Another correlation appears between

Another correlation appears between the electrical resistivity and the relative intensity I2 as a function of the ionic radii of the substitution ions ( Fig. 4). The electrical resistivity ρ and I2% mostly increase with increasing the ionic radii of the substituted ions except for Sm sample. This means, as the defects of grain boundaries thickness and intergranular pores increase, there is an increase in the resistivity. Furthermore, the total porosity takes opposite behavior with I2. One might consider that the intergranular pores increase with the increase of the ionic radii of the substituted ions and dominates the grain boundaries thickness. For Sm sample, I2 decreases relative to its value in Gd sample which accounts for the decrease of ρ. This means that there is an increase of the intragranular pores for Sm sample and is conformed experimentally, ( Fig. 3). For V sample, although I2 is slightly greater than that for Nb sample, ρ is smaller for V sample than that for Nb one. Accordingly, the effect of intragranular pores dominates the effect of grain boundaries thickness and accounts for the smallest value of ρ for V sample than that for Nb one. Fig. 4 indicates that Gd-sample has the highest I2 or intergranular pores. This conform the reported improvement of the electrical resistivity for Gd-sample [11]. But, in this work the conclusion is concentrated on the intergranular pores content. Accordingly, Positron annihilation parameters help to concentrate the discussion of the electrical resistivity on intergranular pores as a dominant parameter for the increase of the electrical resistivity. The increase of the electrical resistivity has important application at high frequency ranges.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อื่นความสัมพันธ์ระหว่างสภาพต้านทานไฟฟ้าและความเข้มสัมพัทธ์ I2 เป็นฟังก์ชันของรัศมี ionic ของทดแทนกัน (Fig. 4) แล้ว ความต้านทานไฟฟ้าρและ I2% เพิ่มขึ้นส่วนใหญ่ มีเพิ่มรัศมี ionic ของประจุเทียบเท่ายกเว้นตัวอย่างเอสเอ็ม ว่า จะ เป็นข้อบกพร่องของเมล็ดข้าวขอบหนาและ intergranular รูขุมขนเพิ่มขึ้น มีการเพิ่มความต้านทานที่ นอกจากนี้ porosity รวมเวลาทำงานตรงกันข้ามกับ I2 หนึ่งอาจพิจารณาได้ว่า รูขุมขน intergranular เพิ่มกับเพิ่มรัศมี ionic ของประจุเทียบเท่า และกุมอำนาจความหนาขอบเม็ด สำหรับตัวอย่างเอสเอ็ม I2 ลดลงเมื่อเทียบกับค่าใน Gd ตัวอย่างบัญชีใดสำหรับการลดของρ กล่าวคือมีการเพิ่มขึ้นของการ intragranular pores สำหรับตัวอย่างเอสเอ็ม และตาม experimentally, (Fig. 3) สำหรับตัวอย่าง V แม้ว่า I2 จะมากกว่าเล็กน้อยว่าสำหรับ Nb อย่าง ρเล็กสำหรับตัวอย่าง V กว่าที่สำหรับ Nb หนึ่ง ตาม ลักษณะพิเศษของรูขุมขน intragranular กุมอำนาจผลของเมล็ดข้าวขอบหนาและบัญชีสำหรับค่าขนาดเล็กที่สุดของρสำหรับ V ตัวอย่างมากกว่าที่สำหรับ Nb หนึ่ง Fig. 4 บ่งชี้ว่า Gd อย่างมี I2 สูงหรือ intergranular รูขุมขน นี้สอดคล้องกับความต้านทานไฟฟ้าพัฒนารายงานสำหรับ Gd-ตัวอย่าง [11] แต่ ในการทำงานนี้ สรุปที่เข้มข้นเนื้อหา intergranular รูขุมขน ตาม โพซิตรอนทำลายล้างพารามิเตอร์ช่วยให้คุณเน้นการสนทนาในความต้านทานไฟฟ้า intergranular รูขุมขนเป็นพารามิเตอร์หลักสำหรับการเพิ่มขึ้นของความต้านทานไฟฟ้า เพิ่มความต้านทานไฟฟ้ามีโปรแกรมประยุกต์ที่สำคัญในช่วงความถี่สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสัมพันธ์อีกปรากฏขึ้นระหว่างความต้านทานไฟฟ้าและ I2 เข้มญาติเป็นหน้าที่ของรัศมีอิออนของไอออนทดแทน (รูปที่ 4). ρต้านทานไฟฟ้าและ I2% ส่วนใหญ่เพิ่มขึ้นด้วยการเพิ่มรัศมีอิออนของไอออนแทนยกเว้นตัวอย่าง Sm ซึ่งหมายความว่าเป็นข้อบกพร่องของข้าวเขตแดนความหนาและรูขุมขนขอบเกรนเพิ่มขึ้นมีการเพิ่มขึ้นของความต้านทาน นอกจากนี้ความพรุนรวมเวลาพฤติกรรมตรงข้ามกับ I2 หนึ่งอาจพิจารณาว่ารูขุมขนขอบเกรนเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของรัศมีอิออนของไอออนแทนและครอบงำความหนาของข้าวเขตแดน สำหรับตัวอย่าง Sm, I2 ลดลงเมื่อเทียบกับค่าของมันในตัวอย่าง Gd ซึ่งคิดเป็นสัดส่วนลดลงρ ซึ่งหมายความว่ามีการเพิ่มขึ้นของรูขุมขน intragranular ตัวอย่าง Sm และสอดคล้องทดลอง (รูปที่. 3) สำหรับตัวอย่าง V แม้ว่า I2 เล็กน้อยมากกว่าที่ตัวอย่าง NB, ρมีขนาดเล็กสำหรับตัวอย่าง V ไปกว่านั้นสำหรับ Nb หนึ่ง ดังนั้นผลกระทบของรูขุมขน intragranular dominates ผลของความหนาของข้าวเขตแดนและบัญชีสำหรับค่าที่น้อยที่สุดของρตัวอย่าง V ไปกว่านั้นสำหรับ Nb หนึ่ง มะเดื่อ 4 แสดงให้เห็นว่า Gd ตัวอย่างมี I2 สูงสุดหรือขอบเกรนรูขุมขน นี้ตามรายงานของการปรับปรุงความต้านทานไฟฟ้าสำหรับ Gd ตัวอย่าง [11] แต่ในงานนี้สรุปมีความเข้มข้นในเนื้อหาขอบเกรนรูขุมขน ดังนั้นพารามิเตอร์การทำลายล้างโพซิตรอนช่วยให้มีสมาธิการอภิปรายของความต้านทานไฟฟ้าในรูขุมขนขอบเกรนเป็นพารามิเตอร์ที่โดดเด่นสำหรับการเพิ่มขึ้นของความต้านทานไฟฟ้า การเพิ่มขึ้นของความต้านทานไฟฟ้ามีโปรแกรมที่สำคัญในช่วงความถี่สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความสัมพันธ์ระหว่างความต้านทานไฟฟ้าอื่นปรากฏขึ้นและความเข้มสัมพัทธ์ I2 เป็นฟังก์ชันของรัศมีไอออนของการแทนที่ไอออน ( รูปที่ 4 ) ไฟฟ้าและความต้านทานρ I2 % ส่วนใหญ่เพิ่มขึ้นของรัศมีไอออนไอออนยกเว้น SM แทนตัวอย่าง วิธีนี้ เป็นข้อบกพร่องของขอบเขตความรูและเม็ด ( เพิ่มมีการเพิ่มขึ้นของค่า . นอกจากนี้ ความพรุนรวมใช้พฤติกรรมตรงข้ามกับ I2 . หนึ่งอาจจะพิจารณาว่า รูขุมขนตามขอบเกรนเพิ่มด้วยการเพิ่มของรัศมีไอออนไอออนของแทนและครองเขตแดนเมล็ดข้าวความหนา สำหรับ SM ตัวอย่าง , I2 ลดลงเมื่อเทียบกับค่าของมันใน GD ตัวอย่างซึ่งบัญชีสำหรับการลดลงของρ .ซึ่งหมายความ ว่า มีการเพิ่มขึ้นของรูขุมขน intragranular สำหรับ SM ตัวอย่างและสอดคล้องนี้ ( รูปที่ 3 ) สำหรับ 5 ตัวอย่าง แม้ว่า I2 ค่อนข้างมากกว่าสำหรับ NB ตัวอย่างρมีขนาดเล็กสำหรับ 5 ตัวอย่างกว่าที่ NB 1 ตามผลของรู intragranular ครองผลของขอบเขตเม็ดหนาและบัญชีที่ค่าของρสำหรับ 5 ตัวอย่างกว่าที่ NB 1 รูปที่ 4 ตัวอย่าง พบว่า ให้ผลสูงสุด ( I2 หรือรู . นี้สอดคล้องกับรายงานของการปรับปรุงสภาพต้านทานไฟฟ้า GD ตัวอย่าง [ 11 ] แต่ในงานนี้สรุปคือ เน้นรูขุมขน ( เนื้อหา ตามพารามิเตอร์การทำลายล้างอนุภาคช่วยให้มีสมาธิ การสนทนาของความต้านทานไฟฟ้าในรู ( เป็นตัวเด่นสำหรับการเพิ่มขึ้นของความต้านทานทางไฟฟ้า การเพิ่มขึ้นของความต้านทาน ไฟฟ้า มีโปรแกรมสำคัญที่ความถี่สูงช่วง