in this case, positive charge due t

in this case, positive charge due to leakage current would be trapped in the silicon nitride layer, leading to increasing the concentration of the minority in p-laer (electron),
and consequently increasing charge recombination rate at the surface (fig.6 b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกรณีนี้ ค่าธรรมเนียมบวกเนื่องจากกระแสรั่วไหลจะติดอยู่ในเลเยอร์ซิลิคอนไนไตรด์ นำไปเพิ่มความเข้มข้นของชนกลุ่มน้อยใน p-laer (อิเล็กตรอน),และเพิ่มอัตราค่ารวมตัวกันที่พื้นผิว (fig.6 b) ดังนั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกรณีนี้ประจุบวกเนื่องจากกระแสรั่วไหลจะถูกขังอยู่ในชั้นซิลิคอนไนไตรด์ที่นำไปสู่การเพิ่มความเข้มข้นของชนกลุ่มน้อยใน P-Laer (อิเล็กตรอน) ที่
และดังนั้นการเพิ่มอัตราการรวมตัวกันอีกค่าใช้จ่ายที่พื้นผิว (fig.6 ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกรณีนี้ , ประจุบวก เนื่องจากปัจจุบันรั่วจะอยู่ในชั้นของซิลิคอนไนไตรด์ นำไปสู่การเพิ่มความเข้มข้นของชนกลุ่มน้อยใน p-laer ( อิเล็กตรอน )และจึงเพิ่มอัตราการประจุที่ผิว ( fig.6 B )