the crystal structure was analyzed

the crystal structure was analyzed using an X-ray diffractometer. and the surface morphology was examined with a field emission scanning electron microscope.Electrical measurements were carried out after screen-printing Ag paste on both sides of a disk-shaped specimen and subsequent firing at 700 for 30 min.The electric-field-induced strain measurement was carried out using a linear variable differential transducer.The piezoelectric constant d33 was determined using a Berlin-court d33-meter after poling samples under an electric field of 5kV/mm at 80 for 15 min.The dielectric constant,loss tangent,planar piezoelectric coupling coefficient and mechanical quality factor of poled specimens were characterized with an impedance analyzer on the basis of IEEE standards.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างผลึกถูกวิเคราะห์โดยใช้การ X-ray diffractometer และสัณฐานวิทยาผิวถูกตรวจสอบ ด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดของการปล่อย การวัดไฟฟ้าได้ดำเนินการหลังจาก screen-printing Ag วางทั้งสองด้านของชิ้นงานรูปดิสก์และยิงตามมาที่ 700 30 นาที การวัดไฟฟ้าฟิลด์เกิดสายพันธุ์ที่ถูกดำเนินการโดยใช้พิกัดที่แตกต่างกันเชิงเส้นตัวแปร D33 คง piezoelectric ที่กำหนดใช้ศาลเบอร์ลิน d33 เมตรหลังจาก poling ตัวอย่างภายใต้สนามไฟฟ้า 5kV/มม. ที่ 80 15 นาที คงเป็นฉนวน แทนเจนต์สูญเสีย สัมประสิทธิ์คลัป piezoelectric ระนาบ และปัจจัยคุณภาพกล poled อย่างถูกลักษณะ ด้วยการวิเคราะห์ความต้านทานบนพื้นฐานของมาตรฐาน IEEE

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างผลึกเป็นแบบเอ็กซ์เรย์ดิฟแฟรกโทมิเตอร์ . และลักษณะพื้นผิว ทำการทดสอบด้วยการปล่อยข้อมูลกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน วัดไฟฟ้า พบว่าหลังจากการพิมพ์หน้าจอโดยวางบนทั้งสองด้านของ disk-shaped ตัวอย่างและภายหลังการเผาที่ 700 สำหรับ 30 นาที สนามไฟฟ้าเหนี่ยวนำการวัดความเครียดได้ดําเนินการใช้เชิงเส้นตัวแปรอนุพันธ์ transducer piezoelectric . d33 คงตั้งใจใช้เบอร์ลิน ศาล d33 เมตรหลังจากถ่อตัวอย่างภายใต้สนามไฟฟ้าของ 5kv / mm ที่ 80 เป็นเวลา 15 นาที แทนเจนต์การสูญเสียคงที่ไดอิเล็กทริกค่าสัมประสิทธิ์แบบเพียโซอิเล็กทริกในแนวระนาบ , ปัจจัยคุณภาพเชิงกลของชิ้นงานด้วยเครื่องวิเคราะห์ลักษณะ poled อิมพีแดนซ์บนพื้นฐานของมาตรฐาน IEEE