1. IntroductionPhotoluminescence (P

1. Introduction

Photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TR-PL) are promising for the characterization of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells. PL spectra can be utilized for the characterization of defects, impurity and crystal quality, whereas TR-PL yields carrier dynamics and minority carrier lifetime. The authors reported PL and TR-PL on CIGS solar cells [1,2]. PL in CIGS solar cells compared with CIGS thin films are: (i) enhancement of near-band-edge PL, (ii) reduction of defect-related PL and (iii) long PL decay time. They have been discussed in terms of the surface recombination and the non-radiative defect centers which act as a lifetime killer. It has been assumed that the Cu vacancy (VCu) is substituted by the Cd atom to form the CdCu donor in the Cu-poor CIGS absorber layer, and thus, non-radiative defect complexes related to VCu are reduced. In order to clarify this, further studies are strongly required for PL on surface-treated CIGS films and CdS/CIGS samples prepared by the chemical-bath deposition (CBD). The direct evidence of Cd diffusion into CIGS during the CBD-CdS process has been reported [3,4].
The purpose of this study is to understand defects and impurities at the Cu-poor surface region of CIGS trough PL, in which carrier recombination in CdS/CIGS and the CIGS solar cells are emphasized. In this work, PL studies are performed in CIGS films, CdS/CIGS and CIGS solar cells, with emphasis on the effect of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1 การแนะนำ

photoluminescence (PL) และใช้เวลาแก้ไข PL (TR-PL) จะสัญญาว่าสำหรับลักษณะของลูกบาศ์ก (ใน, GA) SE2 (CIGS) เซลล์แสงอาทิตย์ PL สเปกตรัมสามารถใช้สำหรับลักษณะของข้อบกพร่องบริสุทธิ์และคริสตัลคุณภาพในขณะที่ TR-PL ทำให้การเจริญเติบโตของผู้ให้บริการและผู้ให้บริการอายุการใช้งานน้อย ผู้เขียนรายงาน PL และ TR-PL ในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS [1,2]PL ในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เมื่อเทียบกับฟิล์มบาง CIGS คือ: (i) การเพิ่มประสิทธิภาพของใกล้-band ขอบ Pl, (ii) การลดลงของข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับ PL และ (iii) เวลานานสลาย PL พวกเขาได้รับการกล่าวถึงในแง่ของการรวมตัวกันอีกพื้นผิวและไม่แผ่รังสีศูนย์ข้อบกพร่องซึ่งทำหน้าที่เป็นนักฆ่าอายุการใช้งานจะได้รับการสันนิษฐานว่าว่างลูกบาศ์ก (VCU) จะถูกแทนที่โดยอะตอมซีดีในรูปแบบผู้บริจาค cdcu ในลูกบาศ์กยากจนชั้นดูดบุหรี่อิเล็กทรอนิกส์และทำให้ไม่แผ่รังสีที่สลับซับซ้อนข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับการ VCU จะลดลง เพื่อที่จะชี้แจงนี้การศึกษาต่อไปจะต้องให้มีการ PL บนพื้นผิวที่ไ​​ด้รับการรักษา CIGS ภาพยนตร์และซีดีตัวอย่าง / CIGS จัดทำขึ้นโดยสารเคมีสะสมอาบน้ำ (CBD)หลักฐานโดยตรงของการแพร่กระจาย cd​​ เป็น CIGS ในระหว่างกระบวนการ CBD แผ่นซีดีที่ได้รับการรายงาน [3,4].
วัตถุประสงค์ของการศึกษานี้คือการเข้าใจข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกที่พื้นผิวลูกบาศ์กภูมิภาคยากจนของ CIGS ราง PL ซึ่งผู้ให้บริการ รวมตัวกันอีกในซีดี / CIGS และเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เน้น ในงานวิจัยนี้ศึกษา PL จะดำเนินการในภาพยนตร์ CIGS, ซีดี / CIGS และ CIGS เซลล์แสงอาทิตย์,ให้ความสำคัญกับผลกระทบของการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. แนะนำ

Photoluminescence (PL) และเวลาแก้ไข PL (TR-PL) เป็นแนวโน้มสำหรับคุณสมบัติของ Cu (ใน Ga) Se2 (CIGS) เซลล์แสงอาทิตย์ สามารถจะใช้แรมสเป็คตรา PL สำหรับคุณสมบัติของข้อบกพร่อง มลทิน และคริสตัล คุณภาพ ในขณะที่ทำให้ TR-PL dynamics ผู้ขนส่งและอายุการใช้งานขนส่งชนกลุ่มน้อย ผู้เขียนรายงาน PL และ TR-PL ในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS [1, 2] มี PL ในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เปรียบเทียบกับ films บาง CIGS: (i) เพิ่มประสิทธิภาพของ PL ใกล้วงขอบ (ii) การลดของ PL ความบกพร่องที่เกี่ยวข้องและ (iii) ยาว PL เวลาเสื่อมสลาย มีการกล่าวถึงในแง่ของ recombination ผิว และความบกพร่องไม่ใช่ radiative ศูนย์การกระทำใดเป็นการทำลายชีวิต มันมีการสันนิษฐานว่า ตำแหน่งว่าง Cu (VCu) เป็นสิ่งทดแทนอะตอมซีดีเพื่อบริจาค CdCu ในชั้นวิบาก CIGS Cu ต่ำ และดังนั้น ลดความบกพร่องไม่ใช่ radiative คอมเพล็กซ์กับ VCu ศึกษาเพิ่มเติมไม่จำเป็นอย่างยิ่งสำหรับ PL films CIGS รักษาพื้นผิวและตัวอย่างซี ดี/CIGS โดยสะสมเคมีน้ำ (CBD) เพื่อชี้แจง หลักฐานโดยตรงของแพร่ซีดีลงใน CIGS ระหว่างซีดีนี่แล้วรายงาน [3, 4] .
วัตถุประสงค์ของการศึกษานี้คือการ เข้าใจข้อบกพร่อง และสิ่งสกปรกที่ผิว Cu ต่ำภูมิภาค CIGS ราง PL ใน recombination ซึ่งผู้ขนส่งในซี ดี/CIGS และเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ที่เน้นการ ในงานนี้ ดำเนินการศึกษา PL CIGS films ซี ดี/CIGS และ เซลล์แสงอาทิตย์ CIGS โดยเน้นผลของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . การ แนะนำ

photoluminescence (โปแลนด์)และเวลา - มติ PL ( TR - โปแลนด์)มีนักเตะดาวรุ่งอนาคตไกลสำหรับแสดงลักษณะของชุดควบคุม(ใน, GA ), SE 2 (ซิกส์)โซลาร์เซลล์ พรีเมียร์ลีก Spectra สามารถเป็นประโยชน์ในการแสดงลักษณะของ คุณภาพ คริสตัลและสารปนเปื้อนข้อบกพร่องในขณะที่ตลอดอายุการใช้งาน TR - PL อัตราผลตอบแทนของผู้ให้บริการและผู้ให้บริการของชนกลุ่มน้อย Dynamics ผู้เขียนรายงานว่าพรีเมียร์ลีกและเซลล์ TR - พรีเมียร์ลีกบนซิกส์จากพลังงานแสงอาทิตย์ 1,2 []PL ในเซลล์แสงอาทิตย์ซิกส์เมื่อเทียบกับซิกส์ films บางมี( i )การเพิ่มอยู่ใกล้กับย่านความถี่มีลักษณะเป็นเส้นขอบที่ต่อกัน PL ( ii )การลดลงของข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับโปแลนด์และ( iii ) PL ฟันผุเวลา. พวกเขาได้รับการกล่าวถึงในเงื่อนไขของ recombination พื้นผิวที่ไม่ใช่ข้อบกพร่องและศูนย์กลาง - radiative ที่ทำหน้าที่เป็นนักฆ่าที่อายุการใช้งานโรงแรมได้รับการสันนิษฐานได้ว่าตำแหน่งที่ว่างชุดควบคุม( vcu )จะถูกแทนที่โดยอะตอมซีดีไปที่แบบฟอร์มผู้บริจาค cdcu ใน CU - ซิกส์ชั้นเครื่องดูดคนจนและคอมเพล็กซ์ข้อบกพร่องจึงไม่ใช่ radiative ที่เกี่ยวข้องกับ vcu จะถูกลดลง ในการสั่งซื้อนี้เพื่อความเข้าใจการศึกษายังเป็นอย่างมากที่จำเป็นสำหรับ PL ในซิกส์แผ่นซีดีและ films พื้นผิว - การปฏิบัติ/ซิกส์ตัวอย่างซึ่งได้รับการจัดเตรียมโดยทางเคมี - อ่างอาบน้ำเคลือบไอเคมี( CBD )หลักฐานโดยตรงของแพร่ซีดีในซิกส์ในระหว่างกระบวนการค้า - ซีดีที่มีการรายงานว่า[ 3.4 ].
ตามวัตถุประสงค์ของการศึกษานี้เป็นการทำความเข้าใจมีข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกที่ CU - เขตพื้นที่บนพื้นผิวที่น่าสงสารของร่องความกดอากาศต่ำซิกส์ PL ในซึ่งผู้ให้บริการ recombination ในซีดี/ซิกส์ซิกส์และเซลล์แสงอาทิตย์ที่เน้นย้ำถึง ในงานนี้มีการศึกษา PL ได้ดำเนินการใน films ซิกส์โซลาร์เซลล์ซีดี/ซิกส์และซิกส์พร้อมด้วยการเน้นย้ำถึงผลของ
ตามมาตรฐาน