As shown in Fig. 2, a Dickson struc

As shown in Fig. 2, a Dickson structured mu
is used to achieve RF to DC power
sufficiently high output voltage to power up
The Dickson structure rectifier is ba
doublers, and each doubler is composed of a
Cc, an inter-stage loading capacitor, Cp, and
The diodes needed for the rectifier can be r
technology as diode-connected MOSFETs
diodes [5], if the latter are available in the p
analysis of the chosen diodes is required
efficiency rectification.
Figure 3: NMOS Cross Section and
In the 65nm CMOS process used, Schott
available as standard library component, a
diode in the rectifier is formed by a
transistor. Fig. 3 shows the cross-section v
bulk NMOS transistor. The source and dr
two parasitic diodes towards the substrate, w
tied to the lowest potential in the circuit (i.e.
ensure that the source and drain junctions a
Thus, if no DC bias (>0V) is applied at the
signal amplitude is high enough in the nega
diodes start to become forward biased and
handling capability. When the transistor i
insertion loss is determined by the on-r
NMOS (Ron) at low frequencies. At mm
frequency, the insertion loss will incre
capacitive coupling of the signal throu
capacitances of the transistor to the subs
transistor is turned off, the isolation is deter
resistance (Roff) at low frequencies. For hi
the isolation becomes worse due to the o
capacitances and channel capacitance. In or
minimum insertion loss, one needs to reduce
resistance can be expressed as
R

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังแสดงใน Fig. 2 ดิ๊กสันเป็นโครงสร้างหมู่ใช้เพื่อให้บรรลุ RF พลังงาน DCอัตราแรงดันออกสูงพอจ่ายวงจรเรียงกระแสโครงสร้างดิกสันเป็นบาdoublers และแต่ละ doubler ประกอบด้วยการCc ตัวเก็บประจุเป็นระยะระหว่างการโหลด Cp และไดโอดได้จำเป็นสำหรับวงจรเรียงกระแสที่สามารถ rเทคโนโลยีเป็นการเชื่อมต่อไดโอด MOSFETsไดโอดได้ [5], ถ้าหลังมี pวิเคราะห์ของไดโอดได้ท่านจะต้องที่กำหนดอย่างมีประสิทธิภาพรูปที่ 3: NMOS ข้ามส่วน และใน 65nm CMOS กระบวนการที่ใช้ Schottเป็นคอมโพเนนต์ของไลบรารีมาตรฐาน การไดโอดในวงจรเรียงกระแสที่จะเกิดขึ้นโดยการทรานซิสเตอร์ Fig. 3 แสดง v ระหว่างส่วนทรานซิสเตอร์ NMOS จำนวนมาก แหล่งที่มาและดร.ไดโอดได้เสียงฟู่เหมือนกาฝากสองต่อพื้นผิว wเกี่ยวพันกับศักยภาพต่ำในวงจร (เช่นให้แน่ใจว่าแหล่งข้อมูล และ junctions ระบายน้ำดังนั้น ถ้าไม่อคติ DC (> 0V) ใช้ในการสัญญาณคลื่นจะสูงพอ negaไดโอดได้เริ่มกลายเป็นความโน้มเอียงไปข้างหน้า และความสามารถในการจัดการ เมื่อทรานซิสเตอร์ฉันแทรกสูญเสียเป็นไปตามที่บน-rNMOS (Ron) ความถี่ต่ำ ที่มม.ความถี่ การสูญเสียแทรกจะราคา increคลัปควบคุมของ throu สัญญาณcapacitances ของทรานซิสเตอร์เพื่อ subsทรานซิสเตอร์ปิด แยกที่ถูกขัดขวางความต้านทาน (Roff) ความถี่ต่ำ สำหรับไฮโดดเดี่ยวจะแย่เนื่องจาก ocapacitances และค่าความจุของช่องสัญญาณ ใน หรือขาดทุนต่ำสุดแทรก หนึ่งต้องลดแสดงความต้านทานเป็นR