Depositing B-doped silicon-rich Sio

Depositing B-doped silicon-rich Sio2 (SRo) thin films with subse- quent high-temperature annealing is one of the most popular methods for preparing Sio2-matrix B-doped Si-Nc (BDs) thin films (4-81 Most of the B-doped Si Ncs were "geometrically isolated" in theamorphous ma- trix (4,7,81. The dangling bonds and other defects (non-bridging oxygen hole center, dangling bonds and oxygen-related defects) preferentially generated at the grain boundaries, which would reduce the carrier con- centration and efficiency of light emission 9-11

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฝาก Sio2 ที่อุดมไปด้วยซิลิคอนเจือ B กับหลอมอุณหภูมิสูงเข่น quent ฟิล์มบาง (SRo) เป็นหนึ่งในวิธีที่นิยมมากที่สุดสำหรับการเตรียมฟิล์มบางของ Sio2 เมตริกซ์ B เจือศรี-Nc (BDs) (4-81 มากที่สุดของ B เจือ ศรี Ncs ถูก "ทางเรขาคณิตแยก" ใน theamorphous ma-trix (4,7,81 พันธบัตรห้อยและข้อบกพร่องอื่น ๆ (ไม่ใช่เชื่อมออกซิเจนหลุมกลาง พันธบัตรห้อยและข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับออกซิเจน) ก่อนสร้างที่แป ซึ่งจะลดประสิทธิภาพแสงปล่อย 9-11 และผู้ขนส่งคอน-centration

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฝากซิลิกอนที่อุดมไปด้วย SiO2 (SRO) ฟิล์มบาง B-เจือด้วย subse- Quent หลอมที่อุณหภูมิสูงเป็นหนึ่งในวิธีที่นิยมมากที่สุดสำหรับการเตรียมความพร้อม SiO2 แมทริกซ์ฟิล์มบาง B-เจือ Si-ร์ทแคโรไลนา (BDs) (4-81 ส่วนใหญ่ B-เจือศรี Ncs เป็น "แยกทางเรขาคณิต" ใน Trix ma- theamorphous (4,7,81. พันธบัตรห้อยและข้อบกพร่องอื่น ๆ (ที่ไม่ใช่การแก้ใจกลางหลุมออกซิเจนห้อยพันธบัตรและข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับออกซิเจน) สร้างขึ้นพิเศษในเมล็ดข้าว ขอบเขตซึ่งจะลดให้บริการ centration งและประสิทธิภาพของการปล่อยแสง 9-11

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฝาก b-doped SiO2 รวยซิลิคอน ( SRO ) ฟิล์มบางด้วย subse - เคว็นอุณหภูมิการอบอ่อน เป็นหนึ่งในวิธีที่นิยมมากที่สุดสำหรับการเตรียมซิลิกอนไดออกไซด์เมทริกซ์ b-doped Si NC ( ให้ ) ฟิล์มบาง ( 4-81 ของ b-doped ศรี NCS ส่วนใหญ่เป็น " วิธีแยก " ใน theamorphous MA - ทริกซ์ ( 4,7,81 . ที่ห้อยพันธบัตรและข้อบกพร่องอื่น ๆ ( ไม่ใช่แก้ศูนย์รูออกซิเจนห้อยพันธบัตรและออกซิเจนที่เกี่ยวข้องกับข้อบกพร่อง ) preferentially สร้างรอยเม็ด ซึ่งจะลดผู้ให้บริการคอน - centration และประสิทธิภาพของการจัดแสง