To summarize, we have developed a v

To summarize, we have developed a very simple technique to
fabricate nanostructured ZnO for chemical sensors. We have
synthesized the structure by means of electrochemical anodization
of metallic thin films at room temperature followed by thermal
annealing at 400 1C. The structural and morphological analysis
showed that the obtained ZnO is a polycrystalline structure in
shape of nanoparticles with the diameter of 25 nm. Absorptiondesorption
mechanism in presence of reducing and oxidizing
gases affects the conductance of ZnO. The conductance of
synthesized ZnO increases upon interaction with reducing gases
and it decreases in presence of oxidizing gases, a typical behavior
of an n-type semiconductor. The nanosized structure demonstrated
high response to NO2, H2, and CH4. The response of the
obtained structure towards NO2 and CH4 strongly depends on its
operating temperature. The response to CH4 increases with the
increase in working temperature, while the response to NO2
decreases as a function of the operating temperature. The samples
show an optimal response towards H2 at 400 1C. The facile
fabrication method and sensing properties of the obtained ZnO
nanostructures is promising for the fabrication of sensor devices

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อสรุป เราได้พัฒนาเทคนิคง่ายมากสาน nanostructured ZnO สำหรับเซ็นเซอร์เคมี เรามีสังเคราะห์โครงสร้างโดยวิธีไฟฟ้าเคมี anodizationฟิล์มบางโลหะที่อุณหภูมิห้องตาม ด้วยความร้อนหลอมที่ 400 1C. การวิเคราะห์โครงสร้าง และสัณฐานพบว่า ZnO ได้รับมีคโครงสร้างในรูปร่างของเก็บกักเส้นผ่าศูนย์กลาง 25 nm Absorptiondesorptionกลไกในการลด และออกซิไดซ์ก๊าซที่มีผลต่อการนำพาของ ZnO นำพาความสังเคราะห์ ZnO เพิ่มเมื่อมีการปฏิสัมพันธ์กับการลดการปล่อยก๊าซและจะลดลงในสถานะของก๊าซ ลักษณะทั่วไปการออกซิไดซ์ของสารกึ่งตัวนำชนิด n ที่ แสดงให้เห็นโครงสร้างด้วยตอบสนองสูง ถึง NO2, H2, CH4 การตอบสนองของการโครงสร้างที่ได้รับต่อ NO2 และ CH4 อย่างยิ่งขึ้นอยู่กับความอุณหภูมิการทำงาน การตอบสนองไป CH4 เพิ่มขึ้นกับการอุณหภูมิการทำงาน ในขณะที่การตอบสนองต่อ NO2 เพิ่มขึ้นลดลงเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิการทำงาน ตัวอย่างแสดงการตอบสนองที่เหมาะสมต่อ H2 ที่ 400 1C. ร่มวิธีการผลิตและการตรวจจับคุณสมบัติของ ZnO ได้รับnanostructures มีแนวโน้มสำหรับการผลิตของอุปกรณ์เซนเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อสรุปเราได้พัฒนาเทคนิคที่ง่ายมากที่จะ
สาน ZnO อิเล็กทรอนิคส์สำหรับเซ็นเซอร์เคมี เราได้
สังเคราะห์โครงสร้างโดยวิธีการของ anodization ไฟฟ้า
ของฟิล์มบางของโลหะที่อุณหภูมิห้องตามด้วยความร้อน
หลอมที่ 400 1C การวิเคราะห์โครงสร้างและลักษณะทางสัณฐานวิทยา
แสดงให้เห็นว่าได้รับ ZnO เป็นโครงสร้างคริสตัลไลน์ใน
รูปร่างของอนุภาคนาโนที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 25 นาโนเมตร Absorptiondesorption
กลไกในการปรากฏตัวของการลดและออกซิไดซ์
ก๊าซส่งผลกระทบต่อสื่อกระแสไฟฟ้าของซิงค์ออกไซด์ สื่อกระแสไฟฟ้าของการ
สังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้นเมื่อมีปฏิสัมพันธ์กับก๊าซลด
และลดลงในการปรากฏตัวของก๊าซออกซิไดซ์เป็นพฤติกรรมทั่วไป
ของ N-สารกึ่งตัวนำชนิด โครงสร้าง nanosized แสดงให้เห็นถึง
การตอบสนองสูงเพื่อ NO2, H2 และ CH4 การตอบสนองของ
โครงสร้างที่ได้รับต่อ NO2 และ CH4 ขอขึ้นอยู่กับของ
อุณหภูมิในการทำงาน เพื่อตอบสนองต่อ CH4 เพิ่มขึ้นกับการ
เพิ่มขึ้นของอุณหภูมิในการทำงานในขณะที่การตอบสนองต่อ NO2
ลดลงเป็นหน้าที่ของอุณหภูมิในการทำงานได้ กลุ่มตัวอย่างที่
แสดงให้เห็นการตอบสนองที่ดีที่สุดต่อ H2 ที่ 400 1C สะดวก
วิธีการผลิตและคุณสมบัติการตรวจจับของซิงค์ออกไซด์ที่ได้รับ
โครงสร้างนาโนมีแนวโน้มสำหรับการผลิตของอุปกรณ์เซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สรุป เราได้พัฒนาเทคนิคง่าย ๆสาน nanostructured ซิงค์ออกไซด์เคมีสำหรับเซ็นเซอร์ เรามีการสังเคราะห์โครงสร้างโดยวิธีทางไฟฟ้าเคมีโนไดเซชั่นของฟิล์มบางโลหะที่อุณหภูมิห้องตามความร้อนอบอ่อนที่อุณหภูมิ 400 1C . การวิเคราะห์โครงสร้างและลักษณะพบว่า ZnO เป็นโครงสร้าง polycrystalline ในได้รับรูปร่างของอนุภาคที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 25 นาโนเมตร absorptiondesorptionกลไกในการลดและออกซิไดซ์ก๊าซที่มีผลต่อการชักของเช่นกัน ในรูปของสังเคราะห์สังกะสีเพิ่มขึ้นเมื่อปฏิสัมพันธ์กับการลดก๊าซและลดลงในสถานะของก๊าซออกซิไดส์ และพฤติกรรมทั่วไปของทั่วไป ) โครงสร้าง nanosized แสดงการตอบสนองสูงและ NO2 H2 ร่าง . การตอบสนองของโครงสร้างและ NO2 ได้ต่อร่างขอขึ้นอยู่กับของอุณหภูมิ . การตอบสนองต่อร่างเพิ่มด้วยเพิ่มอุณหภูมิของการทำงาน ในขณะที่การตอบสนองต่อ NO2ลดลงเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิสูง . ตัวอย่างแสดงการตอบสนองที่เหมาะสมต่อการแข่งขันที่ 400 1C . ง่ายการผลิตและคุณสมบัติของวิธีการได้รับสังกะสีนาโนเป็นสัญญาสำหรับการผลิตของอุปกรณ์เซ็นเซอร์