Highly dispersed Cu and ZnO particl

Highly dispersed Cu and ZnO particles were successfully
deposited on alumina in a fluidized-bed reactor using the
compounds bis[bis(trimethylsilyl)amido]zinc and copper
(II)diethylamino-2-propoxide as CVD precursors. Only
with samples prepared under mild conditions using the
two-step method, were small Cu particles and large Cu
surface areas achieved, whereas the deposition of the Cu
precursor at high temperatures in one step led to the
formation of large Cu particles with diameters above 15 nm.
By repeating the two-step Cu CVD, the Cu content was
found to increase linearly, and a specific Cu surface area of
7.7 m2 g
1 was obtained after 7 cycles. The Al2O3-supported
samples containing both Cu and ZnO were catalytically
active in methanol synthesis and exhibited high TOFs. The
varied sequence of the CVD of Cu and ZnO on alumina led
to catalysts with similar activities in the case of similar
specific Cu areas. The additional deposition of ZnO on a
commercial ternary catalyst resulted in a strong decrease of
the Cu surface area, but in an increase of the methanol TOF.
All samples prepared by the two-step method were also
active in the SRM.
coating relatively uniformly covered the foam surface,
as presented in Figs. 2b and 3b. The reduction with H2
led to disappearance of visible cracks. Formation of
these microstructures could be explained by complex
mass transport mechanism that occurred at elevated
temperature during the reduction. At the reduction
conditions, Ni particles gained sufficient mobility and
migrated, which resulted in formation of contacts
between particles and their growth. No agglomerates
occurred in any of the reduced samples

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขยายอนุภาค Cu และ ZnO ได้สำเร็จฝากบนอลูมินาในไฮโดรเครื่องปฏิกรณ์ที่ใช้ในสารประกอบทวิ [bis (trimethylsilyl) อยู่] สังกะสีและทองแดง(II) diethylamino 2 propoxide เป็นสารตั้งต้นของ CVD เท่านั้นตัวอย่างที่เตรียมไว้ภายใต้เงื่อนไขที่ไม่รุนแรงโดยใช้การสองขั้นตอนวิธี อนุภาค Cu ที่ขนาดเล็กและขนาดใหญ่ Cuพื้นผิวบริเวณที่ประสบความสำเร็จ ขณะที่การสะสมของ Cuสารตั้งต้นที่อุณหภูมิสูงในขั้นตอนเดียวนำไปสู่การก่อตัวของอนุภาคขนาดใหญ่ Cu กับเส้นผ่าศูนย์กลางมากกว่า 15 nmโดย CVD Cu ของสองขั้นตอนการทำซ้ำ แก้ไขเนื้อหา Cuพบว่าเพิ่มเชิงเส้น และ Cu ผิวบริเวณของ7.7 m2 g 1 ได้รับหลังจากรอบที่ 7 Al2O3 สนับสนุนตัวอย่างที่ประกอบด้วย Cu และ ZnO ได้ catalyticallyใช้งานในการสังเคราะห์เมทานอลและจัดแสดง TOFs สูง การลำดับของ CVD ของ Cu และ ZnO บนอลูมินานำที่แตกต่างกันถึงสิ่งที่ส่งเสริมกับกิจกรรมคล้ายคลึงกันในกรณีคล้ายกันพื้นที่เฉพาะ Cu การสะสมเพิ่มเติมของ ZnO ในการเศษแบบไตรภาคเชิงพาณิชย์ส่งผลให้แข็งแรงลดลงพื้นที่ผิว Cu แต่การเพิ่มขึ้นของเมทานอล TOFตัวอย่างทั้งหมดที่เตรียม โดยวิธีการสองขั้นตอนก็ใช้งานในการ SRMเคลือบค่อนข้างสม่ำเสมอปกคลุมผิวโฟมตามที่แสดงในมะเดื่อ. 2b 3b ลดกับ H2นำไปสู่การหายไปของรอยร้าวที่มองเห็นได้ ก่อตัวของฟังก์เหล่านี้สามารถอธิบายได้ โดยคอมเพล็กซ์กลไกการขนส่งมวลชนที่เกิดขึ้นที่ยกระดับอุณหภูมิในระหว่างการลด ในการลดเงื่อนไข อนุภาค Ni รับจำนวนเพียงพอ และโยกย้าย ซึ่งส่งผลให้ในการติดต่อระหว่างอนุภาคและการเติบโต ไม่ agglomeratesเกิดขึ้นในตัวอย่างลดลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทองแดงและสังกะสีสูงกระจายไปได้เรียบร้อยแล้วฝากบนอะลูมินา ในเครื่องปฏิกรณ์แบบฟลูอิไดซ์เบดโดยใช้สารประกอบ ทวิ [ บิส ( ไตรเมทิล amido สังกะสีและทองแดง( 2 ) เป็นสารตั้งต้น diethylamino-2-propoxide ซีวีดี . เพียงกับตัวอย่างที่เตรียมภายใต้ภาวะที่ไม่รุนแรง โดยใช้วิธีที่ 2 คือ อนุภาคขนาดเล็กกับขนาดใหญ่และจุฬาฯพื้นที่ผิวสำเร็จ ส่วนสะสมของทองแดงสารตั้งต้นที่อุณหภูมิสูงในขั้นตอนเดียวนำไปสู่การสร้างอนุภาคทองแดงขนาดใหญ่ที่มีขนาดสูงกว่า 15 nm .โดยการใช้วิธีแบบสองขั้นตอน , ลบเนื้อหา คือพบเพื่อเพิ่มน้ำหนัก และเฉพาะพื้นที่ผิว ของจุฬาฯG1 7.7 M2 ได้ หลังจาก 7 รอบ โดย Al2O3 ได้รับการสนับสนุนตัวอย่าง ที่มีทั้ง ทองแดง และสังกะสี เป็น catalyticallyที่ใช้ในการสังเคราะห์เมทานอลและจัดแสดง tofs สูง ที่ลําดับที่แตกต่างกันของโรคหัวใจและหลอดเลือด ของทองแดง และซิงค์ออกไซด์บนอะลูมินา นำกับ 2 กิจกรรมคล้ายคลึงกัน ในกรณีที่คล้ายคลึงกันพื้นที่จุฬาฯ ที่เฉพาะเจาะจง คำให้การเพิ่มเติมของซิงค์ออกไซด์บนพาณิชย์ประกอบไปด้วยตัวเร่งปฏิกิริยาส่งผลให้แข็งแรงเพิ่มขึ้นจุฬาฯ พื้นที่ผิว แต่การเพิ่มขึ้นของเมทานอล tof .ทุกตัวอย่างที่เตรียมโดยวิธีที่ 2 ยังการใช้งานในโครงสร้างค่อนข้างครอบคลุมพื้นผิวเคลือบโดยโฟมที่นำเสนอในผลมะเดื่อ . 2B 3B ลดกับ H2 และ .นำไปสู่การหายตัวไปของรอยแตกที่มองเห็นได้ การก่อตัวของโครงสร้างเหล่านี้สามารถอธิบายได้โดยที่ซับซ้อนการขนส่งมวลกลไกที่เกิดขึ้นที่สูงอุณหภูมิในการลด ที่ลดเงื่อนไขผมอนุภาคได้รับการเคลื่อนไหวที่เพียงพอและอพยพ ซึ่งส่งผลให้เกิดการติดต่อระหว่างอนุภาคและการเจริญเติบโตของพวกเขา ไม่รวมเกิดขึ้นในใด ๆของการลดคน