SEM photographs of the capacitor ch

SEM photographs of the capacitor chip without GO films on its surface and that with GO films. The area is 2000μm × 2000μm and the interdigital electrodes are 10μm wide with spacing 8μm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพถ่าย SEM ของชิพตัวเก็บประจุโดยไม่ films ไปบนพื้นผิวของมันและที่มี films ไป พื้นที่เป็น 2000μm × 2000μm และหุงต interdigital มีมากมาย ด้วยระยะห่าง 8μm 10μm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ถ่ายภาพ SEM ของชิปตัวเก็บประจุไฟได้โดยไม่ต้องไปฟิล์มบนพื้นผิวและกับ GO ไฟ LMS บริเวณที่เป็น2000μm2000μm×และขั้วไฟฟ้า interdigital มี10μmกว้างกับ8μmเว้นวรรค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพถ่าย SEM ของตัวเก็บประจุชิปโดยไม่ต้องไปถ่ายทอด LMS บนพื้นผิวของมันและที่กับไปจึง LMS . พื้นที่ 2 , 000 μ m × 2000 μเมตรและขั้วไฟฟ้า interdigital 10 μเมตรกว้าง 8 เมตร มีระยะห่างμ