3. Results and discussion3.1. Chara

3. Results and discussion
3.1. Characterization of Au deposition
SEM images of the gold nanoparticles electrodeposited onto
the CSPE under different operating conditions are shown in
Fig. 2b–e, which depict depositions of nanoscale-size gold particles.
Increases in both the deposition time and the concentration
of the HAuCl4 had the effect of enlarging the gold nanoparticles
size.
In addition, EDX analysis of the SCPEs confirmed the presence
of deposited gold.
3.2. Electrochemical response of Sb(III) on gold
nanoparticle-modified CSPE
The anodic stripping voltammetric measurements of Sb(III)
using gold solid electrodes did not give off any analytical
signals for very low concentrations of Sb(III). However, the
electrochemical oxidation of Sb(0) to Sb(III) by DPASV can be
observed when using gold nanoparticle-modified CSPE at even
very lowSb(III) concentrations. In fact, a well-defined oxidation
peak may be observed in Fig. 3 at a potential about −0.18V.
As already described above, the characteristics of gold deposition
on the surface electrode is strongly influenced by several
parameters: the two most important being the HAuClO4 concentration
and the deposition time. It has been observed that
a poor response for Sb(III) is obtained for high concentrations
of HAuClO4 and high deposition times. This behaviour can be
explained by the formation of a partial gold film on the CSPE

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการอภิปรายและ
3.1 ลักษณะของการสะสม Au
ภาพ SEM ของอนุภาคนาโนทองคำ electrodeposited บน
CSPE
ภายใต้สภาวะที่แตกต่างกันจะแสดงในรูปที่ 2b อีซึ่งแสดงให้เห็นถึง depositions ของอนุภาคทองนาโนขนาด.
การเพิ่มขึ้นของทั้งเวลาการสะสมและความเข้มข้นของ HAuCl4 มีผลกระทบจากการขยายอนุภาคนาโนทองคำขนาด. นอกจากนี้ยังมีการวิเคราะห์ EDX ของ SCPEs ได้รับการยืนยันการปรากฏตัวของทองฝาก. 3.2 การตอบสนองของ Sb ไฟฟ้า (III) ทองที่ปรับเปลี่ยนอนุภาคนาโนCSPE ขั้วบวกลอกวัด voltammetric ของ Sb (III) โดยใช้ขั้วไฟฟ้าที่เป็นของแข็งทองไม่ได้ให้ออกจากการวิเคราะห์ใด ๆสัญญาณความเข้มข้นที่ต่ำมากของ Sb (III) อย่างไรก็ตามการเกิดออกซิเดชันไฟฟ้าของ Sb (0) การ Sb (III) โดย DPASV สามารถสังเกตได้เมื่อใช้อนุภาคนาโนCSPE แก้ไขทองที่แม้มากlowSb (III) ความเข้มข้น ในความเป็นจริงการเกิดออกซิเดชันที่ดีที่กำหนดสูงสุดอาจจะสังเกตเห็นในรูป . 3 ที่มีศักยภาพเกี่ยวกับ -0.18V ตามที่อธิบายไว้แล้วข้างต้นลักษณะของการสะสมทองบนพื้นผิวอิเล็กโทรดมีอิทธิพลอย่างมากโดยหลายพารามิเตอร์: สองสิ่งที่สำคัญที่สุดคือความเข้มข้น HAuClO4 และเวลาสะสม มันได้รับการตั้งข้อสังเกตว่ามีการตอบสนองที่ดีสำหรับ Sb (III) จะได้รับสำหรับความเข้มข้นสูงของHAuClO4 และเวลาการสะสมสูง ลักษณะการทำงานนี้สามารถอธิบายได้ด้วยการก่อตัวของฟิล์มทองบางส่วน CSPE

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ผลและการอภิปราย
3.1 . คุณสมบัติของ AU สะสม
SEM รูปของอนุภาคนาโนของทองด้วยไฟฟ้าบน
cspe ภายใต้เงื่อนไขที่แตกต่างกันที่แสดงในรูปที่ 2B
( E ซึ่งแสดงขนาดของอนุภาคทองนาโนสเกล Depositions .
เพิ่มขึ้นทั้งในการสะสมเวลาและความเข้มข้นของ haucl4
ได้ผลของการขยายขนาดของอนุภาคนาโนของทอง

. นอกจากนี้การวิเคราะห์การวัดของ scpes ยืนยันการแสดงตนของเงินฝากทอง
.
2 . การตอบสนองทางเคมีไฟฟ้าของ SB ( 3 ) บนอนุภาคนาโนทองคำ cspe

แก้ไขการลอกมากการวัดของ SB ( III )
โดยใช้ขั้วไฟฟ้าทองไม่ได้ให้ปิดสัญญาณวิเคราะห์ความเข้มข้นต่ำมาก
ใด ๆของ SB ( 3 ) อย่างไรก็ตาม
ปฏิกิริยาเคมีไฟฟ้าออกซิเดชันของ SB ( 0 ) SB ( III ) โดย dpasv สามารถ
พบว่าเมื่อใช้อนุภาคนาโนทองคำแก้ไข cspe ที่แม้
มาก lowsb ( 3 ) เข้มข้น ในความเป็นจริง พีคออกซิเดชัน
รูปอาจจะสังเกตในรูปที่ 3 ที่อาจเกิดขึ้นเกี่ยวกับ− 0.18v .
ตามที่อธิบายไว้แล้วข้างต้น ลักษณะของ
สะสมทองบนพื้นผิวขั้วไฟฟ้าเป็นอิทธิพลอย่างมากโดยหลายพารามิเตอร์
: สองสิ่งที่สำคัญที่สุดเป็น hauclo4 สมาธิ
และสะสมเวลา มันได้รับการตรวจสอบที่
การตอบสนองไม่ดีสำหรับ SB ( III ) จะได้รับสำหรับความเข้มข้นสูง
ของ hauclo4 และเวลาสะสมสูง พฤติกรรมนี้สามารถ
อธิบายโดยการก่อตัวของฟิล์มทองบางส่วนใน cspe