To survive, the RNA-like oligomers should be resistant not only to solar UV
light but also to the (photo)chemical activity of ZnS itself. The reducing potential
of photoexcited ZnS is in the range of between -1.0 V and -2.0 V, depending onthe crystal structure [149,154,295]. This is low enough to reduce CO2 (see Fig.
1), but insufficient to reduce any of the nucleobases that all have reducing potentials
of less than -2.0 V [296,297]. On the other hand, as indicated by the energy
diagram of Fig. 1, the holes that are formed in photoexcited ZnS have an oxidizing
potential of > 2 V [154,190] and can potentially oxidize almost any adsorbed
organic molecule, including nucleobases or nucleotides. Such an oxidation, however,
is unlikely for two reasons. First, since ZnS is an n-type semiconductor,
the holes, unlike electrons, are not mobile [298]. Second, ZnS contains intrinsic
electron donors, namely sulfur anions (S2-), which should “outrun” external
electron donors and reduce the immobile holes, yielding sulfur anion radicals,
S·-[298,299]. The formed S·-radicals could either dismutate according to eq. 2,
with the formation of disulfide anions [300], or they could be reduced by external
hole scavengers (see eqs. 3 and 4 and [278]), or they could interact with organic
compounds yielding their sulfo-derivates; in any case, however, they should not
be able to oxidize nucleobases or nucleotides that all have oxidizing potentials
above 1.2 V at neutral pH [301].
เพื่อความอยู่รอด oligomers เช่นอาร์เอ็นเอจะทนไม่เท่ากับแสง UVไฟแต่ยังรวมถึงกิจกรรมเคมี (ภาพ) ของ ZnS เอง ศักยภาพลดลงของ photoexcited ZnS อยู่ในช่วงของระหว่าง-1.0 V-2.0 V ขึ้นอยู่กับโครงสร้างผลึก [149,154,295] นี้อยู่ในระดับต่ำพอที่ลด CO2 (ดูฟิก1), แต่พอลดใด ๆ nucleobases ว่า ทั้งหมดมีศักยภาพลดลงของน้อยกว่า-2.0 V [296,297] บนมืออื่น ๆ ตามที่ระบุ โดยพลังงานไดอะแกรมของ Fig. 1 หลุมที่เกิดขึ้นใน photoexcited ZnS มีการรับอิเล็กตรอนศักยภาพของ > 2 V [154,190] และสามารถอาจออกเกือบใด ๆ adsorbedอินทรีย์โมเลกุล nucleobases หรือนิวคลีโอไทด์ เช่นการออกซิเดชัน อย่างไรก็ตามไม่น่าจากสาเหตุสองประการ แรก เนื่องจาก ZnS เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด nไม่มีหลุม ต่างจากอิเล็กตรอน โทรศัพท์มือถือ [298] สอง ZnS ประกอบด้วย intrinsicผู้บริจาคอิเล็กตรอน ได้แก่กำมะถัน anions (S2-), ซึ่งควร "outrun" ภายนอกผู้บริจาคอิเล็กตรอน และลดหลุม immobile ผลผลิตซัลเฟอร์อนุมูล anionS·- [298,299] S·-อนุมูลมีรูปแบบอย่างใดอย่างหนึ่งสามารถ dismutate ตาม eq. 2มีการก่อตัวของไดซัลไฟด์ anions [300], หรือพวกเขาอาจจะลดลง โดยภายนอกหลุม scavengers (ดู eqs 3 และ 4 และ [278]), หรือพวกเขาไม่สามารถโต้ตอบกับอินทรีย์สารผลผลิตของ sulfo-derivates อย่างไรก็ตาม พวกเขาไม่ควรสามารถออกซิไดซ์ nucleobases หรือนิวคลีโอไทด์ที่มีศักยภาพการรับอิเล็กตรอนเหนือ 1.2 V ที่ pH เป็นกลาง [301]
การแปล กรุณารอสักครู่..
