For TiC deposited by sputtering Ti

For TiC deposited by sputtering Ti Target, Raman spectrum shows four characteristic peaks which is characteristic of titanium carbide nonstoichiometric TiC (Fig. 3a).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TiC ที่ฝากเงิน โดยพ่นเป้าหมายตี้ สเปกตรัมรามันแสดงลักษณะยอดสี่ซึ่งเป็นลักษณะของไฮไดรด์ไทเทเนียมรับผลิตกระป๋อง nonstoichiometric (Fig. 3a)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ TiC ฝากโดยสปัตเตอร์เป้าหมาย Ti, สเปกตรัมรามันแสดงให้เห็นถึงลักษณะสี่ยอดเขาซึ่งเป็นลักษณะของคาร์ไบด์ไทเทเนียม nonstoichiometric TiC (รูป. 3a)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับติ๊กฝากโดยเป้าหมายทิส รามานสเปกตรัมแสดงพีคที่ 4 ลักษณะคือลักษณะของไทเทเนียมคาร์ไบด์ nonstoichiometric ทิค ( รูปที่ 3 )