดงใน Fig. 6(a) และ (b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในรูปแบบการพิจารณามีการลดลงต่อเนื่องเกือบของความต้านทานการติดต่อในรูปแบบวงจรสมมูล [R (RC) (RC)] ที่มีค่าสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์ของ 0.996 ในระบอบการปกครองที่มีความถี่สูง, การตอบสนองความต้านทานอธิบายโดยครั้งแรก (RC) รวมความจุ picofarad, C1, มีอำนาจเหนือการตอบสนองความต้านทานมากกว่าต้านทานการถ่ายโอนค่าใช้จ่าย K_, R2, จำลองจากรูปแบบและแตกต่างกันเป็นเส้นตรงกับความสัมพันธ์ของ 0.98 ต้านทานค่าใช้จ่ายการโอน R2 ดำเนินการในความถี่สูงมีความสัมพันธ์กับความเข้มข้น quadratically แอมโมเนีย ในช่วงความถี่ต่ำ, ความต้านทานที่ถูกควบคุมอีกครั้งโดยความจุ microfarad, C2 มากกว่าต้านทานการถ่ายโอนค่าใช้จ่าย K_ ต้านทาน R3 ทั้ง C2 และ R3 ความสำคัญในการตอบสนองความถี่ต่ำแตกต่างกัน quadratically เพิ่มขึ้นกับความเข้มข้นของแอมโมเนีย ที่ดีที่สุดพอดีเส้นแนวโน้มทางคณิตศาสตร์และสมการที่เกี่ยวข้องของพวกเขาทำงานออกจากกันของกราฟของส่วนประกอบวงจรที่มีความเข้มข้นของแอมโมเนียที่แตกต่างกันซึ่งต้านทานติดต่อ (R1) และความจุความถี่ต่ำ (C2) เป็นภาพในรูป 6 (ก) และ (ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูปแบบถือว่ามีเกือบโมโนโทนิกลดลงของความต้านทานการติดต่อในรูปแบบ [ วงจรสมมูล r ( RC ) ( RC ) ] กับสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์โดย . ในระบบความถี่สูง ซึ่งการอธิบายครั้งแรกโดย ( RC ) รวมกัน , พิโกฟารัดความจุ C1 ครอบครองค่าการตอบสนองมากกว่า k_ ค่าความต้านทาน โอน อาร์ทูจำลองรูปแบบและแตกต่างกันออกไปตามลักษณะของ 0.98 . ความต้านทานการถ่ายเทประจุไฟฟ้า อาร์ทูทำงานที่ความถี่สูง คือ เกี่ยวกับสมการ 2 ชั้นมีแอมโมเนีย . ในช่วงความถี่ต่ำค่า เป็นอีกครั้งที่ควบคุมโดยไมโครฟารัดความจุ , C2 มากกว่า k_ ค่าความต้านทาน R3 การต้านทาน ทั้ง C2 และอาร์ทรีความสำคัญในการตอบสนองความถี่ต่ำที่แตกต่างกันเกี่ยวกับสมการ 2 ชั้นเพิ่มด้วยแอมโมเนียความเข้มข้น ที่ดีที่สุดให้พอดีกับเส้นแนวโน้มและสมการคณิตศาสตร์ที่สอดคล้องกันของพวกเขาออกมาจากแต่ละกราฟวงจรขององค์ประกอบที่แตกต่างกับแอมโมเนีย ซึ่งติดต่อต้านทาน ( R1 ) และความจุความถี่ต่ำ ( C2 ) จะปรากฎในรูปที่ 6 ( a ) และ ( b )