The measurement of the scattering p

The measurement of the scattering parameter matrix [S] of
the HV battery tested is converted into impedance parameters
[Z]. The impedance parameter matrix [Z] of the simplified
circuit in Fig. 7(a) is known as function of the equivalent circuit
impedances [Z] = f (ZG1, ZX , ZG2 ). The inversion of this
equation system leads to the CM and DM impedances depending
on [Z], as displayed in Fig. 7(b). The resulting CMand DM
impedances are plotted in Fig. 8.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การประเมินของเมทริกซ์พารามิเตอร์ scattering [S] ของแบตเตอรี่ HV ทดสอบจะถูกแปลงเป็นพารามิเตอร์ความต้านทาน[Z] . เมทริกซ์พารามิเตอร์ความต้านทาน [Z] ของที่เรียบง่ายเรียกว่าเป็นฟังก์ชันของวงจรเทียบเท่าวงจรใน Fig. 7(a)impedances [Z] = f (ZG1, ZX, ZG2) กลับนี้ระบบสมการที่นำไปสู่ impedances ซม.และ DM ที่ขึ้นอยู่ใน [Z], เป็นแสดงใน Fig. 7(b) DM CMand ผลimpedances ถูกลงจุดใน Fig. 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวัดพารามิเตอร์เมทริกซ์กระเจิง [S] ของ
แบตเตอรี่ HV ทดสอบจะถูกแปลงเป็นพารามิเตอร์ต้านทาน
[Z] เมทริกซ์พารามิเตอร์ต้านทาน [Z] ของง่าย
วงจรในรูปที่ (7) เป็นที่รู้จักกันเป็นหน้าที่ของวงจรสมมูล
impedances [Z] = f (ZG1, ZX, ZG2) ผกผันนี้
ระบบสมการจะนำไปสู่ ​​impedances CM และ DM ขึ้นอยู่
บน [Z] ตามที่แสดงในรูป 7 (ข) ผล CMand DM
impedances มีการวางแผนในรูป 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การวัดการกระเจิงของพารามิเตอร์ของเมทริกซ์ [ s ]
HV แบตเตอรี่ทดสอบจะถูกแปลงเป็นค่าพารามิเตอร์
[ Z ] ค่าพารามิเตอร์ของเมทริกซ์ [ Z ] ของง่าย
วงจรในรูปที่ 7 ( ) เป็นที่รู้จักกันเป็นหน้าที่ของวงจรสมมูล
impedances [ z ] = F ( zg1 ZX zg2 , , ) การผกผันของระบบสมการนี้
นำไปสู่ซม. และ DM impedances ขึ้นอยู่กับ
บน [ Z ] ตามที่แสดงในรูปที่ 7 ( ข )ผล cmand dm
impedances จะวางแผนในรูปที่ 8