Early computers used relays, mechan

Early computers used relays, mechanical counters[3] or delay lines for main memory functions. Ultrasonic delay lines could only reproduce data in the order it was written. Drum memory could be expanded at relatively low cost but efficient retrieval of memory items required knowledge of the physical layout of the drum to optimize speed. Latches built out of vacuum tube triodes, and later, out of discrete transistors, were used for smaller and faster memories such as registers. Such registers were relatively large and too costly to use for large amounts of data; generally only a few dozen or few hundred bits of such memory could be provided.

The first practical form of random-access memory was the Williams tube starting in 1947. It stored data as electrically charged spots on the face of a cathode ray tube. Since the electron beam of the CRT could read and write the spots on the tube in any order, memory was random access. The capacity of the Williams tube was a few hundred to around a thousand bits, but it was much smaller, faster, and more power-efficient than using individual vacuum tube latches. Developed at the University of Manchester in England, the Williams tube provided the medium on which the first electronically stored-memory program was implemented in the Manchester Small-Scale Experimental Machine (SSEM) computer, which first successfully ran a program on 21 June 1948.[4] In fact, rather than the Williams tube memory being designed for the SSEM, the SSEM was a testbed to demonstrate the reliability of the memory.[5][6]

Magnetic-core memory was invented in 1947 and developed up until the mid-1970s. It became a widespread form of random-access memory, relying on an array of magnetized rings. By changing the sense of each ring's magnetization, data could be stored with one bit stored per ring. Since every ring had a combination of address wires to select and read or write it, access to any memory location in any sequence was possible.

Magnetic core memory was the standard form of memory system until displaced by solid-state memory in integrated circuits, starting in the early 1970s. Robert H. Dennard invented dynamic random-access memory (DRAM) in 1968; this allowed replacement of a 4 or 6-transistor latch circuit by a single transistor for each memory bit, greatly increasing memory density at the cost of volatility. Data was stored in the tiny capacitance of each transistor, and had to be periodically refreshed every few milliseconds before the charge could leak away.

Prior to the development of integrated read-only memory (ROM) circuits, permanent (or read-only) random-access memory was often constructed using diode matrices driven by address decoders, or specially wound core rope memory planes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คอมพิวเตอร์ช่วงต้นรีเลย์ใช้เคาน์เตอร์กล [3] หรือสายล่าช้าสำหรับฟังก์ชั่นหน่วยความจำหลัก อัลตราโซนิกสายล่าช้าเท่านั้นที่สามารถทำซ้ำข้อมูลในลำดับที่มันถูกเขียนขึ้น หน่วยความจำกลองอาจจะขยายตัวที่ค่าใช้จ่ายที่ค่อนข้างต่ำ แต่การดึงประสิทธิภาพของรายการหน่วยความจำที่จำเป็นต้องมีความรู้ในรูปแบบทางกายภาพของกลองเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพความเร็ว สลักสร้างออกมาจากหลอดไตรโอดหลอดสูญญากาศและหลังจากออกจากทรานซิสเตอร์ที่ไม่ต่อเนื่องถูกนำมาใช้สำหรับความทรงจำที่มีขนาดเล็กและเร็วขึ้นเช่นการลงทะเบียน การลงทะเบียนดังกล่าวเป็นที่ค่อนข้างใหญ่และมีราคาแพงเกินไปที่จะใช้สำหรับข้อมูลจำนวนมาก; โดยทั่วไปเพียงไม่กี่สิบกี่ร้อยหรือบิตของหน่วยความจำดังกล่าวอาจจะมีให้. รูปแบบการปฏิบัติแรกของ random-access memory เป็นหลอดวิลเลียมส์ที่เริ่มต้นในปี 1947 มันเป็นข้อมูลที่เก็บไว้จุดประจุไฟฟ้าบนใบหน้าของหลอดรังสี เนื่องจากลำแสงอิเล็กตรอนของ CRT สามารถอ่านและเขียนจุดบนหลอดในลำดับใด ๆ หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มเป็น ความจุของหลอดวิลเลียมส์ไม่กี่ร้อยไปประมาณหนึ่งพันบิต แต่มันก็มีขนาดเล็กมากขึ้นเร็วขึ้นและมากขึ้นและประหยัดพลังงานกว่าการใช้หลอดสุญญากาศสลักของแต่ละบุคคล การพัฒนาที่มหาวิทยาลัยแมนเชสเตอร์ในอังกฤษหลอดวิลเลียมส์ที่ให้บริการสื่อที่โปรแกรมอิเล็กทรอนิกส์ที่จัดเก็บหน่วยความจำครั้งแรกที่ถูกนำมาใช้ในแมนเชสเตอร์ขนาดเล็กทดลองเครื่อง (SSEM) คอมพิวเตอร์ซึ่งเป็นครั้งแรกที่ประสบความสำเร็จวิ่งโปรแกรมบน 21 มิถุนายน 1948 [4] ในความเป็นจริงมากกว่าหน่วยความจำหลอดวิลเลียมส์ได้รับการออกแบบมาสำหรับ SSEM ที่ SSEM เป็น testbed แสดงให้เห็นถึงความน่าเชื่อถือของหน่วยความจำได้. [5] [6] หน่วยความจำแม่เหล็ก-core ถูกประดิษฐ์ขึ้นในปี 1947 และได้รับการพัฒนาขึ้นจน ช่วงกลางปี ​​1970 มันก็กลายเป็นรูปแบบที่แพร่หลายของ random-access memory อาศัยในอาร์เรย์ของแหวนแม่เหล็ก โดยการเปลี่ยนความรู้สึกของการสะกดจิตแต่ละวงของข้อมูลจะถูกเก็บไว้กับที่เก็บไว้หนึ่งบิตต่อแหวน ตั้งแต่แหวนทุกคนมีการรวมกันของสายไฟที่อยู่ในการเลือกและอ่านหรือเขียนมันเข้าถึงหน่วยความจำตำแหน่งใด ๆ ในลำดับใด ๆ ที่เป็นไปได้. หน่วยความจำหลักแม่เหล็กเป็นรูปแบบมาตรฐานของระบบหน่วยความจำจนแทนที่ด้วยหน่วยความจำของรัฐที่มั่นคงในวงจรแบบบูรณาการเริ่มต้น ในช่วงต้นปี 1970 โรเบิร์ตเอช Dennard คิดค้น random-access memory DRAM (dynamic) ในปี 1968; นี้ได้รับอนุญาตให้เปลี่ยนของวงจรสลัก 4 หรือ 6 โดยทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เดียวสำหรับแต่ละบิตหน่วยความจำมากขึ้นความหนาแน่นของหน่วยความจำที่ค่าใช้จ่ายของความผันผวน ข้อมูลที่ถูกเก็บไว้ในความจุเล็ก ๆ ของแต่ละทรานซิสเตอร์และต้องได้รับการฟื้นฟูทุกไม่กี่มิลลิวินาทีระยะก่อนที่จะเสียค่าใช้จ่ายอาจรั่วไหลออกไป. ก่อนที่จะมีการพัฒนาของหน่วยความจำ (ROM) วงจรอ่านอย่างเดียวแบบบูรณาการอย่างถาวร (หรืออ่านอย่างเดียว) สุ่ม หน่วยความจำการเข้าถึงมักจะถูกสร้างขึ้นโดยใช้เมทริกซ์ไดโอดแรงหนุนจากการถอดรหัสที่อยู่หรือแผลพิเศษหลักของเครื่องบินหน่วยความจำเชือก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เครื่องคอมพิวเตอร์ในยุคแรกใช้รีเลย์เครื่องจักรกลเคาน์เตอร์ [ 3 ] หรือล่าช้าสาย สำหรับการทำงานในหน่วยความจำหลัก สายหน่วงเครื่องสามารถทำซ้ำข้อมูลในใบสั่งซื้อมันถูกเขียนไว้ กลองสามารถขยายหน่วยความจำที่ค่อนข้างต่ำต้นทุน แต่การดึงประสิทธิภาพของรายการหน่วยความจำความรู้ของรูปแบบทางกายภาพของกลองที่จะเพิ่มประสิทธิภาพความเร็ว สลักที่สร้างขึ้นจาก triodes ท่อสุญญากาศ และภายหลังจากทรานซิสเตอร์ไม่ต่อเนื่องที่ใช้สำหรับขนาดเล็กและความทรงจำได้เร็วขึ้น เช่น ระเบียน เช่นการลงทะเบียนมีขนาดค่อนข้างใหญ่และแพงเกินกว่าจะใช้จำนวนมากของข้อมูล โดยทั่วไปเพียงไม่กี่สิบหรือกี่ร้อยบิตของหน่วยความจำดังกล่าวสามารถให้รูปแบบการปฏิบัติแรกของแรมคือวิลเลียมส์หลอดเริ่มต้นในปี 1947 . มันเก็บข้อมูลเป็นค่าใช้จ่ายไฟฟ้าจุดบนใบหน้าของหลอดรังสีแคโทด . เมื่อลำแสงอิเล็กตรอนของ CRT สามารถอ่านและเขียนจุดบนหลอดในลำดับใด ๆหรือหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม ความจุของหลอด วิลเลี่ยม เป็นร้อยเป็นพันๆ รอบ แต่มันเล็กกว่า , เร็วกว่า , และพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากกว่าการใช้หลอดสุญญากาศ กลอนแต่ละ . การพัฒนาที่มหาวิทยาลัยแมนเชสเตอร์ ประเทศอังกฤษ หลอด วิลเลี่ยมให้สื่อ ที่แรกใช้เก็บหน่วยความจำโปรแกรมมีการใช้งานในแมนเชสเตอร์ขนาดเล็กทดลองเครื่อง ( คอมพิวเตอร์ ssem ) ซึ่งก่อนรันโปรแกรมเสร็จเรียบร้อยแล้ว เมื่อวันที่ 21 มิถุนายนค.ศ. 1948 [ 4 ] ในความเป็นจริงมากกว่าหลอดถูกออกแบบมาสำหรับหน่วยความจำวิลเลียมส์ ssem , ssem เป็น Name = ทดสอบ Comment เพื่อแสดงให้เห็นถึงความน่าเชื่อถือของหน่วยความจำ . [ 5 ] [ 6 ]หน่วยความจำแกนแม่เหล็กถูกคิดค้นในปี 1947 และพัฒนาจนถึงกลาง มันเป็นรูปแบบที่แพร่หลายของหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม ใช้ อาร์เรย์ของแม่เหล็กแหวน โดยการเปลี่ยนความรู้สึกของการสะกดจิตของแหวนแต่ละข้อมูลจะถูกเก็บไว้กับหนึ่งบิตเก็บไว้ต่อแหวน เนื่องจากทุกแหวนมีการรวมกันของสายที่อยู่เลือกอ่านหรือเขียน , การเข้าถึงหน่วยความจำใด ๆที่อยู่ในลำดับใด ๆเป็นไปได้หน่วยความจำแกนแม่เหล็กเป็นรูปแบบมาตรฐานของระบบหน่วยความจำหน่วยความจำสถานะของแข็งจนพลัดถิ่น โดยในแผงวงจร เริ่มในทศวรรษก่อน โรเบิร์ต เอช. dennard คิดค้นแรมแบบพลวัต ( ดีแรม ) ในปี 1968 ; นี้ให้เปลี่ยนเป็น 4 หรือ 6-transistor ลักวงจรโดยทรานซิสเตอร์เดี่ยวแต่ละหน่วยความจำบิตมากขึ้นความหนาแน่นของหน่วยความจำที่ ต้นทุนที่เพิ่มขึ้น ข้อมูลที่ถูกเก็บไว้ในความจุเล็ก ๆของแต่ละวงจร และมีระยะฟื้นฟูทุกไม่กี่มิลลิวินาทีก่อนที่ค่าใช้จ่ายที่อาจรั่วไหลออกไปก่อนที่จะพัฒนารอม ( ROM ) วงจร แบบถาวร ( อ่านอย่างเดียว ) หน่วยความจำเข้าถึงแบบสุ่มมักจะสร้างโดยใช้เมทริกซ์ไดโอดขับเคลื่อนด้วยเครื่องที่อยู่ หรือ แผลพิเศษเครื่องบินหน่วยความจำหลักเชือก