For deep understanding of PL proces

For deep understanding of PL processes, we studied the
excitation density dependence of the broad PL bands.
Fig. 2(a) shows the excitation-density dependence of the PL
intensity of undoped KTaO3 and LiTaO3 crystals under pulse laser
excitation. For undoped KTaO3 crystals, the PL intensity shows
quadratic dependence on the excitation density under weak
excitation, indicating that bimolecular recombination of photoexcited
electrons and holes determines the PL process. Under
high-density excitation above 300 mJ/cm2
, the PL intensity shows
saturation behavior, which is probably due to an increase of
nonradiative three-body Auger recombination rate [15]. Undoped
SrTiO3 and BaTiO3 crystals also show similar excitation-density
dependence (not shown here. For SrTiO3, see Refs. 15 and 16.).
Unlike the case of KTaO3, the PL intensity of undoped LiTaO3
crystals linearly depends on the excitation density. Similar linear
excitation-density dependence is observed in undoped LiNbO3
crystals. Perovskite oxides used in this work have high dielectric
constants [23,29–31], and thus no excitonic effects appear at
room temperature. Then, this linear dependence implies that
carrier tapping determines the PL process. These results mean
that the PL processes of KTaO3, SrTiO3 and BaTiO3 are completely
different from those of LiTaO3 and LiNbO3.
Fig. 2(b) shows the excitation density dependence of PL
intensity in Arþ-irradiated KTaO3 (under cw excitation) and
LiTaO3 (under pulse laser excitation) samples. Arþ-irradiated
KTaO3 sample shows a broad blue PL under weak cw excitation,
whose intensity linearly increases with an increase of excitation
density. This suggests that the PL in Arþ-irradiated KTaO3
samples is dominated by the radiative recombination of doped
electrons and photoexcited holes. As discussed with respect to
Fig. 2(a) and (b), the PL behaviors of undoped and electron-doped
samples are determined by single-carrier trapping, radiative
bimolecular recombination, and nonradiative three-carrier Auger
recombination processes

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อความเข้าใจที่ลึกของกระบวน PL เราเรียนอาศัยความหนาแน่นในการกระตุ้นของวง PL กว้างการพึ่งพาในการกระตุ้นความหนาแน่นของ PL แสดง fig. 2(a)ความเข้มของ undoped KTaO3 และ LiTaO3 ผลึกภายใต้พัลส์เลเซอร์ในการกระตุ้น สำหรับ undoped KTaO3 ผลึก แสดงความเข้มของ PLความหนาแน่นในการกระตุ้นภายใต้อ่อนแอพึ่งพากำลังสองในการกระตุ้น ระบุว่า recombination bimolecular ของ photoexcitedอิเล็กตรอนและหลุมกำหนดการ PL ภายใต้ในการกระตุ้น high-density เหนือ 300 mJ/cm2แสดงความเข้ม PLพฤติกรรม ความอิ่มตัวซึ่งอาจเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของnonradiative ร่างกาย 3 ชอน recombination อัตรา [15] Undopedรัตนากร SrTiO3 และ BaTiO3 แสดงความหนาแน่นในการกระตุ้นคล้ายคลึงกันพึ่งพา (ไม่ปรากฏที่นี่ สำหรับ SrTiO3 ดู Refs 15 และ 16)ซึ่งแตกต่างจากกรณีของ KTaO3, PL ความเข้มของ undoped LiTaO3ผลึกขึ้นอยู่กับความหนาแน่นในการกระตุ้นเชิงเส้น คล้ายเส้นตรงพึ่งพาความหนาแน่นในการกระตุ้นจะสังเกตใน undoped LiNbO3รัตนากร ออกไซด์ Perovskite ที่ใช้ในงานนี้มี dielectric สูงค่าคงที่ [23,29-31], และดังนั้นจึงไม่มีผล excitonic ปรากฏในที่อุณหภูมิห้อง แล้ว พึ่งพาเชิงเส้นนี้หมายถึงการที่เคาะผู้ขนส่งกำหนดการ PL หมายถึงผลลัพธ์เหล่านี้กระบวน PL KTaO3, SrTiO3 และ BaTiO3 สมบูรณ์แตกต่างจาก LiTaO3 และ LiNbO3Fig. 2(b) แสดงอาศัยความหนาแน่นในการกระตุ้นของ PLความรุนแรงใน Arþ irradiated KTaO3 (ภายใต้ตามน้ำหนักจริงในการกระตุ้น) และLiTaO3 (under pulse laser excitation) samples. Arþ-irradiatedKTaO3 sample shows a broad blue PL under weak cw excitation,whose intensity linearly increases with an increase of excitationdensity. This suggests that the PL in Arþ-irradiated KTaO3samples is dominated by the radiative recombination of dopedelectrons and photoexcited holes. As discussed with respect toFig. 2(a) and (b), the PL behaviors of undoped and electron-dopedsamples are determined by single-carrier trapping, radiativebimolecular recombination, and nonradiative three-carrier Augerrecombination processes

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อความเข้าใจที่ลึกของกระบวนการ PL, เราศึกษา
ความหนาแน่นของการพึ่งพาอาศัยการกระตุ้นของวงดนตรีวงกว้าง PL.
รูป 2 () แสดงให้เห็นการพึ่งพาการกระตุ้นความหนาแน่นของ PL
เข้มของ KTaO3 undoped และคริสตัล LiTaO3 ภายใต้การเต้นของชีพจรเลเซอร์
กระตุ้น สำหรับ undoped ผลึก KTaO3 ความเข้ม PL แสดงให้เห็นถึง
การพึ่งพากำลังสองในการกระตุ้นความหนาแน่นต่ำกว่าที่อ่อนแอ
กระตุ้นแสดงให้เห็นว่าการรวมตัวกันของ bimolecular photoexcited
อิเล็กตรอนและหลุมกำหนดกระบวนการ PL ภายใต้
การกระตุ้นความหนาแน่นสูงเหนือ 300 mJ / cm2
ความเข้ม PL แสดงให้เห็นถึง
พฤติกรรมความอิ่มตัวซึ่งอาจเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของ
nonradiative สามตัวสว่านอัตราการรวมตัวกันอีก [15] undoped
SrTiO3 และคริสตัล BaTiO3 ยังแสดงให้เห็นการกระตุ้นความหนาแน่นที่คล้ายกัน
พึ่งพาอาศัยกัน (ไม่ปรากฏ here. สำหรับ SrTiO3 ให้ดู Refs. 15 และ 16).
ซึ่งแตกต่างจากกรณีของ KTaO3 ความเข้มของ PL LiTaO3 undoped
คริสตัลเส้นตรงขึ้นอยู่กับความหนาแน่นของการกระตุ้น ที่คล้ายกันเชิงเส้น
การพึ่งพาการกระตุ้นความหนาแน่นเป็นที่สังเกตใน undoped LiNbO3
ผลึก perovskite ออกไซด์ที่ใช้ในงานนี้มีฉนวนสูง
คงที่ [23,29-31] และทำให้ไม่มีผล excitonic ปรากฏตัวที่
อุณหภูมิห้อง จากนั้นพึ่งพาอาศัยเชิงเส้นนี้แสดงให้เห็นว่า
ผู้ให้บริการเคาะกำหนดกระบวนการ PL ผลลัพธ์เหล่านี้หมายความ
ว่ากระบวนการของ PL KTaO3, SrTiO3 และ BaTiO3 จะสมบูรณ์
แตกต่างจาก LiTaO3 และ LiNbO3.
รูป 2 (ข) แสดงให้เห็นถึงความหนาแน่นของการพึ่งพาอาศัยการกระตุ้นของ PL
ความเข้มในการฉายรังสีศศภท-KTaO3 (ภายใต้การกระตุ้น CW) และ
LiTaO3 (ภายใต้การกระตุ้นการเต้นของชีพจรเลเซอร์) ตัวอย่าง ศศภท-ฉายรังสี
ตัวอย่างแสดงให้เห็น KTaO3 PL ฟ้ากว้างภายใต้การกระตุ้น CW อ่อนแอ
ที่มีความรุนแรงเพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรงกับการเพิ่มขึ้นของการกระตุ้น
ความหนาแน่น นี้แสดงให้เห็นว่าในศศภท PL-ฉายรังสี KTaO3
ตัวอย่างถูกครอบงำโดยการรวมตัวกันของยารังสี
อิเล็กตรอนและหลุม photoexcited ตามที่กล่าวด้วยความเคารพ
รูป 2 (ก) และ (ข), พฤติกรรมของ PL undoped และอิเล็กตรอนเจือ
ตัวอย่างจะถูกกำหนดโดยการวางกับดักเดียวผู้ให้บริการ, รังสี
รวมตัวกันอีก bimolecular และ nonradiative สามผู้ให้บริการสว่าน
กระบวนการรวมตัวกันอีก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อความเข้าใจลึกของกระบวนการที่คุณ เราศึกษาการกระตุ้นความหนาแน่นของวง

คุณกว้าง รูปที่ 2 ( ก ) แสดงให้เห็นถึงความตื่นเต้นของการพึ่งพาของพวกเขาและความเข้มของ ktao3 เคมีไฟฟ้า
litao3 ผลึกภายใต้การกระตุ้นด้วยเลเซอร์
ชีพจร สำหรับคริสตัล ktao3 เคมีไฟฟ้า , pl เข้มแสดง
สมพึ่งกระตุ้นความหนาแน่นภายใต้การกระตุ้นจุดอ่อน
,