Zinc oxide thin films have been gro

Zinc oxide thin films have been grown on glass substrate at room temperature by electron beam
evaporation and then were annealed in annealing pressure 600 mbar at different temperatures ranging
from 250 to 550
C for 30 min.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ได้เติบโตบนพื้นผิวแก้วที่อุณหภูมิห้อง โดยลำแสงอิเล็กตรอนระเหยแล้ว ถูก annealed ในการอบเหนียวความดัน 600 mbar ที่อุณหภูมิแตกต่างกันตั้งแต่จาก 250 ถึง 550 C สำหรับ 30 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังกะสีออกไซด์ฟิล์มบางได้รับการปลูกบนพื้นผิวแก้วที่อุณหภูมิห้องโดยลำแสงอิเล็กตรอนระเหยและจากนั้นได้รับการอบความดัน 600 เอ็มบาร์หลอมที่อุณหภูมิแตกต่างกันตั้งแต่ 250-550 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 30 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ได้ถูกปลูกบนแผ่นแก้วที่อุณหภูมิห้องโดยการระเหยบีม
อิเล็กตรอนและแล้วอบในขนาดแรงดัน 600 มิลลิบาร์ที่อุณหภูมิแตกต่างกันตั้งแต่
จาก 250 550
C เป็นเวลา 30 นาที