the removal mechanism is mainly the

the removal mechanism is mainly the de-bonding
of the weak molecules through the chemical activity of ceria particles.
The surface modification process for CeO2 particles can be
described as follows: the dissolved silicon first releases to the slurry
solution and then is adsorbed onto the abrasive particles. Therefore,
the corrosion product SiO2(OH)2
2− could be complexed by Ce–OH
due to the chemical activity of CeO2, i.e.,
Ce–OH + SiO2(OH)2
2− → [Ce(SiO3)3]2− + H2O
This leads to the accelerated removal of SiO2(OH)2
2− from silicon
surface and promotes the material removal rate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กลไกการกำจัดเป็นส่วนใหญ่ที่ยกเลิกพันธะของโมเลกุลอ่อนแอผ่านกิจกรรมทางเคมีของอนุภาค ceriaกระบวนการปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับอนุภาค CeO2 สามารถอธิบายเป็นดังนี้: ซิลิคอนละลายก่อนปล่อยให้สารละลายโซลูชัน และจากนั้น ซับบนอนุภาคกัดกร่อน ดังนั้นผลิตภัณฑ์การกัดกร่อน SiO2 (OH) 22− อาจเป็น complexed โดย Ce – OHเนื่องจากกิจกรรมทางเคมีของ CeO2 เช่นCe – OH + SiO2 (OH) 22− → [Ce (SiO3) 3] 2− + H2Oนี้นำไปสู่การเร่งกำจัดของ SiO2 (OH) 22− จากซิลิคอนพื้นผิว และอัตราการกำจัดวัสดุส่งเสริมการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กลไกการลบเป็นส่วนใหญ่เดพันธะ
. ของโมเลกุลที่อ่อนแอผ่านกิจกรรมทางเคมีของอนุภาค Ceria
กระบวนการปรับผิวสำหรับอนุภาค CEO2 สามารถ
อธิบายดังนี้ซิลิคอนละลายรุ่นแรกที่จะสารละลาย
แก้ปัญหาแล้วจะถูกดูดซับเข้าสู่ขัด อนุภาค ดังนั้น
สินค้าที่มีการกัดกร่อน SiO2 (OH) 2
2 อาจจะ complexed โดย CE-OH
เนื่องจากกิจกรรมทางเคมีของ CEO2 เช่น
CE-OH + SiO2 (OH) 2
2 → [Ce (SiO3) 3] 2- + H2O
นี้นำไปสู่การกำจัดเร่ง SiO2 (OH) 2
2 จากซิลิกอน
พื้นผิวและการส่งเสริมอัตราการกำจัดวัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กลไกการกำจัดเป็นส่วนใหญ่ เดอ เชื่อมของโมเลกุลที่อ่อนแอผ่านทางกิจกรรมของอนุภาคในซีเรีย .กระบวนการการเปลี่ยนแปลงพื้นผิวของอนุภาค CeO2 สามารถอธิบายดังนี้ : ละลายน้ำก่อนออกกับสารละลายซิลิคอนโซลูชั่นและถูกดูดซับบนอนุภาคขัดสี ดังนั้นการกัดกร่อนของผลิตภัณฑ์ซิลิกา ( OH ) 22 −อาจจะซับซ้อนโดย CE –โอ้เนื่องจากกิจกรรมของ CeO2 ทางเคมี ได้แก่CE –โอ้ + SiO2 ( OH ) 22 −→ keyboard - key - name [ CE ( sio3 ) 3 ] 2 − + H2Oนี้นำไปสู่การเร่งการกำจัด SiO2 ( OH ) 22 −จากซิลิคอนพื้นผิวและส่งเสริมการกำจัดวัสดุที่อัตรา