In the liquid-phase-deposition (LPD

In the liquid-phase-deposition (LPD) method, the deposition temperature is considered to be one of the most important factors in TiO2 nanotube crystal growth. We investigated the effects of the deposition temperature on the surface morphology and defects in TiO2 nanotube (NT–TiO2) thin film electrodes utilizing scanning-electron-microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL), together with the effects of these on the photovoltaic characteristics of CdSe quantum dot (QD)-sensitized NT–TiO2 solar cells. In addition, we studied the effect of these defects on the physical properties, such as the carrier recombination and electron transport at the TiO2 and TiO2/QD interface. NT–TiO2 electrodes prepared at low temperatures have a more uniform surface and lower defects than those prepared at high temperatures. From the PL measurements and the photovoltaic characterization such as shunt resistance (Rsh) and open circuit voltage decay (OCVD), these defects can act as carrier recombination centers. The defect density increases with increasing deposition temperature, leading to an increase in carrier recombination. Series resistances (Rs) of the solar cells with NT–TiO2 electrodes prepared at high temperatures were larger than those of the solar cells with NT–TiO2 electrodes prepared at low temperatures, suggesting that the defects can also affect the carrier transport characteristics. Eventually, CdSe QD-sensitized NT–TiO2 solar cells employing NT–TiO2 prepared at low temperatures showed higher conversion efficiencies than those prepared at high temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในวิธีการของเหลวระยะสะสม (แวด) อุณหภูมิสะสมจะถือว่าเป็นหนึ่งในปัจจัยสำคัญในการเจริญเติบโตของผลึกการท่อนาโน TiO2 เราตรวจสอบผลกระทบของอุณหภูมิสะสมบนผิวสัณฐานวิทยาและข้อบกพร่องในการหุงตฟิล์มบาง (NT-TiO2) ท่อนาโน TiO2 ใช้การสแกนอิเล็กตรอน-microscopy (SEM), เอกซเรย์การเลี้ยวเบน (XRD), และ photoluminescence (PL), ร่วมกับลักษณะพิเศษเหล่านี้ในลักษณะเซลล์แสงอาทิตย์ของ CdSe ควอนตัมดอต (คิวดีสวีต) -sensitized NT – TiO2 เซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้ เราศึกษาผลของข้อบกพร่องเหล่านี้คุณสมบัติทางกายภาพ recombination ผู้ขนส่งและขนส่งอิเล็กตรอนในอินเตอร์เฟซของ TiO2 และ TiO2/คิว ดีสวีต การขึ้นรูปผิว และลดข้อบกพร่องกว่าเตรียมไว้ที่อุณหภูมิสูงหุงต NT – TiO2 ที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิต่ำได้ จากวัด PL และที่แผงเซลล์แสงอาทิตย์สมบัติดังกล่าว เป็น shunt ผุแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (OCVD), และความต้านทาน (มีข้อบกพร่องเหล่านี้สามารถทำหน้าที่เป็นศูนย์ recombination ผู้ขนส่ง ความหนาแน่นความบกพร่องเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิสะสมเพิ่มขึ้น นำไปสู่การเพิ่มขึ้นของ recombination ผู้ขนส่ง ชุดความต้านทาน (Rs) ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีหุงต NT – TiO2 ที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิสูงมีขนาดใหญ่กว่าเซลล์แสงอาทิตย์ มีหุงต NT – TiO2 ที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิต่ำ การแนะนำว่า ข้อบกพร่องที่สามารถมีผลต่อลักษณะการขนส่งบริษัทขนส่ง ในที่สุด เซลล์แสงอาทิตย์คิวดีสวีต CdSe sensitized NT – TiO2 ใช้ NT – TiO2 เตรียมไว้ที่อุณหภูมิต่ำพบประสิทธิภาพแปลงสูงกว่าที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในของเหลวเฟสการสะสม (LPD) วิธีอุณหภูมิสะสมจะถือเป็นหนึ่งในปัจจัยที่สำคัญที่สุดในการเจริญเติบโตของ TiO2 นาโนคริสตัล เราตรวจสอบผลกระทบของอุณหภูมิสะสมในลักษณะพื้นผิวและข้อบกพร่องใน TiO2 นาโน (NT-TiO2) ขั้วไฟฟ้าฟิล์มบางที่ใช้สแกนอิเล็กตรอนกล้องจุลทรรศน์ (SEM), X-ray diffraction (XRD) และ photoluminescence (PL) ร่วม กับผลกระทบของเหล่านี้ในลักษณะของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ CdSe ควอนตัมจุด (QD) -sensitized NT-TiO2 เซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้เรามีการศึกษาผลกระทบของข้อบกพร่องเหล่านี้ที่มีต่อสมบัติทางกายภาพเช่นการรวมตัวกันของผู้ให้บริการและการขนส่งอิเล็กตรอนที่ TiO2 และอินเตอร์เฟซ TiO2 / QD ขั้วไฟฟ้า NT-TiO2 เตรียมที่อุณหภูมิต่ำมีพื้นผิวสม่ำเสมอมากขึ้นและข้อบกพร่องต่ำกว่าที่เตรียมไว้ที่อุณหภูมิสูง จากการวัด PL และลักษณะไฟฟ้าโซลาร์เซลล์เช่นความต้านทาน shunt (Rsh) และการเสื่อมสลายแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (OCVD) ข้อบกพร่องเหล่านี้สามารถทำหน้าที่เป็นศูนย์ให้บริการรวมตัวกันอีก ความหนาแน่นของข้อบกพร่องที่เพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิการสะสมเพิ่มขึ้นนำไปสู่​​การเพิ่มขึ้นในการให้บริการรวมตัวกันอีก ความต้านทาน Series (อาร์เอส) ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีขั้วไฟฟ้า NT-TiO2 เตรียมที่อุณหภูมิสูงมีขนาดใหญ่กว่าของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีขั้วไฟฟ้า NT-TiO2 เตรียมที่อุณหภูมิต่ำชี้ให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่ยังสามารถส่งผลกระทบต่อลักษณะการขนส่งผู้ให้บริการ ในที่สุด CdSe QD-ไว NT-TiO2 เซลล์แสงอาทิตย์จ้าง NT-TiO2 เตรียมที่อุณหภูมิต่ำแสดงให้เห็นประสิทธิภาพการแปลงสูงกว่าผู้ที่จัดเตรียมไว้ที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

在该方法liquid-phase-deposition（LPD），沉积温度是一个要考虑的最重要因素。在我们的研究。nanotube TiO2晶体生长温度的影响的表面上的沉积和morphology在TiO2 NT nanotube缺陷（TiO2）薄膜电极，利用scanning-electron-microscopy瘦（SEM），X射线衍射photoluminescence（XRD）和光致发光（PL）与加在一起，这些characteristics在光伏（CdSe量子斑点杂交（QD）的太阳能电池敏化TiO2 NT细胞）。此外，我们研究的效果的这些缺陷，在physical properties作为一个载体，如重组和运输电子在TiO2和TiO2 / QD - TiO2 NT prepared电极接口。在低的温度下，有一个更均匀，比表面和缺陷在这些prepared从温度高的PL。如光伏和characterization measurements分流阻力（RSH）和As（OCVD开放电路电压，decay）这些缺陷可以作为载体的重组行为。defect centers），提高沉积温度低，与日益增长该公司在一个增长到高阻力（Rs）。系列的TiO2电极的太阳能电池prepared与NT细胞）这些都是在温度高的比更大（NT）与TiO2电极的太阳能电池prepared细胞在低的温度，suggesting这也可以affect载体的缺陷。Eventually characteristics的运输，细胞CdSe QD-sensitized TiO2 NT——太阳能员工在TiO2 NT - showed prepared低比那些在高等efficiencies prepared转换的温度高。