The low pressure discharge plasmas

The low pressure discharge plasmas can be excited and sustained
by different plasma sources [3] and one such type is inductively coupled
plasma (ICP) [4] in which the plasma chemistry is mainly controlled by
the electron energies and gas temperatures [1]. It shows that in ICPs,
the role of electron temperature and electrons number density (ne)
is much important to understand the phenomena of electron impact
ionization and excitation processes [9]. In order to fully characterize
the ICPs, lot of work has been done in the past and many efforts are
under way for the measurement of plasma parameters like kTe, ne, ion
number density (ni), electron saturation current (Ieo), ion saturation
current (Iio), plasma potential (Vs) and electron energy distribution
function (EEDF) in a very precise way [5].

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลาสมาปล่อยแรงดันต่ำสามารถตื่นเต้นและยั่งยืน
โดยแหล่งที่มาของพลาสม่าที่แตกต่างกัน [3] และเป็นหนึ่งในประเภทดังกล่าวเป็นคู่ inductively
พลาสม่า (ICP) [4] ซึ่งเคมีพลาสม่าจะถูกควบคุมโดยส่วนใหญ่
พลังงานอิเล็กตรอนและอุณหภูมิก๊าซ [1] มันแสดงให้เห็นว่าใน ICPs,
บทบาทของอุณหภูมิอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอนความหนาแน่นของจำนวน (ตะวันออกเฉียงเหนือ)
เป็นเรื่องสำคัญที่จะเข้าใจปรากฏการณ์ของผลกระทบอิเล็กตรอน
ไอออนไนซ์และกระบวนการกระตุ้น [9] เพื่อให้เต็มลักษณะ
ICPs ทำงานมากได้กระทำในอดีตที่ผ่านมาและความพยายามจำนวนมาก
ภายใต้วิธีการสำหรับการวัดพารามิเตอร์พลาสม่าเหมือน kte, NE, ไอออน
ความหนาแน่นของจำนวน ni (), ความอิ่มตัวของอิเล็กตรอนปัจจุบัน (อิ๋ว), ความอิ่มตัวของไอออน
ปัจจุบัน (Iio), พลาสม่าที่มีศักยภาพ (Vs) และอิเล็กตรอนกระจายพลังงานที่
ฟังก์ชั่น (eedf) ในทางที่แม่นยำมาก [5]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จำหน่ายพลาสมาความดันต่ำจะตื่นเต้น และยั่งยืน
โดยแหล่งข้อมูลที่แตกต่างกัน [ 3 ] และพลาสม่าประเภทหนึ่งเช่นอุปนัยคู่
พลาสมา ( ICP ) [ 4 ] ซึ่งในพลาสมาเคมีส่วนใหญ่จะควบคุมโดยอิเล็กตรอนพลังงานและอุณหภูมิแก๊ส
[ 1 ] มันแสดงให้เห็นว่าใน ICPS
อุณหภูมิ , บทบาทของอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอนความหนาแน่นหมายเลข ( NE )
มันสำคัญมากที่จะเข้าใจปรากฏการณ์ของไอออนไนซ์อิเล็กตรอนและกระตุ้นกระบวนการผลกระทบ
[ 9 ] เพื่อให้ครบลักษณะ
ICPS มากของงานได้ทำในอดีตและความพยายามมากมาย
ภายใต้วิธีการในการวัดของพลาสมาพารามิเตอร์เช่น kte , เน , ความหนาแน่นของจำนวนไอออน
( Ni ) , ความเข้มกระแสอิเล็กตรอน ( IEO ) ไอออนอิ่มตัว
ปัจจุบัน ( iio )ศักยภาพของพลาสมา ( VS ) และฟังก์ชันพลังงานอิเล็กตรอนกระจาย
( eedf ) ในทางที่แม่นยำมาก [ 5 ]