the SEI formation will cause irreve

the SEI formation will cause irreversible capacity loss,
and the presence of such a voltage plateau indicates that an Si-CNT
anode has not been properly prelithiated. When an Si-CNT has
been properly prelithiated, the voltage profile from SEI formation is
not present, as shown for the p-SLMP (blue) in Figure 5a.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การก่อตัว SEI จะทำให้ไม่สูญเสียและการปรากฏตัวของดังกล่าวราบสูงของแรงดันไฟฟ้าระบุว่า มีศรี-CNTขั้วบวกไม่ได้ prelithiated อย่างถูกต้อง เมื่อมีการศรี CNTคือค่าแรงดันไฟฟ้าจาก SEI ก่อรับ prelithiated อย่างถูกต้องไม่นำเสนอ ดังที่สำหรับ p-SLMP (สีน้ำเงิน) ในรูป 5a

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การก่อตัวของ SEI จะทำให้เกิดการสูญเสียความสามารถกลับไม่ได้
และการปรากฏตัวของแรงดันไฟฟ้าเช่นที่ราบสูงที่บ่งชี้ว่า Si-CNT
ขั้วบวกไม่ได้รับการ prelithiated อย่างถูกต้อง เมื่อ Si-CNT ได้
รับ prelithiated ถูกต้องรายละเอียดของแรงดันไฟฟ้าจากการก่อ SEI คือ
ไม่ได้อยู่ที่แสดงสำหรับ P-SLMP (สีฟ้า) ในรูป 5A

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนในการจะทำให้เกิดการสูญเสียความสามารถสนับสนุนและเช่นการปรากฏตัวของที่ราบสูง พบว่า มีจังหวัดทั้งแรงดันขั้วบวกมีไม่ได้ถูก prelithiated . เมื่อจังหวัดของเราได้ถูก prelithiated , แรงดันไฟฟ้าในคือจากการสร้างโปรไฟล์ปัจจุบัน ดังแสดงใน p-slmp ( สีฟ้า ) ในรูป 5A .