Fig. 4 shows the carrier concentrat

Fig. 4 shows the carrier concentration, electron mobility, electrical and power factor for the Bi-Te films.
As the annealing temperature increases, the carrier concentration and mobility vary in the opposition direction, the carrier concentration from 53.4 x 1019 to 5.5 x 1019 lem and the mobility significantly rising from 9 to 64 cm IV s. The increase of the mobility appears to be linked to the microstructure changes, since the grain size in crease leads to the facilitation of current flow and thus anenhancement in the mobility by reducing the number of grain boundaries 18,9]. The resistivity peaks at an intermediate temperature, around 423 K, as shown in Fig. 4(b).

Fig. 4 Electrical transport properties and power factor for as deposited and annealed Bi-Te
films. (a)carrier concentration and electro mobility, (b) resistivity, and (c) power factor

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 4 แสดงความเข้มข้นของบริษัทขนส่ง เคลื่อนอิเล็กตรอน พลังงาน และไฟฟ้าปัจจัยสำหรับฟิล์ม Bi-Te เป็นอุณหภูมิหลอมเพิ่ม ความเข้มข้นของผู้ขนส่งและการเคลื่อนที่ในทิศทางฝ่ายค้าน ความเข้มข้นของผู้ขนส่งจาก 53.4 x 1019 ไป 5.5 x 1019 lem และการเคลื่อนที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญจาก 9 ไป 64 ซม. IV s แตกต่างกันไป การเพิ่มขึ้นของการเคลื่อนไหวแล้วจะเชื่อมโยงกับการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาค ตั้งแต่ขนาดเมล็ดในรอยเป้าหมายเพื่ออำนวยความสะดวกของขั้นตอนปัจจุบัน anenhancement ในการเคลื่อนไหว โดยการลดจำนวนเม็ดขอบ 18,9] ความต้านทานที่ยอดที่มีอุณหภูมิระดับกลาง ประมาณ 423 K มาก Fig. 4(b)คุณสมบัติ fig. 4 ขนส่งไฟฟ้าพลังงานปัจจัยสำหรับเป็นฝาก และ annealed Bi-Teฟิล์ม (ก) บริษัทขนส่งเข้มข้นและ electro เคลื่อน, (ข) ความต้านทาน และตัวประกอบกำลังไฟฟ้า (c)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป 4 แสดงความเข้มข้นของผู้ให้บริการเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอนไฟฟ้าและปัจจัยอำนาจสำหรับหนัง Bi-Te.
เมื่ออุณหภูมิการอบเพิ่มความเข้มข้นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหวแตกต่างกันไปในทิศทางที่ฝ่ายค้านมีความเข้มข้นให้บริการจาก 53.4 x 1019-5.5 x 1019 LEM และ การเคลื่อนไหวที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ 9-64 ซม s IV การเพิ่มขึ้นของการเคลื่อนไหวดูเหมือนจะเชื่อมโยงกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาคเนื่องจากขนาดของเมล็ดข้าวในรอยพับนำไปสู่การอำนวยความสะดวกของการไหลของกระแสและ anenhancement ดังนั้นในการเคลื่อนย้ายโดยการลดจำนวนของข้าวเขตแดน 18,9] ยอดความต้านทานที่อุณหภูมิกลางประมาณ 423 K, ดังแสดงในรูป 4 (ข). รูป 4 คุณสมบัติการขนส่งเครื่องใช้ไฟฟ้าและปัจจัยอำนาจสำหรับฝากและอบเป็น Bi-Te ภาพยนตร์ (ก) ความเข้มข้นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหวไฟฟ้า (ข) ความต้านทานและ (ค) ปัจจัยอำนาจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงความเข้มข้นของสารตัวพาอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ พลังงานไฟฟ้า และปัจจัยสำหรับบีไปยังภาพยนตร์
เป็นการหลอมเพิ่มอุณหภูมิ , ความเข้มข้นของสารตัวพา และการเคลื่อนไหวที่แตกต่างกันไปในการต่อต้านทิศทาง , ความเข้มข้นของสารตัวพาจาก 53.4 x 5.5 x 984 984 เล็มและการเคลื่อนไหวอย่างมีนัยสำคัญเพิ่มขึ้นจาก 9 ถึง 64 ซม. 4 .การเพิ่มขึ้นของการเคลื่อนไหวดูเหมือนจะเชื่อมโยงกับโครงสร้างการเปลี่ยนแปลง ตั้งแต่ขนาดเกรนในรอยพับ นำไปสู่ การไหลของกระแส และดังนั้นจึง anenhancement ในการเคลื่อนไหวโดยการลดจำนวนของรอยเม็ด 18,9 ] ทำให้ยอดที่อุณหภูมิปานกลางประมาณ 423 K , ดังแสดงในรูปที่ 2 ( ข ) .

ฟิค4 . การขนส่งทางไฟฟ้าคุณสมบัติและปัจจัยอำนาจเป็นฝากและอบบิเต้
ภาพยนตร์ ( ) และความเข้มข้นพาหะโรงการ ( ข ) ความต้านทาน และ ( c )
ปัจจัยอำนาจ