Unlike the ideal MOSFET model which

Unlike the ideal MOSFET model which will operate in either the off state (cut-off state) or the on state (ohmic state), this type of MOSFET can operate in all three regions: cut-off, active, and ohmic region.

The properties of these three regions are:

- Cut-off region:

Vgs < Vgs(th); Id = 0

- Active region:

Vgs > Vgs(th) and Vgs - Vgs(th) < Vds; Id = gm * (Vgs - Vgs(th))

- Ohmic region:

Vgs > Vgs(th) and Vgs - Vgs(th) > Vds; Id = Vds / Rds(on)

where Vgs is the gate-source voltage, Vds is the drain-source voltage, and Id is the drain current.

Note: Note that for other switches (such as thyristor, IGBT, MOSFET, etc.), the gate node must be connected to either a gating block or a switch controller. But for 3-state MOSFET, the gate node is a power node and it must be connected to a power element (such as a resistor or a source). It can not be connected to a gating block or a switch controller.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งแตกต่างจากห้องมอสเฟตแบบซึ่งจะทำงานในสถานะปิด (สภาพตัด) หรือรัฐการ (สภาพแบบโอห์มมิค), มอสเฟตชนิดนี้สามารถทำงานในทุกภูมิภาคที่สาม: ตัด งาน และแบบโอห์มมิคภูมิภาคได้คุณสมบัติของภูมิภาคที่สามเหล่านี้คือ: -ตัดภูมิภาค: Vgs < Vgs(th) รหัส = 0 -ภูมิภาคการใช้งาน: Vgs > Vgs(th) และ Vgs - Vgs(th) < Vds รหัส =กรัม * (Vgs - Vgs(th)) -ภูมิภาคแบบโอห์มมิค: Vgs > Vgs(th) และ Vgs - Vgs(th) > Vds รหัส = Vds / Rds(on) แรงดันเกตแหล่ง Vds Vgs แรงดันท่อระบายน้ำแหล่ง และรหัส ปัจจุบันระบายน้ำ หมายเหตุ: โปรดทราบว่า สำหรับสวิตช์อื่น ๆ (เช่น thyristor, IGBT มอสเฟต เป็นต้น), โหนประตูต้องเชื่อมต่อกับบล็อก gating หรือสลับตัวควบคุม แต่สำหรับ 3 รัฐมอสเฟต โหนประตูเป็นโหนพลังงาน และต้องเชื่อมต่อไปยังองค์ประกอบพลังงาน (เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา) ไม่สามารถเชื่อมบล็อก gating การควบคุมสวิตช์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งแตกต่างจากรูปแบบมอสเฟตที่เหมาะซึ่งจะดำเนินการทั้งในสถานะปิด (รัฐตัด) หรือรัฐ (รัฐ ohmic) ประเภทของ MOSFET นี้สามารถทำงานได้ในทุกภูมิภาคที่สาม: ตัด, ปราดเปรียวและภูมิภาค ohmic. คุณสมบัติของทั้งสามภูมิภาคคือ: - ภูมิภาคตัด: Vgs <Vgs (th); id = 0 - ภูมิภาคที่ใช้งาน: Vgs> Vgs (th) และ Vgs - Vgs (th) <Vds; id = กรัม * (Vgs - Vgs (th)) - ภูมิภาคแบบโอห์มมิค: Vgs> Vgs (th) และ Vgs - Vgs (th)> Vds; id = Vds / RDS (on) ที่ Vgs เป็นแรงดันประตูแหล่งที่มา Vds เป็นแรงดันท่อระบายน้ำแหล่งที่มาและ Id เป็นท่อระบายน้ำในปัจจุบัน. หมายเหตุ: โปรดทราบว่าสำหรับสวิทช์อื่น ๆ (เช่นทรานซิสเตอร์, IGBT, MOSFET ฯลฯ ) โหนดประตูต้องเชื่อมต่อกับทั้งบล็อก gating หรือตัวควบคุมสวิทช์ แต่สำหรับ MOSFET 3 รัฐโหนดประตูเป็นโหนดอำนาจและจะต้องมีการเชื่อมต่อกับธาตุไฟ (เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา) มันไม่สามารถเชื่อมต่อกับบล็อก gating หรือตัวควบคุมสวิทช์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งแตกต่างจากอุดมคติแบบ MOSFET ซึ่งจะทำงานในสถานะปิด ( จากรัฐ ) หรือรัฐ ( รัฐค่า ) ของ MOSFET ชนิดนี้สามารถใช้งานในทั้งสามภูมิภาค : ตัด , ปราดเปรียว และเขตค่า

คุณสมบัติของทั้งสามภูมิภาค :

-

ตัดเขต : วีจีเ < วีจีเ ( th ) ; id = 0 =

- ปราดเปรียวภูมิภาค :

วีจีเ > วีจีเ ( th ) และวีจีเ - วีจีเ ( th ) < VDS ; id = กรัม * ( วีจีเ - วีจีเ ( th ) )

ภูมิภาค : - ค่า

วีจีเ > วีจีเ ( th ) และวีจีเ - วีจีเ ( th ) > VDS ; id = VDS / RDS ( on )

ที่วีจีเเป็นแหล่งประตูแรงดัน VDS เป็นแหล่งระบายแรงดัน และ ID เป็นท่อระบายน้ำปัจจุบัน หมายเหตุ

: โปรดทราบว่าสำหรับสวิทช์อื่น ๆ ( เช่น ผู้บริหาร , IGBT , MOSFET , ฯลฯ ) , ประตูโหนดจะต้องเชื่อมต่อกับทั้งหลักการป้องกันหรือสวิทช์ควบคุม แต่สำหรับ 3-state MOSFET ,ประตูโหนดเป็นโหนดพลังงานและจะต้องเชื่อมต่อกับพลังธาตุ ( เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา ) มันไม่สามารถเชื่อมต่อกับหลักการป้องกันหรือสวิทช์ควบคุม