the high electricalproperties have

the high electrical
properties have been observed
The using seed induce method
has been reported by Li et al. [4]. They studied the perovskite phase
formation and electrical properties of Pb(Zn1/3Ta2/3)O3 ceramic
prepared using PbTiO3 seeds and found that the pure perovskite
phase of seed added samples can be formed at low calcination
temperatures and the seed added sample showed a high dielectric
constant (er) and low dielectric loss (tan d). Ye et al. [5] reported the
effect of BaTiO3 (BT) template particles which were prepared by
the molten salt method on the electrical properties of
Ba0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3. It was found that their ceramics used a
low calcination temperature of 1100
C and the textured BCZT
ceramics (BT templates added) showed piezoelectric coefficient
(d33 470 pC/N), electromechanical coefficient (kp 40%) and Curie
temperature (TC) higher than the sample without BT templates. Ye
et al. [6] also studied the comparison between the normal and hot
pressing method on the electrical properties of the
Ba0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3 ceramic in both of the ceramics without
BT template and the textured BCZT ceramic (using BT template).
They found that the textured BCZT sample showed values of d33, kp
and T
c higher than non BT template samples for both of the normal
and hot pressing methods

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สูงการไฟฟ้ามีการตรวจสอบคุณสมบัติ การใช้เมล็ดวิธีที่ก่อให้เกิดมีการรายงานโดย Li et al. [4] พวกเขาศึกษาระยะ perovskiteกำเนิดและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิก Pb (Zn1/3Ta2/3) O3ใช้เมล็ด PbTiO3 และพบว่า perovskite บริสุทธิ์เพิ่มระยะของเมล็ดตัวอย่างสามารถเกิดขึ้นที่เผาต่ำอุณหภูมิและเมล็ดพืชตัวอย่างที่แสดงให้เห็นว่า dielectric สูงเพิ่มค่าคง (เอ้อ) และขาดทุนเป็นฉนวนต่ำ (tan d) Ye et al. [5] รายงานการผลของอนุภาคแม่ BaTiO3 (BT) ซึ่งถูกจัดทำโดยวิธีเกลือหลอมละลายในคุณสมบัติทางไฟฟ้าของBa0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3 ก็พบว่าการเคลือบที่ใช้เป็นอุณหภูมิเผาต่ำ 1100 C และ BCZT พื้นเครื่องเคลือบ (บีทีแม่แบบ) แสดงสัมประสิทธิ์ piezoelectric(d33 470 pC/N), สัมประสิทธิ์โดยกว่า (kp 40%) และปีแอร์กูรีอุณหภูมิ (TC) สูงกว่าอย่างไม่มีแบบบีที เยร้อยเอ็ด al. [6] นอกจากนี้ยังศึกษาเปรียบเทียบระหว่างปกติ และร้อนกดวิธีบนคุณสมบัติทางไฟฟ้าของการBa0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3 เซรามิคทั้งเครื่องเคลือบโดยแม่บีทีและเซรามิก BCZT ที่ผิว (โดยใช้ต้นแบบบีที)พวกเขาพบตัวอย่าง BCZT พื้นแสดงให้เห็นว่าค่าของ d33, kpและ Tc สูงกว่าบีทีไม่ใช่ตัวอย่างแม่แบบทั้งปกติและวิธีการรีดร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไฟฟ้าสูงคุณสมบัติได้รับการปฏิบัติโดยใช้วิธีการเหนี่ยวนำให้เกิดเมล็ดพันธุ์ที่ได้รับรายงานจากLi et al, [4] พวกเขาศึกษาระยะ perovskite การก่อตัวและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของตะกั่ว (Zn1 / 3Ta2 / 3) เซรามิก O3 เตรียมใช้เมล็ด PbTiO3 และพบว่า perovskite บริสุทธิ์ขั้นตอนของเมล็ดเพิ่มตัวอย่างสามารถเกิดขึ้นในการเผาต่ำอุณหภูมิและเมล็ดตัวอย่างเพิ่มพบว่ามีสูงอิเล็กทริกคงที่ (เอ้อ) และการสูญเสียอิเล็กทริกต่ำ (สีน้ำตาลง) เจ้า et al, [5] รายงานผลของBaTiO3 (BT) อนุภาคแม่แบบที่ถูกจัดทำขึ้นโดยวิธีเกลือหลอมเหลวที่มีต่อสมบัติทางไฟฟ้าของBa0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3 มันก็พบว่าเซรามิกของพวกเขาที่ใช้อุณหภูมิในการเผาต่ำของ? 1100? C และ BCZT พื้นผิวเซรามิก(BT แม่เพิ่ม) พบว่าค่าสัมประสิทธิ์การ piezoelectric (D33? 470 PC / N) สัมประสิทธิ์การไฟฟ้า (KP 40%) และกูอุณหภูมิ( TC) สูงกว่ากลุ่มตัวอย่างโดยไม่ต้อง BT แม่แบบ เจ้าet al, [6] นอกจากนี้ยังมีการศึกษาเปรียบเทียบระหว่างปกติและร้อนวิธีบีบในคุณสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกBa0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3 ทั้งของเซรามิกโดยไม่มีแม่แบบBT และเซรามิก BCZT พื้นผิว (ใช้แม่แบบ BT). พวกเขา พบว่ากลุ่มตัวอย่าง BCZT พื้นผิวมีค่าของ D33, KP และ T คสูงกว่าไม่ใช่ BT ตัวอย่างแม่แบบสำหรับทั้งสองปกติวิธีการที่เร่งด่วนและร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติทางไฟฟ้าได้พบ

สูงโดยใช้เมล็ดวิธีชักจูง
ได้รับการรายงานโดย Li et al . [ 4 ] พวกเขาได้ศึกษาเพอรอฟสไกต์เฟส
รูปแบบและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ Pb ( zn1 / 3ta2 / 3 ) O3
เตรียมเซรามิกโดยใช้เมล็ด pbtio3 และพบว่าบริสุทธิ์เพอรอฟสไกต์เฟสของเมล็ดเพิ่ม

ตัวอย่างที่สามารถเกิดขึ้นในการเผาต่ำอุณหภูมิ และเมล็ดพันธุ์ เพิ่มตัวอย่างพบว่าฉนวนสูง
คงที่ ( ER ) และการสูญเสียไดอิเล็กทริกต่ำ ( Tan D ) ท่าน et al . [ 5 ] รายงานผลของ batio3 ( BT ) แม่แบบอนุภาคที่เตรียมได้โดยละลายเกลือ
วิธีต่อสมบัติทางไฟฟ้าของ
ba0.85ca0.15zr0.10ti0.90o3 . พบว่า เครื่องเคลือบของใช้
ต่ำอุณหภูมิการเผาของ  1100
C และพื้นผิว bczt
เครื่องเคลือบ ( BT แม่แบบเพิ่ม ) พบว่าสัมประสิทธิ์ piezoelectric
( d33  470 PC / n ) ค่าสัมประสิทธิ์ ( ( KP  40% ) และอุณหภูมิคูรี
( TC ) สูงกว่าตัวอย่างไม่มี BT แม่แบบ ท่าน
et al . [ 6 ] นอกจากนี้ยังได้ศึกษาเปรียบเทียบระหว่างปกติและร้อน
กดวิธีต่อสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกใน ba0.85ca0.15zr0.10ti0.90o3

ทั้งของเซรามิกส์โดยแม่แบบสำหรับพื้นผิว bczt เซรามิค ( โดยใช้แม่แบบ BT )
พวกเขาพบว่าพื้นผิว bczt ตัวอย่าง พบค่า d33 KP
T
, C สูงกว่าตัวอย่างแม่แบบ BT ไม่ทั้งปกติและวิธีการ

อัดร้อน