The growth of graphene on insulatin

The growth of graphene on insulating silicon carbide (SiC) surfaces by high temperature
annealing in vacuum was previously proposed to open a route for large-scale production of graphene-based devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเติบโตของ graphene บนฉนวนพื้นผิวที่ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) โดยอุณหภูมิที่สูงการอบเหนียวในสุญญากาศก่อนหน้านี้เสนอเพื่อเปิดเส้นทางสำหรับการผลิตขนาดใหญ่ของอุปกรณ์ที่ใช้ graphene

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเจริญเติบโตของกราฟีนในซิลิกอนคาร์ไบด์ฉนวน (SIC)
พื้นผิวโดยมีอุณหภูมิสูงหลอมในสูญญากาศที่เสนอก่อนหน้านี้ที่จะเปิดเส้นทางสำหรับการผลิตขนาดใหญ่ของกราฟีนอุปกรณ์ที่ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเจริญเติบโตของกราฟีนบนฉนวนซิลิกอนคาร์ไบด์ ( SIC ) พื้นผิวโดยอุณหภูมิสูง
annealing ในสุญญากาศเคยเสนอให้เปิดเส้นทางการผลิต graphene ที่ใช้อุปกรณ์ขนาดใหญ่