To verify the effect of crystallini

To verify the effect of crystallinity of the products on UV
emission wavelength, the Room Temperature Photo Lumines-
cence spectra were recorded at the excitation wavelength of
325 nm for the nano ZnO rods A2 and A3 with Xe light as the
excitation source. In Fig. 6, the PL spectrum for synthesized nano
rods A2 and A3 consists of high intense peaks centered at
378.35 nm and 380.34 nm and peaks at 408 nm (NBE).
The PL signal at 400 nm is a typical ZnO UV emission wave-
length [27]. It was observed that the UV emission peaks at
380.34 nm and 408 nm of the A3 rods have higher intensity
(337.3/au and 256/au) compared to those of A2 rods (302.2/au
and 207/au). This also confirms the data obtained from XRD that
A3 rods have high crystallinity. The PL spectrum also has two
weak emission peaks at 474 nm and 518 nm. The UV emission
peak which is also known as near band emission (NBE) could be
attributed to the recombination of free excitons through an
exciton–exciton collision process [28]. The blue transition at
474 nm is caused due to transition from the level of ionized
oxygen vacancy to the valence band. The green emission, called
deep-level emission occurring by the recombination of the photo-
generated holes with singly ionized oxygen vacancies in ZnO, is
centered at 518 nm [29]. As the ratio of the intensity of the NBE
peaks and green emission peaks are high, our ZnO rods synthe-
sized by a microwave assisted simple chemical precipitation
technique have good optical properties [30] and so have less
concentration of oxygen vacancies. Besides, the increased inten-
sity of the deep-level emission in A3 compared to A2 reveals that
the increased concentration of OH ions enhances the surface
defects A3 rod greatly [31].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อตรวจสอบผลของ crystallinity ของผลิตภัณฑ์ UV
ปล่อยก๊าซความยาวคลื่น อุณหภูมิห้องภาพ Lumines-
cence แรมสเป็คตราถูกบันทึกได้ที่ความยาวคลื่นในการกระตุ้นของ
325 nm สำหรับนาโน ZnO ก้าน A2 และ A3 กับแสงเป็น Xe
แหล่งในการกระตุ้น Fig. 6 สเปกตรัม PL สำหรับนาโนสังเคราะห์
ก้าน A2 และ A3 ประกอบด้วยยอดเขาสูงที่รุนแรง
378.35 nm และ 38034 นาโนเมตรและยอดเขาที่ 408 nm (NBE) .
PL สัญญาณที่ 400 nm เป็นตัวปกติ ZnO UV เล็ดรอดคลื่น-
ยาว [27] มันถูกพบว่า ยอดมลพิษ UV ที่
380.34 nm และ 408 nm ของก้าน A3 มีความเข้มสูง
(337.3/au และ 256/au) เปรียบเทียบ A2 ก้าน (302.2/au
และ 207/au) Confirms นี้ยังได้รับข้อมูลจาก XRD ที่
ก้าน A3 มี crystallinity สูง สเปกตรัม PL มีสอง
ยอดอ่อนปล่อยก๊าซที่ 474 nm และ 518 nm มลพิษ UV
พีคซึ่งจะเรียกอีกอย่างว่าใกล้วงเล็ดรอด (NBE) อาจ
บันทึก recombination ของ excitons ฟรีผ่านการ
exciton – exciton ชนกระบวนการ [28] ช่วงการเปลี่ยนภาพสีน้ำเงินที่
474 nm เกิดเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงจากระดับ ionized
ออกซิเจนตำแหน่งว่างให้วงเวเลนซ์ ปล่อยก๊าซสีเขียว เรียก
ลึกระดับมลพิษที่เกิดขึ้น โดย recombination ของภาพ-
เป็นหลุมสร้าง ด้วยออกซิเจนเดี่ยว ionized ตำแหน่งใน ZnO
518 nm [29] เป็นอัตราส่วนของความเข้มของการ NBE
ยอดเขาและยอดเขาเขียวปล่อยก๊าซจะสูง ของ ZnO ก้าน synthe-
ขนาด โดยการฝนเคมีอย่างไมโครเวฟช่วย
เทคนิคมีคุณสมบัติแสงดี [30] และได้มีน้อย
ความเข้มข้นของออกซิเจนตำแหน่ง นอก เพิ่ม inten-
sity ของมลพิษระดับลึกในเมื่อเทียบกับ A2 A3 เผยที่
ผิวช่วยเพิ่มความเข้มข้นของประจุ OH
ข้อบกพร่องร็อด A3 มาก [31]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อตรวจสอบผลกระทบของผลึกของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวกับรังสียูวี
ความยาวคลื่นปล่อยรูปภาพอุณหภูมิห้อง Lumines-
cence สเปกตรัมถูกบันทึกไว้ที่ความยาวคลื่นกระตุ้นของ
325 นาโนเมตรสำหรับแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ A2 และ A3 ด้วยแสง Xe เป็น
แหล่งที่มากระตุ้น ในรูปที่ 6 PL สเปกตรัมเพื่อสังเคราะห์นาโน
แท่ง A2 และ A3 ประกอบด้วยยอดเขาสูงที่รุนแรงศูนย์กลางที่
? 378.35 นาโนเมตรและ? 380.34 นาโนเมตรและยอดเขาที่? 408 นาโนเมตร (NBE)
สัญญาณ PL ที่ 400 นาโนเมตรเป็นคลื่นรังสียูวีซิงค์ออกไซด์ทั่วไป -
ระยะเวลา [27] มันถูกตั้งข้อสังเกตว่ายอดการปล่อยรังสียูวีที่
380.34 นาโนเมตรและ 408 นาโนเมตรของแท่ง A3 มีความเข้มสูง
(337.3/au และ 256/au) ​​เมื่อเทียบกับที่ของแท่ง A2 (302.2/au
และ 207/au) นอกจากนี้ยังยืนยันข้อมูลที่ได้รับจาก XRD ที่
แท่ง A3 มีผลึกสูง สเปกตรัม PL ยังมีสอง
ยอดการปล่อยที่อ่อนแอ? 474 นาโนเมตรและ 518 นาโนเมตร การปล่อยรังสียูวี
สูงสุดซึ่งเป็นที่รู้จักกันปล่อยใกล้ band (NBE) สามารถนำมา
ประกอบกับการรวมตัวกันอีกของเอ็กซิตอนฟรีผ่าน
ขั้นตอนการปะทะกัน exciton-exciton [28] การเปลี่ยนแปลงสีฟ้าที่
474 นาโนเมตรมีสาเหตุมาจากการเปลี่ยนแปลงจากระดับของไอออน
ว่างออกซิเจนไปยังวงจุ ปล่อยสีเขียวที่เรียกว่า
การปล่อยระดับลึกเกิดขึ้นโดยการรวมตัวกันอีกของภาพ
หลุมสร้างขึ้นด้วยการแตกตัวเป็นไอออนเดี่ยวว่างออกซิเจนในซิงค์ออกไซด์เป็น
ศูนย์กลางที่? 518 นาโนเมตร [29] เป็นอัตราส่วนของความเข้มของ NBE
ยอดและยอดการปล่อยสีเขียวสูงแท่งซิงค์ออกไซด์ของเรา SYNTHE-
ขนาดโดยไมโครเวฟช่วยตกตะกอนสารเคมีง่าย
เทคนิคมีคุณสมบัติทางแสงที่ดี [30] และเพื่อให้มีน้อยกว่า
ความเข้มข้นของออกซิเจนที่ว่าง นอกจากนี้ยังเพิ่มขึ้น Inten-
Sity ของการปล่อยลึกในระดับ A3 เมื่อเทียบกับ A2 แสดงให้เห็นว่า
มีความเข้มข้นที่เพิ่มขึ้นของ OH? ไอออนช่วยเพิ่มพื้นผิว
ข้อบกพร่อง A3 คันอย่างมาก [31]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อตรวจสอบผลกระทบของชนิดของผลิตภัณฑ์ในการปล่อยรังสี UV ความยาวคลื่น
อุณหภูมิห้องภาพถ่าย Lumines -
cence สเปกตรัมได้ถูกบันทึกไว้ที่ความยาวคลื่นกระตุ้น
325 nm สำหรับนาโนซิงค์ออกไซด์ A2 และ A3 กับ XE แท่งไฟเป็น
01 ในรูปที่ 6 , คลื่นความถี่ PL สังเคราะห์นาโน
A2 และ A3 ประกอบด้วยแท่งสูงเข้มข้นยอดอยู่ตรงกลาง
 378.35 nm และ  380 .34 nm และยอดเขาที่  408 nm ( ถูก )
สัญญาณที่คุณ  400 nm เป็นปกติการปล่อยคลื่นไฟฟ้ายูวี -
ความยาว [ 27 ] พบว่าสารมลพิษ UV ยอดที่
380.34 nm และ 408 nm ของ A3 แท่งมีความเข้มสูง (
337.3/au และ 256 / AU ) เปรียบเทียบกับแท่ง A2 ( 302.2 / AU
207 / AU ) คอนนี้ยังถ่ายทอดเรื ข้อมูลที่ได้จาก XRD ที่
A3 กระบอกมีความเป็นผลึกสูง พียังมีสอง
สเปกตรัมยอดอ่อนที่ปล่อย  474 nm และ 656 nm . รังสี UV
สูงสุดซึ่งเป็นที่รู้จักกันในวงการ ( ใกล้จะ ) สามารถ ประกอบกับการรวมตัวของ excitons

exciton –ฟรีผ่านกระบวนการ exciton ชน [ 28 ] การเปลี่ยนสีฟ้า
474 nm เกิดจากการเปลี่ยนแปลงจากระดับออกซิเจนบริสุทธิ์เพื่อความจุ
ว่างวง การปล่อยสีเขียว เรียกว่า
ระดับมลพิษที่เกิดขึ้นจากการรวมตัวของรูปถ่าย -
สร้างหลุมเดี่ยวออกซิเจนบริสุทธิ์ที่ว่างใน ZnO ,
ศูนย์กลางที่  518 nm [ 29 ] เมื่ออัตราส่วนของความเข้มของการหุบและหุบเป็น
สีเขียวสูงของเรา สังกะสีแท่งบางครั้ง -
ขนาด โดยการตกตะกอนทางเคมีด้วยเทคนิคไมโครเวฟง่ายๆ
มีแสงที่ดี คุณสมบัติ [ 30 ] ดังนั้นมีน้อย
อัตราความเข้มข้นของออกซิเจน นอกจากนี้ inten -
sity เพิ่มขึ้นของระดับลึกต่อ A3 A2
เปรียบเทียบพบว่า ความเข้มข้นที่เพิ่มขึ้นของโอ  ไอออนเพิ่มพื้นผิว
ข้อบกพร่อง A3 คันมาก [ 31 ]