It is well known that if an ionized

It is well known that if an ionized gas
is subjected to a magnetic field, the ionic density is increased throughput
the area covered by the field. The Helmholtz coil, an external magnet
surrounding the sputtering system, uses this principal to enhance
ionization of the sputtering gas. This is due to the fact that the
electronic paths wind themselves around the field lines, increasing the
probability of collision, ionization. This phenomenon is shown
schematically in Figure. 6.4.
If the applied field, DC or RF, is concentrated near the target, and
oriented so that the field lines are parallel to the target surface, secondary
electrons formed during ionic collision concentrate in front of the target
and enhance the ion density. For a given voltage then, the number of
ions available for target bombardment increases, resulting in more atoms
being ejected from the target per unit time, another way of saying the
deposition rate increases.
Secondary electrons formed during diode sputtering are
accelerated to the anode and bombard the substrate. In the magnetron
system, these electrons are diverted to a nearby end shield or anode. An
important consequence of the effect of containing the electrons in the
neighborhood of the target during magnetron sputtering is the
considerable reduction of substrate heating. Table 7-2 compares the
deposition rates of some representative metals sputtered by both
conventional and magnetron methods, and Table 7-3 summarizes the
advantages of sputtering.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มันเป็นที่รู้จักซึ่งถ้ามีก๊าซ ionizedคือสนามแม่เหล็ก ความหนาแน่น ionic จะเพิ่มขึ้นพื้นที่ครอบคลุมฟิลด์ Helmholtz coil มีแม่เหล็กภายนอกรอบระบบ sputtering ใช้หลักนี้ในการเพิ่มionization ของก๊าซ sputtering นี่คือเนื่องจากข้อเท็จจริงที่ว่าการเส้นทางอิเล็กทรอนิกส์ลมเองรอบ ๆ ฟิลด์บรรทัด เพิ่มการน่าชน ionization แสดงปรากฏการณ์นี้schematically ในรูป 6.4ถ้าฟิลด์ใช้ DC หรือ RF จะเข้มข้นใกล้เป้าหมาย และมุ่งเน้นเพื่อให้ฟิลด์บรรทัดขนานกับพื้นเป้าหมาย รองอิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นระหว่างชน ionic ข้นหน้าเป้าหมายและเพิ่มความหนาแน่นของไอออน สำหรับแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด จำนวนสำหรับเป้าหมายระดมยิงเพิ่มขึ้น เกิดอะตอมมากกว่ากันกำลังออกจากเป้าหมายต่อหน่วยเวลา พูดอีกวิธีหนึ่งอัตราการสะสมเพิ่มขึ้นมีสองอิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นในระหว่างการพ่นไดโอดเร่งไปยังแอโนดและ bombard กับพื้นผิว ใน magnetronระบบ มีการเปลี่ยนแปลงอิเล็กตรอนเหล่านี้โล่ปลายหรือขั้วใกล้เคียง มีสัจจะสำคัญของผลของการที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนในการพื้นที่ใกล้เคียงของเป้าหมายระหว่าง magnetron พ่นเป็นการลดความร้อนของพื้นผิวมาก ตารางที่ 7-2 เปรียบเทียบการอัตราการสะสมของโลหะบางตัวแทน sputtered ทั้งทั่วไป และวิธี magnetron และ 7-3 ตารางสรุปการข้อดีของการพ่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่ทราบกันดีว่าถ้าก๊าซบริสุทธิ์อยู่ภายใต้สนามแม่เหล็กความหนาแน่นไอออนิกจะเพิ่มขึ้นผ่านพื้นที่ปกคลุมด้วยทุ่งนา ขดลวด Helmholtz, แม่เหล็กภายนอกโดยรอบระบบสปัตเตอร์ใช้หลักนี้เพื่อเพิ่มไอออไนซ์ของก๊าซสปัตเตอร์ เพราะนี่คือความจริงที่ว่าในเส้นทางอิเล็กทรอนิกส์ลมตัวเองไปรอบ ๆ เส้นสนามที่เพิ่มขึ้นน่าจะเป็นของชนไอออนไนซ์ ปรากฏการณ์นี้จะแสดงแผนผังในรูป 6.4. ถ้าเขตประยุกต์, DC หรือ RF, มีความเข้มข้นใกล้เป้าหมายและมุ่งเน้นเพื่อให้เส้นสนามขนานกับพื้นผิวเป้าหมายรองอิเล็กตรอนเกิดขึ้นในระหว่างการปะทะกันของไอออนสมาธิในด้านหน้าของเป้าหมายและเพิ่มความหนาแน่นของไอออน สำหรับแรงดันไฟฟ้าได้รับแล้วจำนวนของไอออนสามารถใช้ได้สำหรับการเพิ่มขึ้นของการโจมตีเป้าหมายส่งผลให้อะตอมถูกไล่ออกจากเป้าหมายต่อหน่วยเวลาที่วิธีที่บอกอีกอัตราการสะสมเพิ่มขึ้น. อิเล็กตรอนมัธยมศึกษาขึ้นในช่วงสปัตเตอร์ไดโอดจะเร่งให้ขั้วบวกและถล่มพื้นผิว ในแมกนีตรอนระบบอิเล็กตรอนเหล่านี้จะถูกโอนไปเป็นโล่ปลายใกล้เคียงหรือขั้วบวก ผลที่สำคัญของผลกระทบจากการที่มีอิเล็กตรอนในที่พื้นที่ใกล้เคียงของเป้าหมายในช่วงสปัตเตอร์แมกคือการลดความร้อนมากของพื้นผิว ตารางที่ 7-2 เปรียบเทียบอัตราการสะสมของโลหะบางsputtered ตัวแทนจากทั้งวิธีการเดิมและแมกนีตรอนและตารางที่7-3 สรุปข้อดีของสปัตเตอร์