To prove that the observed electrop

To prove that the observed electropulsing-induced microstructure
evolution is not only taken place in some local areas but throughout
the sample, electrical conductivity of the sample before and after the
electropulsing treatment was measured using DO5000 series
Microhmmeter. The measured electrical conductivities before and
after electropulsing treatment are 6.37 × 106 S/m and 7.94 × 106 S/m,
respectively. It increases 24.6%. Matthiessen's rule states that the total electrical resistivity of an impure metal includes the temperaturedependent
intrinsic resistivity (ρ0(T)) arising from the scattering of
electrons by lattice waves or phonons and the residual resistivity
(ρR(c)) caused by the scattering of electrons by impurity atoms and lattice
defects which is temperature independent but dependent on the
impurity concentration (c) [31]. This is represented as

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อพิสูจน์ว่าข้อสังเกตที่เกิด electropulsing จุลภาค
วิวัฒนาการไม่ได้ถ่ายเพียงสถานที่ในพื้นที่บางท้องถิ่น แต่ตลอด
ตัวอย่างการนำไฟฟ้าของกลุ่มตัวอย่างก่อนและหลังการ
รักษา electropulsing ถูกวัดโดยใช้ DO5000 ชุด
MICROHMMETER วัดการนำไฟฟ้าก่อนและ
หลังการรักษา electropulsing 6.37 × 106 S / M และ 7.94 × 106 S / M,
ตามลำดับ มันจะเพิ่ม 24.6% กฎ Matthiessen ฯ ว่าความต้านทานไฟฟ้ารวมของโลหะบริสุทธิ์รวมถึง temperaturedependent
ภายในต้านทาน (ρ0 (T)) ที่เกิดขึ้นจากการกระเจิงของ
อิเล็กตรอนโดยคลื่นตาข่ายหรือโฟนันส์และความต้านทานที่เหลือ
(ρR (c)) ที่เกิดจากการกระเจิงของอิเล็กตรอน โดยอะตอมไม่บริสุทธิ์และตาข่าย
ข้อบกพร่องซึ่งเป็นอุณหภูมิอิสระ แต่ขึ้นอยู่กับ
ความเข้มข้นของการปนเปื้อน (c) [31] นี้จะแสดงเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อพิสูจน์ว่า สังเกต electropulsing เกิดโครงสร้างจุลภาควิวัฒนาการไม่ได้เป็นเพียงสถานที่ถ่ายในบางพื้นที่ แต่ตลอดตัวอย่าง การนำไฟฟ้าของกลุ่มตัวอย่างก่อนและหลังการรักษา electropulsing การวัด do5000 ซีรี่ส์microhmmeter . วัดไฟฟ้า conductivities ก่อนและหลังจากการรักษา electropulsing 6.37 × 106 S / M และ 7.94 × 106 S / Mตามลำดับ มันเพิ่ม 24.6 % แมตทีเซิ่นเป็นกฎระบุว่า สภาพต้านทานไฟฟ้ารวมของโลหะกาลรวมถึง temperaturedependentค่าความต้านทานภายใน ( ρ 0 ( t ) ) ที่เกิดจากการกระจายของอิเล็กตรอนโดยคลื่นขัดแตะ หรือโฟนอนและความต้านทานตกค้าง( ρ R ( c ) ) ที่เกิดจากการกระจายของอิเล็กตรอนจากอะตอม ความสกปรกและตาข่ายข้อบกพร่องที่เป็นอิสระ แต่ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิบริสุทธิ์เข้มข้น ( C ) [ 31 ] นี้จะแสดงเป็น