This paper focuses on the compariso

This paper focuses on the comparison of Ti-precursors and oxidants.
Regarding the growth of TiO2, here only growth rates are compared.
Microstructural investigations are conducted for post deposition
annealing and in-situ crystallization XRD studies.
A systematic study of the layermicrostructure of TiO2 films as deposited
from TDMAT and H2O ALD has not been published yet. Hence, this
work presents the systematic investigation of deposition temperatures
and resulting layer microstructure. Based on the experimental results,
possible interaction mechanisms of TDMAT and H2O precursor molecules
and the TiO2 surface at different temperatures.
Also, the high temperature deposition of TiO2 from TDMAT and H2O
is examined with the aim to use this process for the ALD of ternary titanates
such as SrTiO3 or BaTiO3 which use a Ba- or Sr- cyclopentadienyl
precursor and require deposition temperatures exceeding 250 °C
[21,22]. Therefore, we focus on the range of deposition temperatures
of 250 °C and above.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระดาษนี้เน้นการเปรียบเทียบตี้ precursors และอนุมูลอิสระเกี่ยวกับการเติบโตของ TiO2 ที่นี่เท่านั้นอัตราการขยายตัวมีการเปรียบเทียบดำเนินการสอบสวน microstructural สำหรับสะสมลงการอบเหนียวและในการวิเคราะห์ตกผลึก XRD ศึกษาการศึกษาระบบของ layermicrostructure ภาพยนตร์ TiO2 เป็นฝากจาก TDMAT และ H2O ALD ไม่ถูกเผยแพร่ยัง ดังนั้น นี้งานแสดงการตรวจสอบอุณหภูมิสะสมระบบและต่อโครงสร้างจุลภาคได้ชั้น ตามผลการทดลองกลไกการโต้ตอบที่เป็นไปได้ของโมเลกุลสารตั้งต้น TDMAT และ H2Oและพื้นผิวของ TiO2 ที่อุณหภูมิแตกต่างกันยัง สะสมอุณหภูมิสูงของ TiO2 จาก TDMAT และ H2Oตรวจสอบกับจุดประสงค์การใช้กระบวนการนี้สำหรับ ALD ของ titanates สามเช่น SrTiO3 BaTiO3 ซึ่งใช้การบา - หรือ Sr-cyclopentadienylสารตั้งต้น และต้องการอุณหภูมิสะสมเกิน 250 ° C[21,22] . ดังนั้น เรามุ่งเน้นในช่วงของอุณหภูมิสะสม250 ° C และเหนือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้มุ่งเน้นไปที่การเปรียบเทียบ Ti-สารตั้งต้นและอนุมูลอิสระ.
เกี่ยวกับการเจริญเติบโตของ TiO2 นี่อัตราการเติบโตเพียง แต่เมื่อเทียบ.
สืบสวนจุลภาคจะดำเนินการสำหรับการโพสต์การสะสม
และการหลอมในแหล่งกำเนิดการศึกษาตกผลึก XRD.
ระบบการศึกษา layermicrostructure ของ TiO2 ภาพยนตร์เป็นฝาก
จาก TDMAT และ H2O ALD ยังไม่ได้รับการตีพิมพ์เลย ดังนั้นนี้
ทำงานนำเสนอการตรวจสอบระบบของอุณหภูมิการสะสม
และจุลภาคชั้นที่เกิด จากผลการทดลองพบว่า
กลไกการทำงานร่วมกันเป็นไปได้ของ TDMAT และโมเลกุลสารตั้งต้น H2O
และพื้นผิว TiO2 ที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน.
นอกจากนี้การสะสมอุณหภูมิสูงของ TiO2 จาก TDMAT และ H2O
คือการตรวจสอบโดยมีจุดมุ่งหมายที่จะใช้ขั้นตอนนี้สำหรับ ALD ของ titanates ternary
เช่น SrTiO3 หรือ BaTiO3 ซึ่งใช้ BA- หรือ SR- ไซโค
สารตั้งต้นและต้องใช้อุณหภูมิการสะสมเกิน 250 ° C
[21,22] ดังนั้นเราจึงมุ่งเน้นไปที่ช่วงของการสะสมอุณหภูมิ
250 องศาเซลเซียสขึ้นไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระดาษนี้จะเน้นที่การตั้งต้น Ti และอนุมูลอิสระ .
เกี่ยวกับการเจริญเติบโตของ TiO2 , ที่นี่เท่านั้น อัตราการเติบโตของการตรวจสอบโครงสร้างจุลภาค ) .
โพสต์สะสม
การหลอมและตกผลึกวิเคราะห์ควบคู่การศึกษา .
ศึกษาของ layermicrostructure ฟิล์ม TiO2 เป็นฝาก
จาก tdmat และ H2O ald ยังไม่ได้ถูกตีพิมพ์ ยัง ดังนั้นนี้
งานนำเสนอการตรวจสอบระบบของการสะสมอุณหภูมิ
และผลชั้นจุลภาค จากผลการทดลอง
เป็นไปได้ปฏิสัมพันธ์กลไกของ tdmat และ H2O โมเลกุลตั้งต้น
และพื้นผิว ) ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน .
ยัง , อุณหภูมิสูงการสะสมของ TiO2 จาก tdmat และ H2O
คือการตรวจสอบที่มีจุดมุ่งหมายที่จะใช้กระบวนการนี้สำหรับ ald ของไตรภาค titanates
เช่น srtio3 หรือ batio3 ซึ่งใช้ BA หรือ SR - สารตั้งต้น cyclopentadienyl
และต้องการสะสมอุณหภูมิเกิน 250 ° C
[ 21,22 ] ดังนั้นเราจึงเน้นในช่วงของการสะสมอุณหภูมิ 250 องศา C
และข้างต้น