A simple description of the Hall ef

A simple description of the Hall effect in the hopping regime of conductivity in semiconductors is presented. Expressions for the Hall coefficient and Hall mobility are derived by considering averaged equilibrium electron transport in a single triangle of localization sites in a magnetic field. Dependence of the Hall coefficient is analyzed in a wide range of temperature and magnetic field values. Our theoretical result is applied to our experimental data on temperature dependence of Hall effect and Hall mobility in ZnO.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การนำเสนอคำอธิบายง่าย ๆ ของผลฮอลล์ในระบอบการปกครองรอบของนำในอิเล็กทรอนิกส์ นิพจน์สำหรับสัมประสิทธิ์ฮอลล์ฮอลล์เคลื่อนมา โดยพิจารณาสมดุลเฉลี่ยขนส่งอิเล็กตรอนในรูปสามเหลี่ยมเดียวแปลของสนามแม่เหล็ก อาศัยของสัมประสิทธิ์ฮอลล์เป็นวิเคราะห์ความหลากหลายของค่าอุณหภูมิและสนามแม่เหล็ก ผลของทฤษฎีจะใช้กับข้อมูลของเราทดลองอาศัยอุณหภูมิของผลหอและหอเคลื่อนใน ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คำอธิบายที่เรียบง่ายของผลฮอลล์ในระบอบการปกครองของการนำกระโดดในเซมิคอนดักเตอร์ที่นำเสนอ นิพจน์สำหรับค่าสัมประสิทธิ์ฮอลล์ฮอลล์และการเคลื่อนไหวจะได้มาโดยพิจารณาเฉลี่ยขนส่งอิเล็กตรอนสมดุลในรูปสามเหลี่ยมเดียวของเว็บไซต์การแปลในสนามแม่เหล็ก พึ่งพาอาศัยกันของค่าสัมประสิทธิ์ฮอลล์มีการวิเคราะห์ในช่วงกว้างของอุณหภูมิและค่าสนามแม่เหล็ก ผลทางทฤษฎีของเราถูกนำไปใช้ข้อมูลการทดลองของเราในการขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของผลกระทบที่ฮอลล์ฮอลล์และความคล่องตัวในการซิงค์ออกไซด์