SRAM is logically the more complex

SRAM is logically the more complex technology – requiring six transistors per bit – however, its electrical behaviour is simpler, so we will look at it first. An SRAM cell is shown in figure 15.2.

Four of the transistors are used to make a pair of inverters – NOT gates, essentially. Each inverter requires a pair of transistors – if the input is 0, then the p-type transistor will be on, and the n-type off. This will connect the output to power, which is equal to logic 1. Otherwise, if the input is 1, the output will be connected to ground, or logic 0. The two inverters are connected in a loop, with the output of one the input of the other.

This arrangement has two stable states: we interpret these two states as 1 and 0. The other two transistors are used to control reading and writing. To read the contents of the RAM cell, the word line is set high, allowing the contents of the cell to be read out to the bit line (and its inverse) to the not bit line. To write the cell, we again set the word line high, but this time we set the bit line (and its inverse) to the value we wish to store, forcing the cell into the appropriate state.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SRAM เป็นตรรกะซับซ้อนเทคโนโลยี –ต้องการทรานซิสเตอร์หกต่อบิต – อย่างไรก็ตาม พฤติกรรมของไฟฟ้าทำได้ง่ายขึ้น ดังนั้นเราจะมองมันเป็นครั้งแรก เซลล์แบบ SRAM จะแสดงในรูปที่ 15.2สี่ของทรานซิสเตอร์จะใช้ในการทำให้คู่ของอินเวอร์เตอร์ – ไม่ประตู เป็นหลัก อินเวอร์เตอร์แต่ละต้องมีคู่ของทรานซิสเตอร์ – ถ้าอินพุตเป็น 0 ทรานซิสเตอร์ชนิด p จะ ได้รับบน และชนิด n ปิด นี้จะเชื่อมต่อแสดงผลกับพลังงาน ซึ่งเท่ากับตรรกะ 1 มิฉะนั้น ถ้าอินพุตเป็น 1 ผลลัพธ์จะถูกเชื่อมต่อกับพื้นดิน หรือลอจิก 0 มีการเชื่อมต่ออินเวอร์เตอร์สองในวน กับการแสดงผลของข้อมูลป้อนเข้าของคนอื่นการจัดการนี้มีสองสถานะเสถียร: เราแปลเหล่านี้สองสถานะเป็น 1 และ 0 ทรานซิสเตอร์สองอื่นที่ใช้เพื่อควบคุมการอ่าน และการเขียน การอ่านเนื้อหาของเซลล์ RAM บรรทัดคำที่ตั้งสูง ช่วยให้เนื้อหาของเซลล์จะถูกอ่านออกสายบิต (และผกผัน) กับไม่บิตบรรทัด การเขียนเซลล์ เราอีกตั้งบรรทัดคำสูง แต่เวลานี้เราตั้งสายบิต (และผกผัน) เป็นค่าที่เราต้องการเก็บ การบังคับให้เซลล์เข้าสู่สถานะที่เหมาะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SRAM เป็นเหตุผลเทคโนโลยีที่ซับซ้อนมากขึ้น - กำหนดหกทรานซิสเตอร์ต่อบิต - แต่พฤติกรรมไฟฟ้าจะง่ายดังนั้นเราจะดูที่มันเป็นครั้งแรก เซลล์ SRAM จะแสดงในรูปที่ 15.2. สี่ของทรานซิสเตอร์จะใช้เพื่อให้คู่ของอินเวอร์เตอร์ - ไม่ประตูหลัก อินเวอร์เตอร์แต่ละคนต้องใช้คู่ของทรานซิสเตอร์ - ถ้าใส่เป็น 0 แล้ว P-ประเภททรานซิสเตอร์จะอยู่ในและ N-พิมพ์ออก นี้จะเชื่อมต่อการส่งออกสู่อำนาจซึ่งเท่ากับตรรกะ 1. มิฉะนั้นถ้าเข้าเป็นที่ 1, เอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับพื้นดินหรือตรรกะ 0. สองอินเวอร์เตอร์มีการเชื่อมต่อในวงที่มีการส่งออกของคนหนึ่ง . ใส่ของอื่น ๆ ที่ข้อตกลงนี้มีสองประเทศที่มีเสถียรภาพ: เราตีความทั้งสองสหรัฐอเมริกาเป็นที่ 1 และ 0 อีกสองทรานซิสเตอร์ที่ใช้ในการควบคุมการอ่านและการเขียน หากต้องการอ่านเนื้อหาของเซลล์แรมบรรทัดคำตั้งสูงที่ช่วยให้เนื้อหาของเซลล์ที่จะอ่านออกไปยังสายบิต (และผกผันของมัน) ไปยังบรรทัดบิตไม่ การเขียนเซลล์เราอีกตั้งบรรทัดคำสูง แต่เวลานี้เราตั้งสายบิต (และผกผันของมัน) ค่าที่เราต้องการที่จะเก็บบังคับให้เซลล์เข้าสู่สถานะที่เหมาะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SRAM เป็นตรรกะที่ซับซ้อนมากขึ้นและใช้เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ต่อ 6 บิต–อย่างไรก็ตาม พฤติกรรมไฟฟ้าของมันคือง่ายดังนั้นเราจะมองมันก่อน เป็น SRAM เซลล์จะแสดงในรูปที่ 15.2 .สี่ของทรานซิสเตอร์จะถูกใช้เพื่อให้คู่ของอินเวอร์เตอร์ ( ไม่ใช่ประตูเป็นหลัก . อินเวอร์เตอร์ใช้ทรานซิสเตอร์แต่ละคู่ ( ถ้าเข้า 0 แล้วพีทรานซิสเตอร์จะบนและทั่วไปปิด นี้จะเชื่อมต่อผลผลิตพลังงานซึ่งเท่ากับตรรกะ 1 ถ้าใส่เป็น 1 , output จะเชื่อมต่อกับพื้นดินหรือตรรกะ 0 สองเครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าเชื่อมต่อใน ห่วง กับผลผลิตของหนึ่งใส่ของอื่น ๆการจัดเรียงนี้มีสองมั่นคงรัฐ : เราตีความเหล่านี้สองสถานะเป็น 1 และ 0 อีกสองตัวที่ใช้ในการควบคุมการอ่านและการเขียน อ่านเนื้อหาของ RAM เซลล์ คำว่าสายเป็นตั้งสูง ให้เนื้อหาของเซลล์เพื่อให้อ่านออกบิตบรรทัด ( และกลับกัน ) จะไม่ไปสาย เขียนโดยเซลล์ เราอีกตั้งคำเส้นสูง แต่เวลานี้เราตั้งค่าบิตบรรทัด ( และการผกผัน ) กับค่าที่เราต้องการจะจัดเก็บ บังคับให้เซลล์ในสถานะที่เหมาะสม