The Nyquist diagrams of the bare GC

The Nyquist diagrams of the bare GC and the 2-TBI/GC electrodes are shown in Fig. 3. The impedance plot of the bare GC is a straight line (inset of Fig. 3). However, the 2-TBI/GC electrode shows a semicircle at a high frequency region, implying that the electron transfer between 1.0 mM [Fe(CN)6]3 −/4 − and the 2-TBI/GC electrode is blocked. Equivalent circuit comprises the solution resistance (Rs), the charge transfer resistance (Rct) and the constant phase element (CPE) (inset of Fig. 3). R0ct and Rct values were calculated from the impedance plots for 1.0 mM [Fe(CN)6]3 −/4 − at bare GC and the 2-TBI/GC electrodes as 100.0 kΩ and 425.0 kΩ, respectively. The Rct value at the 2-TBI/GC electrode is higher than that at the bare GC electrode, indicating the passivation property of the film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงไดอะแกรม Nyquist GC เปลือยและหุงต 2-หรือ/GC ใน Fig. 3 พล็อตความต้านทานของ GC เปลือยเป็นเส้นตรง (แทรก 3 Fig.) อย่างไรก็ตาม อิเล็กโทรด 2-หรือ/GC แสดง semicircle ในภูมิภาคความถี่สูง หน้าที่ที่อิเล็กตรอนถ่ายโอนระหว่าง 1.0 มม. [Fe (CN) 6] 3 −/4 −และอิเล็กโทรด 2-หรือ/GC จะถูกบล็อค วงจรเทียบเท่าประกอบด้วยต่อต้านโซลูชัน (Rs), ต้านทานการโอนย้ายค่าธรรมเนียม (Rct) และองค์ประกอบระยะคง (CPE) (แทรก 3 Fig.) มีคำนวณค่า R0ct และ Rct จากผืนความต้านทานสำหรับ 1.0 มม. [Fe (CN) 6] 3 −/4 −ที่เอา GC และหุงต 2-หรือ/GC เป็น 100.0 k ωและ k ω 425.0 ตามลำดับ ค่า Rct ที่อิเล็กโทรด 2-หรือ/GC สูงกว่าไฟฟ้า GC เปลือย ระบุคุณสมบัติ passivation ของฟิล์มที่ได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผนภาพ Nyquist ของ GC ​​เปลือยและขั้วไฟฟ้า 2 การบาดเจ็บที่สมอง / GC จะแสดงในรูป 3. พล็อตความต้านทานของ GC ​​เปลือยเป็นเส้นตรง (ฝังของรูปที่. 3) อย่างไรก็ตาม 2 การบาดเจ็บที่สมอง / GC อิเล็กโทรดที่แสดงให้เห็นเป็นรูปครึ่งวงกลมที่ความถี่สูงหมายความว่าการถ่ายโอนอิเล็กตรอนระหว่าง 1.0 มิลลิ [Fe (CN) 6] 3 - / 4 - และ 2 การบาดเจ็บที่สมอง / GC อิเล็กโทรดจะถูกบล็อค วงจรสมมูลประกอบด้วยความต้านทานการแก้ปัญหา (อาร์เอส), ความต้านทานการถ่ายโอนค่าใช้จ่าย (Rct) และองค์ประกอบขั้นตอนการคงที่ (CPE) (ภาพประกอบของรูปที่. 3) R0ct และ Rct ค่าจะถูกคำนวณจากแปลงความต้านทาน 1.0 มิลลิ [Fe (CN) 6] 3 - / 4 - ที่ GC เปลือยและ 2 การบาดเจ็บที่สมองขั้ว / GC เป็น 100.0 และ 425.0 kΩkΩตามลำดับ ค่า Rct ที่ 2 การบาดเจ็บที่สมอง / GC ไฟฟ้าสูงกว่าที่ขั้ว GC เปลือยแสดงให้เห็นสถานที่ให้บริการฟิล์มของภาพยนตร์เรื่องนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จากแผนภาพไนควิสต์ GC เปลือยและ 2-tbi / GC ขั้วไฟฟ้าที่แสดงในรูปที่ 3 ค่าแปลงของ GC เปลือยเป็นเส้นตรง ( ที่ใส่ในรูปที่ 3 ) อย่างไรก็ตาม 2-tbi / GC ไฟฟ้าโชว์ครึ่งวงกลมที่ความถี่สูง ภาค หมายความว่าอิเล็กตรอนโอนระหว่าง 1.0 มม. [ Fe ( CN ) 6 ] 3 / 4 −−และ 2-tbi / GC ขั้วถูกปิดวงจรความต้านทานเทียบเท่า ประกอบด้วย โซลูชั่น ( RS ) , ความต้านทานค่าโอน ( Razorflame ) และองค์ประกอบของเฟสคงที่ ( CPE ) ( ที่ใส่ในรูปที่ 3 ) และ r0ct Razorflame ค่าคำนวณจากค่าแปลง 1.0 มม. [ Fe ( CN ) 6 ] 3 −− 4 ที่ GC เปลือยและ 2-tbi / GC ขั้วไฟฟ้าเป็น 4 K และ K Ω 425.0 Ωตามลำดับในมูลค่าที่ 2-tbi Razorflame / GC ไฟฟ้าสูงกว่าที่ขั้ว GC เปลือยแสดงรุ้ง คุณสมบัติของฟิล์ม