In most biomedical implant designs,

In most biomedical implant designs, the rectifier block is
either a hybrid diode bridge [8], [10], which increases the
number of off-chip components and the size of the implant or
an inefficient half-wave rectifier using the substrate diode [7].
Using a full-wave bridge rectifier [3] on the other hand,
significantly reduces the implant size and also helps the
regulator to achieve better AC-DC conversion efficiency (as
compared to a half-wave rectifier). Implementing an on onchip
full-wave rectifier in the CMOS technology also leads to
the added value of being fast enough to operate in the MHz range due to eliminating off-chip interconnect and parasitic
components. Using high W/L diode-connected MOS
transistors with dynamic voltage controlled separated N-well
regions helps keeping all parasitic components off at all times
and eliminate the body effect. Therefore, the rectifier does not
dissipate excessive power through substrate leakage current or
show a high dropout voltage. It also significantly reduces the
risk of latchup.
Circuit schematic of the CMOS full-wave bridge rectifier used
in this work is shown in Fig. 2 [3]. MP1 and MP2 are the diode
connected pMOS transistors, which separated N-well
potentials follows coil and Vout, whichever is at a higher
potential, through M3~6 auxiliary transistors. Mn1 and Mn2 help
Q1 and Q2 vertical parasitic PNP transistors to return current
from grounded substrate to the coil.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการออกแบบเทียมแพทย์สุด บล็อก rectifier เป็นทั้งไฮบริไดโอดบริดจ์ [8], [10], ซึ่งเพิ่มการหมายเลขของคอมโพเนนต์ออกชิปและขนาดของรากฟันเทียม หรือที่ต่ำครึ่งคลื่น rectifier ใช้ไดโอดพื้น [7]ใช้ตัวเรียงกระแสแบบเต็มคลื่นสะพาน [3] ในทางกลับกันลดขนาดฟัน และยัง ช่วยให้การควบคุมได้ดีกว่า AC-DC ประสิทธิภาพการแปลง (เป็นเทียบกับตัวเรียงกระแสครึ่งคลื่น) การใช้ onchip ในการrectifier เต็มคลื่นเทคโนโลยี CMOS ยังนำไปสู่มูลค่าเพิ่มที่เร็วพอที่จะดำเนินในช่วง MHz เนื่องจากกำจัด interconnect ปิดชิป และปรสิตคอมโพเนนต์ ใช้ W/L สูงเชื่อมต่อไดโอด MOSทรานซิสเตอร์ที่ควบคุมแรงดันไฟฟ้าไดนามิกคั่นเช่น Nภูมิภาคช่วยรักษาส่วนประกอบปรสิตทั้งหมดปิดตลอดเวลาและขจัดผลกระทบต่อร่างกาย ดังนั้น rectifier ที่ไม่กระจายอำนาจมากเกินไปผ่านพื้นผิวกระแสรั่วไหล หรือแสดงแรงดันไฟฟ้าสูงถอน มันยังช่วยลดการความเสี่ยงของ latchupวงจร schematic ของ rectifier บริดจ์เต็มคลื่น CMOS ที่ใช้ในงานนี้จะแสดงในรูปที่ 2 [3] ไดโอดมี MP1 และ MP2เชื่อมต่อ pMOS ทรานซิสเตอร์ ที่คั่นเช่น Nขดลวดดังนี้ศักยภาพและ Vout ซึ่งมีที่สูงขึ้นมีศักยภาพ ผ่าน M3 ~ ทรานซิสเตอร์เสริม 6 Mn1 และ Mn2 ความช่วยเหลือQ1 และ Q2 แนวปรสิต PNP ทรานซิสเตอร์เพื่อกลับไปปัจจุบันจากพื้นดินไปขดลวด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในส่วนการออกแบบเทียมชีวการแพทย์, บล็อก rectifier คือ
ทั้งสะพานไฮบริดไดโอด [8] [10] ซึ่งจะเป็นการเพิ่ม
จำนวนของชิ้นส่วนออกชิปและขนาดของเทียมหรือ
ไม่มีประสิทธิภาพวงจรเรียงกระแสครึ่งคลื่นโดยใช้ไดโอดสารตั้งต้น [ 7]
การใช้แบบเต็มคลื่น Bridge Rectifier [3] บนมืออื่น ๆ ที่
จะช่วยลดขนาดเทียมและยังช่วยให้
ควบคุมเพื่อให้เกิดประสิทธิภาพการแปลง AC-DC ที่ดีกว่า (ในขณะที่
เมื่อเทียบกับวงจรเรียงกระแสครึ่งคลื่น) การดำเนินการเกี่ยวกับ OnChip
วงจรเรียงกระแสแบบเต็มคลื่นในเทคโนโลยี CMOS ยังนำไปสู่การ
เพิ่มมูลค่าของการเป็นเร็วพอที่จะดำเนินการในช่วง MHz เนื่องจากการเชื่อมต่อระหว่างกันกำจัดออกชิปและปรสิต
ส่วนประกอบ
โดยใช้ W / L ไดโอดที่เชื่อมต่อ MOS สูง ทรานซิสเตอร์ที่มีแรงดันไฟฟ้าแบบไดนามิกควบคุมแยก N-ดี
ภูมิภาคจะช่วยให้การรักษาพยาธิส่วนประกอบทั้งหมดออกตลอดเวลา
และลดผลกระทบร่างกาย ดังนั้น rectifier ไม่
กระจายอำนาจมากเกินไปผ่านพื้นผิวรั่วไหลของกระแสหรือ
แสดงแรงดันสูงออกกลางคัน อย่างมีนัยสำคัญนอกจากนี้ยังช่วยลด
ความเสี่ยงของการ latchup
แผนผังวงจรของ CMOS แบบเต็มคลื่น Bridge Rectifier ใช้
ในงานนี้มีการแสดงในรูป 2 [3] MP1 MP2 และมีไดโอด
เชื่อมต่อพีมอสทรานซิสเตอร์ซึ่งแยก N-ดี
ศักยภาพดังนี้ขดลวดและ Vout แล้วแต่จำนวนใดจะสูงกว่าที่
มีศักยภาพผ่าน M3 ~ 6 ทรานซิสเตอร์เสริม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในทางการแพทย์มากที่สุด ( แบบ เป็นแบบบล็อกไม่ว่าจะเป็นไฮบริด ไดโอดบริดจ์ [ 8 ] , [ 10 ] ที่เพิ่มขึ้นจํานวนปิดส่วนประกอบชิปและขนาดของรากฟันเทียมหรือการขาดครึ่งคลื่นใช้ไดโอดเรกติไฟเออร์ ( [ 7 ]วงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นโดยใช้สะพาน [ 3 ] บนมืออื่น ๆช่วยลดขนาดและยังช่วยปลูกควบคุมเพื่อให้บรรลุประสิทธิภาพการใช้ AC - DC ( เป็นเทียบกับครึ่งคลื่นกระแส ) ใช้ใน onchipวงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นในเทคโนโลยี CMOS ยังนำไปสู่การเพิ่มมูลค่าของการได้อย่างรวดเร็วพอที่จะทํางานในช่วง MHz เนื่องจากการกําจัดออกชิปคอมพิวเตอร์และปรสิตส่วนประกอบ ใช้ W / L สูงไดโอดเชื่อมมอสทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าควบคุมะแยกกับแบบไดนามิกภูมิภาคช่วยรักษาองค์ประกอบปรสิตทั้งหมดปิดอยู่ตลอดเวลาและกำจัดร่างกายผล ดังนั้น กระแสไม่ได้เปลืองพลังงานมากเกินไปผ่านการรั่วไหลในปัจจุบัน ( หรือแสดงแรงดัน dropout ที่สูง นอกจากนี้ยังช่วยลดความเสี่ยงของ latchup .วงจรวงจรของวงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นแบบใช้สะพานในงานนี้จะแสดงในรูปที่ 2 [ 3 ] mp1 และ MP2 เป็น ไดโอดเชื่อมต่อ pmos ทรานซิสเตอร์ ซึ่งแยกะและศักยภาพตาม vout ขด ก็ตามในสูงที่อาจเกิดขึ้นผ่าน M3 ~ 6 ตัวช่วย mn1 mn2 ช่วยและPNP ทรานซิสเตอร์ Q1 และ Q2 แนวตั้งปรสิตกลับมาปัจจุบันจากวัสดุในขดลวด