Part 1: TTL NAND simple DC Characte

Part 1: TTL NAND simple DC Characteristics
1.The logic values of ‘1’ and ‘0’ are represented by voltage levels in the hardware implementation. The voltage levels and other electrical characteristics are not standardized from one logic family to another.
CPE224 will use both TTL(Transistor-Transistor Logic) and CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) logic. The voltage ranges for the two logic families are different.
2.In this experiment, you will first simulate and measure the electrical characteristics of a TTL NAND gate using the circuit in Figure 1. Build this circuit using 2N2222transistors.
Set VCC= 5V. D1,D2, and D3 are 1N4001 diodes.
3.Build the test circuit in Figure 1(b) using the NAND gate in Figure 1(a)
4.Measure the input current IIH and IIL. Measure the output voltage VOH and outputcurrent IOH.
5.Build the test circuit in Figure 1(c) using the NAND gate in Figure 1(a)
6.Measure the input current IIH and IIL. Measure the output voltage VOL and outputcurrent IOL

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนที่ 1: TTL NAND เรื่อง DC ลักษณะ1.ค่าลอจิก '1' และ '0' จะแสดง โดยใช้ระดับแรงดันใช้งานฮาร์ดแวร์ ระดับแรงดันไฟฟ้าและลักษณะอื่น ๆ ไฟฟ้าจะไม่มาตรฐานจากตรรกะครอบครัวอื่น CPE224 จะใช้ TTL ทั้ง (ตรรกะทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์) และตรรกะ CMOS (ทรานซิสเตอร์คู่ประกอบชนิดโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ) ช่วงแรงดันสำหรับครอบครัวตรรกะสองแตกต่างกัน2.ในการทดลองนี้ คุณครั้งแรกจะจำลอง และวัดลักษณะไฟฟ้าของประตู TTL NAND ใช้วงจรในรูปที่ 1 สร้างวงจรนี้ใช้ 2N2222transistors ตั้งค่า VCC = 5 v ง 1, D2 และดี 3 เป็นไดโอด 1N4001 ได้3.สร้างวงจรทดสอบในรูป 1(b) ที่ใช้เกต NAND ในรูป 1(a)4.วัด IIH ป้อนข้อมูลปัจจุบันและ IIL วัดแรงดันไฟออก VOH และ outputcurrent IOH5.สร้างวงจรทดสอบในรูป 1(c) ที่ใช้เกต NAND ในรูป 1(a) 6.วัด IIH ป้อนข้อมูลปัจจุบันและ IIL วัดแรงดันไฟออก VOL และ outputcurrent IOL

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่วนที่ 1: TTL NAND ง่ายลักษณะ DC
ค่าตรรกะ 1. ของ '1' และ '0' โดยมีตัวแทนระดับแรงดันไฟฟ้าในการใช้ฮาร์ดแวร์ ระดับแรงดันไฟฟ้าและลักษณะไฟฟ้าอื่น ๆ ไม่ได้มาตรฐานจากครอบครัวตรรกะหนึ่งไปยังอีก.
CPE224 จะใช้ทั้ง TTL (ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ลอจิก) และ CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor-) ตรรกะ แรงดันไฟฟ้าช่วงสองครอบครัวตรรกะที่แตกต่างกัน.
2.In ทดลองนี้คุณจะจำลองและวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของประตู NAND TTL โดยใช้วงจรในรูปที่ 1 การสร้างวงจรนี้ใช้ 2N2222transistors.
ชุด VCC = 5V D1, D2, D3 และมีไดโอด 1N4001.
3.Build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 (ข) โดยใช้ประตู NAND ในรูปที่ 1 (ก)
4.Measure IIH ป้อนข้อมูลในปัจจุบันและ IIL วัดแรงดันเอาท์พุท VOH และ outputcurrent IOH.
5.Build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 (ค) โดยใช้ประตู NAND ในรูปที่ 1 (ก)
6.Measure IIH ป้อนข้อมูลในปัจจุบันและ IIL วัด VOL แรงดันเอาท์พุทและ outputcurrent IOL

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนที่ 1 เป็นลักษณะตรรกะและง่าย
DC ความคุณค่าของ ' 1 ' และ ' 0 ' แทนด้วยระดับแรงดันในการใช้งานฮาร์ดแวร์ แรงดันไฟฟ้าระดับและลักษณะอื่น ๆไม่ได้มาตรฐานจากตรรกะครอบครัวไปอีก
cpe224 จะใช้ทั้ง TTL ( ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ตรรกะ ) และ CMOS ( แบบสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ ) ตรรกะแรงดันไฟฟ้าช่วงสองตรรกะครอบครัวแตกต่างกัน
๒ . ในการทดลองนี้ , คุณจะแรกจำลองและวัดคุณลักษณะทางไฟฟ้าของ TTL และประตูใช้ วงจรในรูปที่ 1 สร้างวงจรนี้ใช้ 2n2222transistors .
ชุด VCC = 5V . D1 , D2 และ D3 มี 1n4001 ไดโอด .
3.build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 ( B ) การใช้ประตูและในรูปที่ 1 ( a )
4วัดกระแสอินพุตและ iih iil . วัดแรงดันและ voh outputcurrent ioh .
5.build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 ( C ) ใช้ประตูและในรูปที่ 1 ( a )
6.measure กระแสอินพุตและ iih iil . วัดแรงดันและปริมาตร outputcurrent iol